Патенты с меткой «памяти»

Страница 39

Адаптивное устройство ассоциативно-рефлексной памяти

Загрузка...

Номер патента: 1464140

Опубликовано: 07.03.1989

Автор: Болоцкий

МПК: G05B 19/00

Метки: адаптивное, ассоциативно-рефлексной, памяти

...термином). Устройством запоминается в видесвязей между каналами порядок следо.вания, один за другим, импульсовв различные каналы, Этот ряд образу,.ется от совпадения части импульсовиз множества поступающих по каналам(ряд импульсов в один и тот же каналне запоминается, но интенсивностьследования определяет вероятностьсовпадения),В конечном счете запоминается порядок возбуждения каналов связи, а 2 Взначит и порядок проявления терминов,связи которых образуют реляционныйконтур - образ.Возбуждение части не связанныхканалов вызывает генерацию импульсовв остальных дополняя остальнуючасть, т.е, осуществляется распознавание образа по его частичному предьявлению,35Пусть в момент временив каналсвязи подают входной импульс,...

Устройство для адресации по содержанию блока памяти

Загрузка...

Номер патента: 1464164

Опубликовано: 07.03.1989

Авторы: Корниец, Кулик, Рахов

МПК: G06F 12/00, G06F 15/173

Метки: адресации, блока, памяти, содержанию

...1, 2, 4 - 7. Легко убедиться, что с вершиной 3 нет связанных вершин.В запоминающем устройстве 9 блока памяти логических векторов известным способом записаны п и-разрядных векторов. Чтобы адрес ячейки можно было использовать в качестве ассоциативного признака вектора вершины, при записи должно соблюдаться соответствие номера ячейки номеру вершины графа.Подается сигнал "Начальная установка" по линии 5 и код вектора вершины, для которой устанавливаются связанные с ней вершины по шине 4. Сигчалом "Начальная установка" приводятся в исходное состояние узлы блока анализа связности вершин графа и запускается генератор (цепи установки исходного состояния не показаны). Этим же сигналом через элемент сИЛИ 16 выполняется чтение из запоминающего...

Устройство для модификации адреса зон памяти при отладке программ

Загрузка...

Номер патента: 1465887

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Будовский, Ежова

МПК: G06F 11/28

Метки: адреса, зон, модификации, отладке, памяти, программ

...проходят. Таким образом, чтениеветствейно потенциал низкого уровня данных из зоны отладо:ной памяти,на втором выходе дешифратора 1,1 - вы- ж;итируогей А 61. на шины Л/Д систе.";.бору зоны, имитирующей второй або- запрещено, что соответствует выбран нент А 62, ной кснфиг"рации Отлаживаемой систРДопустим, что на входы/выходы 19 мы (абонент Аб 1 - реальнь:.) т.е.устройства поступает с шин А/Д ЭВИ чтение информации пс указанном ад.адрес абонента А 61 После расшифров- ресу может происходить только из реки исходного базового адреса на пер. - ального абонента Аб ,вом выходе блока 11 формируется по В режиме записи данньг: на входетенциал низкого уровня, на втором - 18 чтения присутств ует потенциалвысокого уровня. Соответственно на низкого...

Устройство для прошивки матриц памяти на ферритовых сердечниках

Загрузка...

Номер патента: 1471221

Опубликовано: 07.04.1989

Автор: Алексеев

МПК: G11C 5/02

Метки: матриц, памяти, прошивки, сердечниках, ферритовых

...прошивки аНа фиг. 1 приведено устройство, общий вид; на фиг. 2 - траектория движения провода при прошивке.Устройство для прошивки матрицы выполнено в вице прямой призмы, в основаниях которой имеется многоугольник 1, количество рабочих граней 2 соответствует количеству участков поля матрицы по координате, вдоль которой есть переходы провода 3 из одной строки в другую, а ширина граней 2 соответствует ширине соответствующих участков матрицы, Высота призмы соответствует длине матрицы по другой координате, которая не имеет изгибов координатного провода 4. Ферритовые сердечники 5 сориентированы и зафиксированы на фрагментах 6 поля матрицы, которые закреплены на гранях 2 призыв, например, с помощью легкоплавкого состава воск, канифоль и т,д.),...

Устройство для управления регенерацией информации в динамической памяти

Загрузка...

