Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 443409

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Игнатенко, Кобыляцкая, Кузовлев, Либерман, Чернихов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, ячейка

...Фазе С трехфазного источника питания прачляацие электроды тиристора записи 1 итиристора сброса б соединены443409 3ответственно с входной шиной записи ы входной шиной сброса.Такое подключение Фаз А,В,С к схеме обеспечивает приложение к аноду тиристора 1 положительного напряжения в течение всего периода одной фазы питающего напряжения, в то время как к аноду тиристора ь напряжение питания приклапывается в течение времея, равного 1/2 периода Фазы С. В этом состоянии ячейки памяти тиристоры 1 и 5 выключены и на выходе 10 ячейки имеется положительное напряжение.При подаче положительного напряжения на управляющий электрод 11 тиристора 1 он включается и остается в этом состоянии после снятия информационного сигнала. Для возврата ячейки...

Номер патента: 444244

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Аракчеева, Прушинский, Пуппинь, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...хранения информации. Переключающие транзисторы р - и - р типа 5 и 6 в этом режиме закрыты и 15 не влияют на работу схемы.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. При подаче положительного импульса считывания - записи на числовую шину 7 открывает ся транзистор 5, так как база его оказывается подключенной к насыщенному транзистору 1, Эмиттерный ток насыщенного транзистора 1 резко увеличивается, что обеспечивает резкое повышение напряжения на разрядной 25 шине 8 и быстрое включение усилителя считывания 12. При этом за счет коллекторного тока транзистора 5 обеспечивается увеличение тока базы транзистора 1, необходимое для поддержания его в насыщенном состоянии, ЗО так как коллектор ного тока нагруз очного...

Номер патента: 444245

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Аракчеева, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...3, так как на разрядный эмиттер 5 этого транзистора подается низкий уровень потенциала. Транзистор 3 насыщается и током эмиттера обратной связи 9 закрывает транзистор 4. Схема переключалась в другое состояние, После записи информации напряжение на шине питания уменьшается, ток насыщенного транзистора 3 переключает. ся в эмиттер 7 хранения и в резистор 11 а ячейка переходит в режим хранения информации уже в новом состоянии.Ток в режиме хранения информации может быть на несколько порядков меньше тока, включающего усилитель считывания информации и тока, переключающего ячейку в другое состояние в момент записи информации, чем обеспечивается малая потребляемая мощность. В то же время в схеме предусмотрен высокий уровень токов в режимах...

Номер патента: 445768

Опубликовано: 05.10.1974

Автор: Гришин

МПК: F15C 3/04

Метки: памяти, пневматический, элемент

...элемента. ачального состояния Р=зменить состояние первна Р 1=1, то мембранный блок реле 1 перс мещается в положение, при котором камсра Бг соединена со входом Рг, т. е. давлепис Б камере Ьг по-прежнему отсутствует. 11 оложсние мембранного блока реле 2 не изменяс 1 с И НИКаКИХ даЛЬНЕйШИХ ИЗМЕНЕНР 1 Й Б СХЕМС Нс происходит, т. е. Рз=ОЕсли из начального состояни Р 1= - О; 1 г= О; Рз=О изменить состояние Нгоро 0 входа на Рг=1, то мембранный блок реле 1 СрсМЕЩ 2 ЕТСЯ В ПОЛОЖЕНИЕ, ПРИ КОТОРОМ КИХ 1 сР 2 Бг соединена с выходом Рз, т. е, давленнс Б камере Ьг по-прежнему отсутствует,:10 ложение мембранного блока реле 2 не изменСГС 51 и по прежнему Рз=ОЕсли,из состояния Р -- О; Рг=1; Рз=О или из состояния Р,=1; Рг=О; Рз=О изменить состояние...