Номер патента: 1471224

Опубликовано: 07.04.1989

Авторы: Боженко, Кондратов, Мешков

МПК: G11C 11/00, G11C 21/00

Метки: динамической, информации, памяти, регенерацией

...элемент И-НЕ 19 выдает "0" на выход запроса преобразователя 4 (фиг,4 и, к, с, т). Этот "О" через вход управления преобразователя 4 поступает на его элементы И 18, информационные выходы преобразователя 4 сбрасываются в "0", По сигналу 1.2 это состояние заносится в блок 2 памяти, Одновременно ссстояние "О" на выходе запроса пре" образователч 4 разрешает запись в регистр 5 по сигналу , 1.3 (Фиг,4 г.к) признака внешних обращений по всем АКданного АК (фиг,4 л), который Формирует преобразователь 3 на своем первом информационном выходе, При поступлении следующего адреса сигнал запроса сбрасывается, Так при обращении по всем АКс общим АК во всех разрядах байта, хранящегося в блоке 2 памяти по адресу АК , устанавливаются в "0", а в регистре 5 -...

Устройство для управления синхронизацией памяти

Загрузка...

Номер патента: 1472893

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Бруевич, Воробьев, Куликов, Садовникова

МПК: G06F 1/04

Метки: памяти, синхронизацией

...11, он выдается навыход 21, обеспечивая дополнительныйсдвиг первого синхросигнала на одиншаг в глубину области устойчивойработы (успешное прохождение теста вэтом случае также может быть случайным). Одновременно отрицательный импульс через элементы ИЛИ 4 и 5 поступает на счетный вход счетчика 10,увеличивая его содержимое на единицу, и выдается на выход 17 устройст-.ва. В результате установка первогосинхросигнала заканчивается, а второйсинхросигнал смещается к началу формирования временной диаграммы.Установка синхросигналов с второго по седьмой происходит аналогично.При настройке седьмого синхросигнала в счетчике 10 записан код (111)и на выходе элемента И 13 присутствует "1" (высокий уровень напряжения). Поэтому отрицательный...

Элемент памяти

Загрузка...

Номер патента: 1472946

Опубликовано: 15.04.1989

Автор: Орловский

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...Над ячейкой устанавливается источник постоянного магнитного поля так, чтобы вектор магнитной индукции В был параллеллен плоскости плавающего затвора. Так как ток утечки представляет собой направленное движение электронов со средней скоростью 7, на них действует сила Лоренца которая смещает электроны рс плавающему затвору. Плавающийзатвор.захватывает электроны до тех пор, пока образовавшееся электростатическое поле не достигнет значения, уравновешива 1 ощего действие силы .Лоренца,Исходное пороговое напряжение запоминающего транзистора 1,8-2,0 В (при отсутствии заряда на плавающемфОГ Я Составитель Л.АмусьеваЛ.Веселовская Техред А.Кравчук Корректор Л,Зайце Редакт 717/50 Тираж 558 ПодписноеГосударственного комитета по изобретениям и...

Элемент памяти осинова-худякова

Загрузка...

Номер патента: 1472948

Опубликовано: 15.04.1989

Авторы: Осинов, Худяков

МПК: G11C 11/40

Метки: осинова-худякова, памяти, элемент

...элементе памяти для заряда и разряда используется механизм туннелирования Фаулера-Нордхейма, которыйявляется двусторонним процессом и мржет быть испол ьз о в ан как для з аряда,так и разряда затвора 4 хранения, Заряд плавающего затвора 4 происходитпри подаче на з атвор 8 з аписи высо"кого положительного напряжения и нулевом стоковом напряжении, При этомэлектроны, обусловливающие зарядвходной информации, проникают из области 5 в затвор 4 через окисел толщиной 10-20 нм, что приводит к изменению порогового напряжения транзистора. Заряд записывается на плаваю"щий затвор 4 до того момента, поканапряженность поля в туннельном диэлектрике превышает некоторое пороговое значение Е 10 В/см, Как только напряженность поля подает меньшеЕ ,...

Способ определения термических показателей термочувствительных элементов с эффектом памяти формы

Загрузка...

Номер патента: 1474530

Опубликовано: 23.04.1989

Автор: Остапенко

МПК: G01N 25/02

Метки: памяти, показателей, термических, термочувствительных, формы, элементов, эффектом

...переходов при,термоциклировании проводят при фиксированных уровнях деформации ТЧЭ,Высокотемцературные границы (фиг.2)петель гистерезиса Г (Т)=сопзС (кри 6,вая 1), 1: (Т)усопз (кривая 2) образуют кривую А (б,Е) (кривая 3), соот"ветствующую нижней границе температурной области устойчивого аустенита при заданных уровнях напряжения и деформации. Аналогичным образом по низкотемпературным границамгистерезисных петель (кривые 1 и 2)40строят кривую 4 И (б,О, ограничивающую сверху температурную областьустойчивого мартенсита при заданныхуровнях С и Я.По верхним кривым изотермическихгистерезисных диаграмм деформирования 5 (б) = сопз (кривая 5) строятповерхность Б на которой определяют положение точек Ипо максимумуэлектросопротивления при...

Устройство защиты памяти

Загрузка...

Номер патента: 1474657

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Кокорев, Стрелков

МПК: G06F 12/16

Метки: защиты, памяти

...напряжения по входу 4 ниже уровня, допускаемого отклонением (как правило 5-103) от номинала, компаратор 5 Формирует потенциальный сигнал "1" для управления блоком 9, который сигналом Н переводит блок 1 в режим "Захват" и после завершения блоком 1 текущей микрокоманды получает ответный сигнал "Подтверждение захвата" Н 1., Как правило, время завершения микрокоманды не превышает. нескольких микросекунд, что вполне достаточно для нормального перехода блока 1 в пассивный режим работы.При отключении питания по входу 4 сигнал "Сброс" блоком 3 не формируется, т.е, остается,в состоянии "0", а блок 9 находится в состоянии "1". При совпадении сигнала "Захват" и сигнала г 1 ропадения питания (от компаратора 5) блок 9 потенциальным сигналом 0...

Элемент памяти

Загрузка...

Номер патента: 1474736

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Заяц, Яковлев

МПК: G11C 11/00

Метки: памяти, элемент

...10 от.исходного значения намагниченности-В, до +В,Конденсатор 13 поддержки поддерживает ток, протекающий по обмоткезаписи.После отключения напряжения питания сердечник трансформатора сохранит намагниченность +В ,Если же в триггере 9 к моментуотключения питания записан "О",то элемент И-НЕ 11 не срабатывает(на втором входе этого элемента будетуровень логического "0") и на еговыходе будет высокий .потенциал.Транзистор 15 закрыт и в сердечникетрансформатора 10 сохранится исходноесостояние намагниченности -В, чтосоответствует значению логического ОВспомогательный режим восстановления информации в триггере 9 осуществляется при включении напряжения пита 5 ния после отключения последнего. Как только напряжение питания достигнет...

Устройство для управления регенерацией динамической памяти

Загрузка...

Номер патента: 1474744

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Боженко, Гордиенко, Кондратов

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, памяти, регенерацией

...работа О ет в режиме внешнего обмена, Коммутатор 3 подключает строчные адреса внешних обращений с входа 9 на выход 8.По сигналу обращения к устройству, синхронизированному с тактовыми импульсами генератора 1, триггер 5 сбрасывается в логический "О", а в счетчике 2 устанавливается адрес границы задействованного объема ОЗУ. Коммутатор 3 подключает на выход 8 информационный выход счетчика 2. Уст.ройство переходит в режим регенерации.В первом режиме регенерации по сигналу с входа 12 второй коммутатор 4 подключает к вычитающему входу. счетчика 2 выход генератора 1, а на суммирующем входе устанавливает лог 11 чес кую 1, В ьход и римо Го 1 Р 11 Г но - са счетчика блокируется. 11 о сигналам генератора 1 счетчик 2 ведет реверсивный...

Устройство для контроля микросхем постоянной памяти

Загрузка...

Номер патента: 1478258

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Богунова, Изюмов, Николаев, Росницкий, Чабров, Чумакова

МПК: G11C 29/00

Метки: микросхем, памяти, постоянной

...ППЗУ. В зависимости от выбранного носителя эталонной информации контроль БИС ППЗУ может осуществ 5,ляться либо в каждом цикле сравнения побитно, либо в конце каждогорежима контроля по сигналу "+1", поступающему со счетчика 2 адреса поэталонной контрольной сумме. В случае, несравнения эталонной информации с содержимым проверяемой БИС ППЗУблок 11 сравнения вырабатывает соответствующий сигнал, поступающий навход блока 3 обнаружения ошибки, который формирует сигнал неисправности,прерывающий режим контроля путемостанова генератора синхроимпульсови выдает сигнал "Негоден. Режимыконтроля переключаются по сигналу"+1", поступающему с выхода переполнения счетчика 2 адреса., на счетныйвход счетчика 9 режимов контроля,после прохождения девяти...