Номер патента: 446111

Опубликовано: 05.10.1974

Автор: Чубарев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, ячейка

...известные ячейки памяти со на тиристорах имеют низкую помехоустоИчиность из-за большого выброса входных параметров тиристоров.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости ячейки па ржит резисторы 1-5;бе стабилитрон 7,дйоди стабистор 10.обеспечивает миниеобходимый для поддвра во включенном состоя3нии. Резистор 5 и диод 8 предохраняют управляющий электрод тиристора отимпульсов отрицательной полярности.Резисторы 2 и 5 обеспечивают неооходимые режимы работы стабистора 510 и стабилитрона 7.Резистор Ф уменьшает входное сопротивление ячейки для малых сигналов и помех.Через сердечник трансформатора 6 10проводятся шины ПЗУ, построенногона ячейках. размер трансформатораопределяется проходящих через негошин и зависит от числа слов...

Номер патента: 452036

Опубликовано: 30.11.1974

Авторы: Долкарт, Евдолюк, Каневский, Крамфус, Новик, Степанов

МПК: G11C 29/00

Метки: защиты, памяти

...1.Устройство работает следующим образом.Перед пуском программ пользователяоперационный блок 1 устанавливает в первоначальное состояние регистр защиты 2 и Ьрегистр 3. Регистр защиты 2 определяетобъем памяти, отведенной программампользователя. Число "единиц в регистрезашиты 2 определяет, какое количествостарших разрядов адреса в программах 10пользователя должно быть нулями (защищено от пользователя) и таким образом,определяет область памяти, отведеннуюпользователю,Например, если два старших разряда 15регистра зашиты 3 установлены в "1, тоэто означает, что программам пользователя отведена четверть памяти и используемые ими адреса, которые устанавливаютсяв адресном регистре 4, должны иметь вдвух старших разрядах "нулиф.Если в защищенных...

Номер патента: 453741

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Владимиров, Государственное

МПК: G11C 29/00

Метки: блоке, защиты, информации, оперативной, памяти

...потенциала, через конденсаторы 4 и диоды 5 объединена с минусом источника постоянного напряжения У Выходная обмотка б присоединена ко входу 10 усилителя 7, выход которого присоединен кблоку управления оперативной памятью 8, которыи соединен с блоком 9 оперативной памяти.Работа предложенного устройства протека ет следующим образом.В исходном состоянии блок эталонного напряжения смещения 10, подключенный через ограничительный резистор 11 к обмотке смещения 2, создает ток смещения. Величиной 20 этого тока смещения регулирует порог чувствительности к броскам по пптаншо устройства для защиты информации в блоке оперативной памяти. В произвольный момент времени , по цепи питания появляется бросок по ложительной или отрицательной...

Номер патента: 454561

Опубликовано: 25.12.1974

Авторы: Горячева, Киреева

МПК: G06F 17/30

Метки: доступом, информационного, памяти, поиска, признаку, произвольным

...в котором должен находиться иском 1 кол, не найден ц следмет обратиться к слелующему коду списка. Для этого процзволптся обращение на запись ццфопмэццц цз Чэзрялов с (11 - юг+1)-го по (и. -дачи 20 поступает в регистр свободных ячеек 18, информация из регистра свободных ячеек 17 по каналу передачи 30 поступает в разряды регистра числа 6, а информация из разрядов с (т+1)-го по (т+су)-ый входного регистра по каналу передачи 71 - в разряды регистра числа 6. Далее производится обращение на запись информации из регистра числа 6 в накопитель 12. По окончании чтения информация из регистра свободных ячеек 17 по каналам связи 25, 26 поступает в регистры адреса 9, 10.Старшие разряды регистров адреса 9, 1 О устанавливаются в состояние О. Далее...

Номер патента: 455373

Опубликовано: 30.12.1974

Авторы: Голованевский, Коган, Новиков, Тильман

МПК: G11C 11/02, G11C 11/401

Метки: динамической, информации, памяти, представлением, фазоимпульным

...в действие.Далее тактовый сигнал 14 подготавливает элемент 2, а другие тактовые сигналы - остальные элементы, причем перед подготовкой эти элементы считываются предшествующими тактовыми сигналами. Так элемент и считывается сигналом Ь -н, а затем подготавливается сигналом 1 элемент 1 считывается тактом 1, и подготавливается тактом . Таким образом, к моменту прихода сигнала 1, все элементы 1 - и оказываются подготовленными.Сигнал 1 э вызывает срабатывание элемента 2, а его выходной сигнал - срабатывание остальных элементов. Динамическая память пере ключается на устойчивую генерацию сигналовв такте 1 з.Аналогично память переводится в любоедругое состояние, причем новое состояние памяти определяется только переключающим 10 сигналом и не...

Номер патента: 458828

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Белова, Лукашов, Смирнов

МПК: G06F 13/18, G06F 9/50

Метки: блочной, памяти, приоритета

...сигналы, определяющие состояние блоков памяти. Уровень логической 1 определяет свободное состояние блока.По линии 34 подается сигнал синхронизации. Этот сигнал обеспечивает появление выходных сигналов устройства приоритета в определенный момент времени. Кроме того, этот сигнал определяет правильную работу комбинационной схемы устройства приоритета, так как подается после окончания переходных процессов в устройстве.Дешифраторы 35 - 38 дешифрируют коды номеров блоков, адресуемых в запросах. Коды номеров блоков поступают по линиям 12, 13 от источников первой группы, по линиям 14, 15 - от источников й-й группы. По линиям 16, 17 поступают сигналы, наличия запросов от источников первой ,группы, а по линиям 18, 19 - сигналы ,наличия запросов от...

Номер патента: 462216

Опубликовано: 28.02.1975

Авторы: Безродный, Иваненко

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговой, памяти, ячейка

...управля 1 ощпх сигналов,Ячейка аналоговой памяти, содержащая юч на МОП-транзисторе, исток которого дключен к источнику входного сигнала,Изобретение относится к области вычислительной техники,Известна ячейка аналоговой памяти, содержащая конденсатор, ключ ца МОП-транзисторе, шину управления ключом, причем исток (вход) МОП-транзистора,подключен к источнику входного сигнала, сток (выход) - к конденсатору, а затвор (управляющий вход) - к шине управления.Однако в подобной схеме при переключе- то ции МОП-транзистора фронт управляющего импульса через паразитную емкость затвор- сток поступает в цепь переключаемого сигнала и подзаряжает конденсатор, что приводит к снижению точности запоминания. 15Цель изобретения - повышение точности запоминания...

Номер патента: 464019

Опубликовано: 15.03.1975

Авторы: Голоборщенко, Ероховец, Савкин, Трофимов

МПК: G11C 29/00

Метки: матриц, памяти

...блок управлеиия печатью, и соответственно блок печати 4 отпечатывает один знак, например +, определяющий неработоспособность контол:руемой матрицы 10. Прц совпадении записанной и считанноц информации блок 5 выявления сбоев вырабатывает другой сигнал, например низкий уровень, в результате чего блок печати 4 отпечатывает другой знак, например , определяющий работоспособность контролируемой матрицы 10.Первым сигналом совпадения записанной и считанной информации в контролируемом обходе всех адресов матрицы 10 триггер 7 через схему НЕ 8 устанавливается в единичное состояние, и с его выхода ца схему И 9 подается разрешающий уровень прохождения через нее сигнала несоответствия с выхода блока выявления сбоев. Прц последовательном поступлении с...

Номер патента: 465655

Опубликовано: 30.03.1975

Авторы: Закроищиков, Останков

МПК: G11C 11/00

Метки: входом, многоустойчивый, памяти, счетным, элемент

...и третьей групп, а управляющая шина 25 соединена с одним из входов каждого логического элемента И - НЕ второй группы.На чертеже приведена логическая схемамногоустойчивого элемента памяти со счетным входом, где 1, 2, 3 - логические схемы 0 И - НЕ первой группы; 4, 5, 6 - логичеЛогические состояния схем (И - НЕ Выход элементов И - НЕ Значениена шинеГИ 3 4 5 б О 1 1 1 О О Во избежание состязаний выход схемы И - НЕ 2 соединен с входом схемы И - НЕ 3, Соединение каждой схемы И - НЕ второй группы большого номера со схемой И - НЕ этой же группы, но номер которой на единицу меньше, препятствует двойному срабатыванию устройства за время одного импульса счета.На чертеже шина установки начального состояния условно не показана. Она должна быть...