Устройство для поиска свободных зон памяти

Загрузка...

Номер патента: 1481851

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Боженко, Кондратов, Мешков

МПК: G11C 7/00, G11C 8/16

Метки: зон, памяти, поиска, свободных

...регистре 6 отмечаются байты, полностью занятые этими признаками.В режиме обмена информацией процессора с загруженными зонами памяти с входа 15 через коммутатор 8 на выходы 10 и 11 передаются коды А,-, А. При этом они не сопровождаются сигналами управления и синхрониэа" ции. В режиме очистки процессор освобождает от загрузки определенныезоны памяти, и в устройстве это фиксируется. Режим задается установкой сигнала "Очистка" на входе 17По нему на выход коммутатора 9 вместо сигнала запроса преобразователя 1 подключается сигнал запроса шифратора 3, формируемый по состоянию регистра 2, Задание А А сопровождается синхросигналами "Строб 1", "Строб 2", По А, из блока 4 выбирается соответствующий ему байт, который заносится по "Строб 1" в...

Устройство управления для доменной памяти

Загрузка...

Номер патента: 1481856

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Алексеев, Жучков, Ковалев, Косов, Минкина, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти

...странице, когдав начале цикла установится в состояние "1" триггер 4 поиска и установится в состояние "1" при начале работыусилителей воспроизведения триггер 5разрешения, Этот процесс продолжается до тех пор, пока не будет найденаначальная страница с маркером,Защита маркерного регистра хранения включается, когда поиск закончен и с элемента НЕ 10 на элементИ-НЕ 17 поступает разрешающий потенциал. Такой жв разрушающий потенциалподается с кодовой шины Обход" (обход маркерного регистра хранения).В начале цикла работы доменной памяти по сигналу с накопителя 1 и элемента 8 задержки запускается элементИ-НЕ 17, устанавливающий триггер обхода в состояние "1", С инверсноговыхода этого триггера запрещаетсяпрохождение сигналов с блока 2 и...

Устройство для контроля блоков памяти

Загрузка...

Номер патента: 1481862

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Крючков, Шмелева

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...ячейки блока 18 импульсомс выхода блока 23 запускается блок6Количество циклов чтения дефектной ячейки определяется элементом32 задержки,35В режиме останова по ошибке причтении дефектной ячейки блока 18,импульсом,с выхода элемента И 10 черезэлемент И 15 триггер 7 устанавливается в нулевое состояние, блокируя 40запуск блока 2 и прохождение импульсов из генератора 1, При этом посостоянию выходов контролируемого блока 18, регистров 20 и 21 можно определить адрес дефектной ячейки, аномера разрядов с неправильной информацией - по состоянию счетчика 17,Для продолжения проверки необходимо подать команду "Пуск", При сов 50падении информации регистра 21 и блока 18 импульс на выходе элементаИ 10 отсутствует, триггер 7 сохраняет единичное...

Устройство сопряжения для контроля блоков памяти

Загрузка...

Номер патента: 1481864

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Белалов, Бочков, Рудаков, Саламатов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, сопряжения

...обращения,В одиночном режиме на вход 16,3 непоступает сигнал "Блочный режим 111 навыходах элемента 30 и триггера 21формируется высокий уровень, а навыходе элемента 29 - низкий уровеньпосле окончания сигнала"Обращение"5,1, Таким образом, триггер 20 исигнал "Обмен" 1. 2 сбрасываются прикаждом цикле обращения, в течениекоторого :ыполняется запись толькоодного слова и выдается один сигнал"Запись",При операции "Чтение памяти" блок5 приемников принимает сигналы 16,1,16,2, 16,3 и выдает сигналы 5.1,5.2, 5,3 (" Обращение", "Операция","Блочный режим") в формирователь 1сигналов,Адрес с входа 15 проходит черезблок 4 приемников, коммутатор 8,блок 2 приемопередатчиков и поступает на входы-выходы 14,Дешифратор 9 определяет адреспамяти,...

Устройство для адресации памяти

Загрузка...