Номер патента: 466550

Опубликовано: 05.04.1975

Авторы: Назаров, Трусевич

МПК: G11C 11/38

Метки: памяти, туннельно-диодно-транзисторная, ячейка

...низковольтном. Так как транзистор нагрузки 14 заперт (тактовое напряжение в его базовой цепи отсутствует), то весь ток транзистора записи 13 используется для записи на М аналогичных ячеек,При подаче отрицатпульса транзистор считтоком переводит диода диод 11 - в высокстояние.Отрицательный переренцируется конденсаттом отпирает следующДиод 9 в эмиттерной цвания 12 заперт, еслинулевом (высоковол466550 Предмет изобретения Составитель Ю, Трусевич едактор Л. Утехина Техред Е. Подурушина Корректор Н. АукЗаказ 143515ЦНИИ Тираж 648Совета Министрои открытийя наб., д. 4/5 Изд, Ме 643осударственного комитет по делам изобретени Москва, Ж, Раушс ПодписпоСССР пография, пр, Сапунова, 2 транзистор записи 13 считывает со следующих Ж - 1 ячеек, из которых...

Номер патента: 467405

Опубликовано: 15.04.1975

Автор: Багдасарьянц

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39, G11C 19/34 ...

Метки: многостабильная, памяти, ячейка

...диода 9, шунтируя последний, а эмиттером - с шиной нулевого по тенциала. Позицией 11 обозначен базовый вывод транзистора 6, поз. 12 - базовый вывод транзистора 10.Схема многостабильной ячейки памяти работает следующим образом (рассмотрение 15 проводится для случая трех стабильных состояний). Включение тетристора во второе состояние(основное открытое состояние) осуществляет ся подачей положительного сигнала на первыйуправляющий электрод. Дальнейшее увеличение тока 1 через открытый тетристор 1 не изменяет его состояния, пока величина 1 остается меньше значения тока переключения 1 р.25 Когда ток через открытый тетристор 1 достигает значения 1 п,р, происходит выключение туннельного диода 9 и переход тетристора 1 во второе открытое...

Номер патента: 469992

Опубликовано: 05.05.1975

Авторы: Лозинский, Осипов, Ровинский, Фолманис

МПК: G11C 11/42

Метки: матрица, оптической, памяти

...по отношению к рабочему материалу внутри ячеек. При этом вещество, окружающее ячейки хотя бы с однойиз сторон, должно быть прозрачно для лучалазера. Размеры ячеек должны быть соизме 1 О римы с размерами экспериментально наблюдаемых проводяших шнуров в рабочем материале (обычно 5 мкм). В предлагаемой матрицеразмеры ячеек в трех измерениях должныбыть от 1 до 5 мкм.15 На чертеже показана матрица,Матрица состоит из подложки 1, термостойкого вещества 2, ячейки 3 с рабочим материалом и защитного покрытия 4,При записи и стирании информации с помощью луча лазера происходит импульсный нагрев и затем быстрое охлаждение локальныхмикрообъемов слоя рабочего материала, что ивызывает фазовые переходы в нем (аморфный - кристаллический - жидкий -...

Номер патента: 471608

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Багаутинов, Журавлев, Маругин, Савельев, Троп

МПК: G11C 11/52

Метки: памяти, ячейка

...к обмотке реле сброса.Ячейка памяти работает следующим образомм.25 Если в ячейке памяти записипа вход ячейки не был подан,ном замыкании контактов 14 гпульсного питания в ячейке бувать только реле сброса. Обмозо мяти и обмотка 4 дополнительедактор Е. Гонч ираж 648 Изд, Мо 833 каз 2311/ ипография, пр. Сапунова мяти будут постоянно обесточены. Запись 1 в ячейку памяти производится подачей на вход ячейки плюс источника питания после замыкания цепи питания обмотки 7 реле сброса через контакты 14 генератора импульсного питания.При этом дополнительное реле памяти срабатывает, замыкает контакты 5 и становится на самоблокировку от плюс источника питания через контакты 6 и контакты 2 реле памяти.Так как на обмотку 7 реле сброса подано напряжение,...