Номер патента: 1481760

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Лозбенев, Пархоменко, Черняев

МПК: G06F 12/00, G06F 9/36

Метки: адресации, памяти

...третьем - 096 (РЕТ).Элемент И 6 необходим для того, чтобы отличить коды команд перехода от данных, которые могут иметь тот же код (команды сопровождаются сигналом М 1). Положительный импульс на выходе элемента И 6 по заднему фронту устанавливает триггер 8 в единичное состояние, положительный перепад через время, обусловленное элементом 7 задержки, появляется на первом входе элемента И 5, Время задержки элемента 7 подобрано так, что не происходит совпадения положительных уровней на выходе элемента 7 задержки и сигнала М 1 команды, во время которой произошло переключение (в нашем случае команды СА 11.). Далее микропроцессор выполняет действия, предписанные командой СА 1.1При приходе любой следующей команды сигнал первого машинного цикла...

Устройство для адресации блоков памяти

Загрузка...

Номер патента: 1481777

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Боженко, Кондратов, Мешков

МПК: G06F 12/02

Метки: адресации, блоков, памяти

...в счетчике 9 выставится значение, соответствующее числу включенных блоков, в блоке 10 будут хранится упорядоченные по возрастанию физические номера этих блоков, а во всех ячейках блока 12 установится значение 1, указывающее на незанятость подлежащих адресации блоков.Режим адресации задается сбросом управляющего сигнала на входе 16 в О (фиг. 2 б, участок 111).Пусть первое из обращений происхо. дит по адресу К (фиг. 2 а, участок 11), причем 0(К(/одА где Ь число адресуемых блоков. При совпадении уровней 1 на выходе блока 2 и инвертора 8 с поступлением с входа 17 первого строба третий элемент И - НЕ формирует сигнал (фиг. 2 ж, участок 111) записи во второй блок 11 памяти по адресу К номера свободного блока из вершины стека блока 10...

Способ обработки изделий из сплавов на основе никелида титана для получения низкотемпературной обратимой памяти формы

Загрузка...

Номер патента: 1493686

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Будигина, Масленков, Фломенблит, Шоршоров

МПК: C22F 1/10

Метки: низкотемпературной, никелида, обратимой, основе, памяти, сплавов, титана, формы

...в поверх ностных слоях около 4%. Далее лак удаляют ацетоном и выдерживают дпя выхода водорода в течение 3 сут при 20 С. При термоциклировании пластинаопроявляет ОЭПФ. Способ позволяет заменить операцию деформирования заготовки в жидком азоте на менее трудоемкую - наводороживание при комнатной температуре в растворе серной кислоты. 1 табл. слоем лака ХСЛ и наводорожены в 4%- ном растворе серной кислоты прн плотности тока О, 02-0, 5 мА/мм в течение 30 мин. В процессе наводороживания пластины изгибались, степень деформации в поверхностных слоях составляла около 4%. Затем при нагреве до 100 С пластины выпрямлялись, с поверхности удаляли лак (ацетоном) и осуществляли выдержку в течение 3 сут длодля выхода водорода при 20 С. Прн1493686 3,...

Устройство адресации памяти

Загрузка...

Номер патента: 1494007

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Ефимов, Исаев, Никитин

МПК: G06F 12/00

Метки: адресации, памяти

...-гистр 6, переписывая в него код адреса, установленный на выходе 22 устройства, а затем в счетчик адреса 5,переписывая в него код адреса, хранящегося в регистре 8, В результате врегистре 6 запоминается код адреса,на котором произошло прерывание программы, а в счетчике 5 адреса устанавливается код адреса, по которомуследует осуществить запись информации в блок 3 памяти. После этого блок2 управления подает управляющий сигнал на мультиплексор 7 так, чтобы кодадреса с выхода регистра 6 попал навход регистра 8. При этом записывается содержимое регистра 6 в регистр8,По окончании записи информации вблок 3 памяти в блок 2 управления повходу 20 подается сигнал продолжения программы, по которому блок 1 записи и считывания устанавливается врежим...

Устройство буферной памяти

Загрузка...

Номер патента: 1494010

Опубликовано: 15.07.1989

Авторы: Бессмертный, Сбориков, Теодорович

МПК: G06F 12/00, G06F 13/00

Метки: буферной, памяти

...с блока 3 поступает насхему 28 сравнения и сравниваетсяс информацией на 01-входе, В случаесовпадения информации сигналом с выхода схемы 28 сравнения открываетсяэлемент И 16 и импульс частоты считывания поступает через элемент ИЛИ 22на вход счетчика 1. Исчезновение импульса частоты считывания изменяетсостояние счетчика 1, что соответствует изменению адреса в блоке 3. Одновременно сигнал с выхода элементаИ 16 через элемент ИЛИ 18 устандвливает в 111" триггер 30, открывая элемент И 8 для прохождения импульсовчастоты записи по новому адресу вблоке 3,Отсутствие сигналов ца выходе схемы 28 сравнения в момент записи информации указывает нд неисправностьблока 3 и на необходимость переключения блока 3 ца резервную зону, которая...

Элемент памяти

Загрузка...

Номер патента: 1494040

Опубликовано: 15.07.1989

Автор: Лазаренко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...проводника изолированы одна от другой диэлектриком 2,Для записи информации в ЗЭ к областямприкладывают разность потенциапропуская через область 1 элек 149040трический ток, Разогрев первой области 1 приводит к термической деформации его поверхности и к разрушеню диэлектрика 2, В результате между первой 1 и четвертой 3 областями возникает надежный электрический контакт, что и является признаком записи/ информации в элемент памяти,Элемент памяти обладает поньгшенной надежностьо и вероятностью прогрдммированил, что подтверждаетсяследующими г 1 дкторд.и, ЕострукцилБ 11 С с двумл иэопгровднными друг отдруга слоями полигрег ния напгла широкое применение в производстве БИС,Такиы образом элемент памятиудачно вгпгсывдетсл в...

Способ изготовления спирали с обратным эффектом памяти формы

Загрузка...

Номер патента: 1495389

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Диамент, Карелин, Ковнеристый, Матлахова, Федотов

МПК: C22F 1/00, C22F 1/10

Метки: обратным, памяти, спирали, формы, эффектом

...никелида титана с ЭПФ. При этом отношение С, где С - отношение среднего диаметра сжатой спирали к диаметру проволоки для исходных отожженных спиралей изменялось от 4,5 до 10 (табл. 1). Далее спирали дефоромировали растяжением при 20 С с различными степенями, характеризуемыми3 1495389 4отношением Д/ш (длина измененного ша- при охлаждении +30 С), и измеряли га к среднему диаметру сжатой спира- величину ТХ и развиваемых при нагре" ли), При деформации фиксировали уси- ве ТМУ. Данные представлены в табл. 1. лия, необходимые для растяжения (Р), Соотношение геометрических параметПосле деформации спирали нагревали ров спиралей из проволок (диаметр до 250 С с целью проявления ЭПФ, пос,55 мм) сплавов Т - 54,5 мас.Х Нд ле чего...

Устройство для управления обращением к общей памяти

Загрузка...

Номер патента: 1495804

Опубликовано: 23.07.1989

Автор: Беляков

МПК: G06F 12/00

Метки: обращением, общей, памяти

...иоперацией характерно для БИС интерфейса КР 1802 ВВ 2,Отсутствующие в таблице комбинации входных сигналов при правильнойработе канала микро-ЭВИ вс.зникнутьне могут, т,е, не являются рабочими.В рассматриваемом случае, т.е.при несовпадении код адреса активизируемой страницы памяти Ащ, хранящимся в первом. регистре 24адресастраницы памяти, и кода адреса активной в настоящий момент страницы памяти, хранящегося, во втором регистре 25 адреса страницы памяти, напервый вход 55 шифратора с выходасхемы 26 сравнения поступает единичный сигнал несравнения. Согласнотаблице на выходе 57 шифратора возникает код операции записи слова,По сигналу "Ввод" с шины 105одновибратор 33 запускается и импульсным сигналом с его выхода, 62производится запись...

Устройство управления для кассетной памяти на цилиндрических магнитных доменах

Загрузка...

Номер патента: 1495850

Опубликовано: 23.07.1989

Авторы: Каленский, Козачковский, Малиновский

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, кассетной, магнитных, памяти, цилиндрических

...такте передачи данных в буферную память 2 при выполнении командыЫСС ведет циклический контроль поступающей информации с формированиемстроки циклического контроля под управлением генератора 30 синхроимпульсов,После окончания передачи данныхтриггер 35 строба записи разблокируетсчетчик 37 последовательности окончания записи, который последовательноосуществляет стробирование для последующей передачи через коммутатор41 шины записи в буферную память 2байта пропуска, содержащего "0" повсем разрядам, байта строки циклического контроля через элемент И 38,двух байтов номера зоны через элементИ 39 и двух байтов межзонного промежутка, содержащих "0" по всем разрядам.После инициирования команды дешифратор 28 микрокоманды выдает сигнал+1 РНЗ,...