Номер патента: 473217

Опубликовано: 05.06.1975

Авторы: Мягкий, Немшилов, Сулин

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативного, матрица, памяти, параллельного, процессора

Номер патента: 474849

Опубликовано: 25.06.1975

Авторы: Остапенко, Панев, Степанов, Яковлев

МПК: G11C 11/08

Метки: памяти, элемент

...слоев 9.10 и 12 равны. Площади сечений, перемычек474849 1 2 5 а и 1 одинаковы и в два раза больше площадей сечений каждой из перемычек Ь, с, е, 1.Устройство работает следующим образом При считывании информации по числовой шине 5 считывания подают импульс тока счгитызання 1,. При этом перемычка (фнг. 1, 2) из размагничеиного состояния (фгиг. 2,б) намагничивается до насыщения в направлении, юиказанном на фланг, 2, в. Согласно закону непрерьгвности магнитного потока, магнитный поток геремычки а замыкается через перемычку с, намагниченность которой изменилась на противоположную. Намагггпченность остальных перемычек осталась прежней. В результате изменения намагниченности перемычгки Ы при действни тока 1 в выходной шине 4 индуктируется...

Номер патента: 478362

Опубликовано: 25.07.1975

Авторы: Крыхтин, Лобода, Максименко, Страхов

МПК: G11C 11/50

Метки: контакте, магнитоуправляемом, памяти, элемент

...ЮЩОЕСЯ ПЕШ)ЕМ дновременно выходным о, напряжению, К кпеммвеобходимости возможно СОро м 14 нодк) спев кон- етствен н 15 11 зобретеие относится к давтоматике и вычиспитепьнойможет быть использовано приз;пои 1 а 10 ших устройств,1 овеетый элемент памятино к эмиттеру и базе тр 1 шзисУПРс 51 ЯЕМОМ КОтаКТЕ, СО,К)Рс Об)с 0)ками и Язычковое РепЕ 1 ОЗ 50)5 ИТ ИМЕТЬ СЧЕ 1 ЫЙ1)1 Ь И НУПЬСПЫЕ ВЫХОДНЫЕ Симеиь бопьшои диапазон комнтоков и напряжений,Пель изобретения - рас)пщ.примееия элемента памяти,Эо достигается тем, что которого через нагрузочный резистор со:-дине с началом коппекторой, Обмотки; вход пинии задержки соединен с концом Обмотки подготовки, а выход пипи 1 задер,),ки подключен к концу входной обдл 01 ки, ачапо которой соединено с...

Номер патента: 480113

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Савин, Шахнов

МПК: G11C 11/14

Метки: матрица, памяти

...- повышение плотности размещения информации. Поставленная цель достигается тем, что токопроводящие шины выполнены из гибкой тонкой металлической 20 фольги и укреплены на жестком основании с упругой прокладкой. Проволочные подложки с магнитным покрытием помещают между группами верхних и нижних токопроводящих шин, которые вследствие деформации 25 упругой прокладки охватывают проволочные подложки.На чертеже изображена предложенная матрица.30 Проволочные подложки с магнитным покрытием 1 размещены между верхней и нижыей гру.-.пой,плоских токопроводящих шин 2, выполненных из тонкой гибкой металлической фольги, закрепленной на жестком основании 3 с упругой прокладкой 4. Вследствие деформации упругой прокладки печатные токопроводящие шины...

Номер патента: 481068

Опубликовано: 15.08.1975

Автор: Лебедев

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговой, памяти, ячейка

...5;сТОКОВОГО ПОВТОрИТС,151 И К КО.дсиояору 1,ВТОРДЯ ООКЛЯД 1(Я 1 ОТОРОГО ПОДСОСДИПСпс и 00 цРЙ тоси(с схсх ы. Вь(ход 13 5 ск пдх 5 Тичерез резистор 7 соедппсп с п(шертпрующ(иБходо)м 12 усилитРГ 15 1, 2 срсз рсзпстср 8с сго пеинвертирующим зходс) 11 112 руз 1(Он ПСТ 01(ОБОГО ПОВТО)ИТСЧ 51 СЛ"К,Т )СЗПС ГОРРсзпстор 8 подсосдипсп.15) 3".3 ппс Г" и.цпальпым точкам 1-1 и 15 Входа 11 11 вь:х,:.13 51 чсйкиПри рассмотрении работы схс):ы:)сдполягается, что операционный услитсл: :с нс.РСО 151;Т ТОК, ИМС ОССКОПРНО ООЛЬП(ОС Сипение и подавление сип(1)дзпогс с;г:(дла .угсвое выходное сопротпвле;1:е. 11 рдктнчеспОтс(ЕСтВЕППОй ИРОМЫЦЛЕШОСтЬ;О В:1:УСсЧСТСЛРЯД УСИЛИтЕЛЕй В ПНТЕГРсЧЛЬПОМ:(СПО ЦЕИц Сдостаточным нриблиткеПем доГСтво) 5:ощпм...

Номер патента: 481941

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Березин, Маковий, Онищенко, Петров, Федоров, Шагурин

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральный, памяти, элемент

...с продоль и двух и-р-и транзисторовПервый р-и-р транэпст эмиттером к адресной ши первой разрядной шине 3, к первой узловой точке 4 транзистор 5 подключен э адресной шине 2, базойрядной шине 6, коллектор узловой точке 7. Один и. 8 подключен эмиттером к481941 20 СоставительОн щедактор О,Степина рекред Н ан ва Корректор аказ Зозд. М ЯИИП осударственного комитетапо делам изобретений и Москва, 113035, Раушск овета Мтир ытийнаб 4 Предприятие Патент, Москва, Г.Б 9, Ьерекковскаи наб., 24 рядной шине Э, базой - к первой узловойточке 4, коллектором - ко второй узло",вой точке 7. Другой и-р-п транзистор9 подключен эмиттером ко второй.разрядной шине 6, базой - ко второй узловой точке 7, коллектором - к первойузловой точке 4,В режиме хранения на...

Номер патента: 482747

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Алишанкене, Кишунас, Стульгис, Умбрасас

МПК: G06F 13/00

Метки: блоков, выборки, опроса, памяти, последовательного

...ь к каналу 8 тактовых импульсов, а вторые итретьи входы - соответственно к регистру 2сканирования и блоку 3 разрешения опроса.Выход элементов И связан с третьим входом регистра 1 выборки.Устройство работает следующим образом,При выполнении команд типа Управление(по этой команде блок памяти подготавливается к обмену информацией с процессором)на регистр 1 поступают сигналы выборки, определяющие блок памяти, который долженвыбираться для выполнения команд. С регистра 1 выдается сигнал выборки на соответствующий блок памяти и на соответствующий разряд регистра 2 сканирования, Приэтом содержимое регистра выборки переписы482747 За но пография, пр. Сапунова, 2 вается в регистр сканирования, а к выбранному блоку памяти передается команда...

Номер патента: 483709

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Андреева, Коломиец, Лебедев, Таксами, Шпунт

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...примесью металла, в частности, оксидных стекол и халькогенидных стекол системы бе - % - Аз - Те - Яе. Электроды 2, 4 могут быть выполнены из графита, молибдена, вольфрама и т. д.Элемент работает следующим образом.При подаче синусоидального напряжения при отрицательной полярности на электроде 4, со стороны которого введена примесь, ВАХ имеет участок отрицательного сопротивления У-типа; при положительной полярности на электроде 4 - на ВАХ - участок отрицательного сопротивления 5-типа (полярность напряжения соответствует знаку напряжения на электроде 4). ВАХ описываемого устройства, как видно из фиг. 2, имеет явно выраженную несимметричную форму. Статическая ВАХ устройства также несимметрична и имеет вид, представленный на фиг. 3....

Номер патента: 483710

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Баринов, Контарев, Крамаренко, Мошкин, Орликовский

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...диффузионными областями, Такая ячейка памяти изготовляется в одном изолированном кармане в эпитаксиальной пленке п-типа со скрытым сильно легированным и+-слоем, расположенной на подложке р-типа проводимости, В эпитаксиальной пленке созданы базовые и инжектирующая области р-типа, причем каждая базовая область содержит по две коллекторные области. Скрытый п+-слой расположен под всей структурой и служит сильно легированным эмиттером п - р - п-транзисторов, которые в этом случае работают в инверсном режиме. Низкая помехоустойчивость известной структуры обусловлена наличием больших паразитных токов в разрядных шинах,Целью изобретения является разработка структуры ячейки памяти, совмещающей триггерные транзисторы с высокими инверсными...