Устройство для контроля многоразрядных блоков оперативной памяти

Загрузка...

Номер патента: 1495854

Опубликовано: 23.07.1989

Автор: Петров

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, многоразрядных, оперативной, памяти

...2 тактов, т.е. ;когда на втором выходе счетчика 3 устанавливается уровень логической "1", происходит первый цикл считывания информации из БОП, В процессе считывания информации из БОП выходы шинного формирователя 12 данных под воздействием логической "1" на управляющем входе находятся в высокоимпедансном состоянии. Проинвертированная входным регистром 11 информация из БОП поразрядно сравнивается в блоке сравнения на группе сумматоров 13 по модулю два с информацией, хранящейся в БПП 10, Обобщенный результат сравнения появляется на выходе п-входоввто элемента И-НЕ 14, ко 14958546торый является выходом блока сравнения. При наличии ошибки в считанной информации на выходе и-входового элемента И-НЕ 14 появляется логи 5евческая 1 , к о...

Устройство для распределения динамической памяти

Загрузка...

Номер патента: 1497618

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Боженко, Гордиенко, Кондратов, Мешков

МПК: G06F 12/00

Метки: динамической, памяти, распределения

...триггер устанавливается в состояние "1". По этому состоянию счетчик 4 переводится в режим установки, его дальнейшее переключение по импульсам регенерации блокируется, а по выходу 16 устройство индицирует готовность вступить в обмен с процессором.В режиме загрузки на входе 15 устройства присутствует уровень 0. По нему коммутаторы 1 и 2 подключают к выходам 10 и 11 информационные выходы счетчиков 4 и 5. Загрузка ячеек памяти сопровождается стробирующими импульсами на входе 18. По ним переключается счетчик 5, а по его сигналам переполнения - счетчик 6. Состо ние счетчика 6 заносится в счетчик 4, По состоянию счетчиков 5 и 6 через выходы 10 и 1 присваиваются адреса загружаемой в памяти информации. Эти же адреса через выходы 12 и 13...

Пневматический блок памяти для систем цифрового управления

Загрузка...

Номер патента: 1497623

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Бирман, Короткова, Ледовская, Минц

МПК: G06G 5/00

Метки: блок, памяти, пневматический, систем, цифрового

...элемента 7 со сдвигом (Р), Выход первогоклапана через усилитель 3 мощности По окончании переходных процс ссов в блоке (0,5-1,5 с) дискретный сигнал 1 принимает нулевое значение, клапан 2 размыкается, а клапан 1 замыкается, соединяя выход промежуточного повторителя с входом усили 3 ., 4подключен к выходному каналу блока Р и к глухим камерам элементов Канал сбро а промежуточного повторителя соответствует выходу элемента сравнения, связанному с соплом, Вход промежуточного повторителя канал, подведенный к плюсовой камере элемента сравнения, выход - канал, подведенный к отрицательной камере элемента сравнения, соединенной с соплом, подключенным к каналу питанияБлок памяти работает в одном из двух режимов, определяемом значением...

Устройство для регенерации динамической памяти

Загрузка...

Номер патента: 1497637

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Боженко, Кондратов

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, памяти, регенерации

...8 поступают на адресные шины. По установке счетчика в нулевоесостояние блок 5 сравнения вырдбатъвает иипульс, который своим заднимфронтом устанавливает триггер 6 иустройство переводится в режим внешнего обращения, которое определяетсяпо состоянию выхода 13. Операция повторяется до перехода динамическойпамяти в режим нормального фуцкционирования.В режиме внешнего обращения коммутаторблокирует поступление импульсов регенерации и разрешает прохождение сигналов внешнего обращения 20со входами 9. По цим строчные адресдвнешнего обращения заносятся в регистр 2 и счетчик 3 и с выхода последнего поступают ца адресные шины.По истечении периода регенерациипамяти Т со входа 2 поступает импульс сброса триггера 6. Устройствопереводится в режим...