Номер патента: 483714

Опубликовано: 05.09.1975

Автор: Дрожжин

МПК: G11C 27/00

Метки: диодно-конденсаторная, памяти, ячейка

...стирания, 11потьчщиял точки а, И, - напряжение зяпомиилющего конденсатора,("1 Составитель Р. Яворская Техрсд Т. Миронова Корректор Н. Лебедева Редактор В, фельдма Заказ 3006/18ЦНИИП Изд.987 Государственного по делам изо Москва, Ж, Тирани 648комитета Совета Мннистробретений и открытийРаушская наб., д. 45 ПодписноССР я, пр Сапунова,ипог При соответствующем выборе параметров коректирующей цепи выходное напряжение схемы с некоторым приближением равно уровню, запоминаемому на конденсаторе памяти 6. В результате обратное напряжение, прикладываемое к диоду 4, и его ток утечки в значительной степени снижаются и в идеальном случае равны 0.Ток утечки через диод 2 снижается при включении диода 3 между выходом схемы и анодом диода 2. Реально...

Номер патента: 484569

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Займак, Звягинцев

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, оперативной, памяти

...выбранного элемента блока 5 заканчивается, регистр 3 изменяет содержимое регистра 2 и через дешифратор б повторяет набор тестовых опсраций на элементе следующего адреса и т. д. в сстественном последовательном порядке, пока не будут проведены элементы всех адрссов блока 5, Информационные сигналы с блока 5 через усилитель считывания 9 поступают на блок для визуального или автоматического контроля (на чертеже не показан).Возможна работа устройства в рехкнме внешнего управления, когда коды тестовых операций поступают на регистр 3 от вычислительной машины или оператора. Устройство лля контроля блоков оперативной памяти, содержащее блок формирования 5 управляющих токов, выходы которого подключены к выходным шинам устройства, а входы - к...

Номер патента: 486376

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Шагивалеев, Щетинин

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...и 8запрещающий, С подачеЧ 10 па один из вкодов 11, 12 адресцого сигналасчитывания ца информационных шццак 2, 3 появляется соотвсгсгвующцй слцццчному значению сигнал. При поступлении адресного сигнала считывания па вкод 10 элемента 4 15 информация в шццс 1 устанавливается толькопри наличии строоирующего сигнала на входе 9. В случае подачи на вход 14 адресного сигнала считывания в шине 2 образуется инверсное значение кол, хранящегося в триггере 16.20 Информационные шины 1, 2, 3 могут обьслипяться с аналогичными шинами другцк ячсск системы.Иа входы 17, 18 ц 20 подаются адресныесигналы записи, ца вкоды 19 ц 21 -- стробиру ющие сигналы за 1 иси. Г 1 ри подаче, например,на вход 17 адресного сигнала записи сигнал с шины 1, соответствующий...

Номер патента: 486380

Опубликовано: 30.09.1975

Автор: Беляев

МПК: G11C 25/00

Метки: памяти, струйный, турбулентный, элемент

...ламинарная струя 5 проходит через конус 9 к приемному соплу2. На выходе элемента памяти имеется давление Р=Р,. При этом поперечная струя из дополнительного питающего сопла 3, расположенного в непосредственной близости О деред приемным соплом, не успевает турбулизировать ламинарную струю, Состояние записано (на выходе элемента давление Р=Рманс) сохраняется до тех пор, пока через сопло 6 не будет подан пневматический 5 сигнал управления на стирание, Поперечнаяструя сигнала из сопла 6 соударяется с ламинарной струей, вытекающей из сопла 1 и разбивает ее так, что она турбулизируется, дорасширяется конусом 9 и раосеивается 20 (см. фиг. 2). В результате выходное давление падает врактически до нуля (Р=О), Одновременно с этим струя, выходящая...