Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 1709395

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Качанко, Сигалов, Фараджев

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, обнаружения, ошибок, памяти, программ

...из "0" В "1" триггера 111 одна-ВИЛрэтор 14 формирует падокитедьный импу.",ьс, который прибавляет:"116 и через элемент И,11 И 19 поступает нэ Вход ээписи блока 2 пэмЯти. В блоке 2 памяти по адресу считывания записывается 5 10 20 25 30 5 40 45 единичное значение с триггера 10. Если пралсходит обращение к ячейке памяти, к которой уже обращались, то содержимое соответствующего адреса блока 2 памяти равно единице, Следовательно, на выходе сумматора 15 присутствует нулевой потенциал и содержимое данного адреса повторно не накапливается в сумматоре 4, Кроме того, в счетчике 16 не учитыва 1 атся многократные обращения к одним и тем же адресам, счетчик 16 считает только первое абрэщен 1 ле по каждому иэ адресов, Пасде того, как было обращение...

Номер патента: 1711235

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Асадчев, Вельмакин, Исаев

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, тестов, формирования

...Уровень "Лог-,1" на выходе 28 запускает генератор 1 импульсов, Значения сигналов на выходах 29 и 30 управляют выбором частоты синхроимпульсов тестирования в блоке 2 деления частотыв соответствии с табл.1. Сигнал с выхода 31 регистра 12 управляет направлением пере- бора адресов. При уровне "Лог;О" происходит нарастание кода адреса, а при уровне "Лог.1" - убывание кода адреса, Сигналы с выходов 32 и 33 управляют длительностьютеста в соответствии с табл.2. Первый - чет вертый информационные входы первог мультиплексора 5 йодключен ы соответст венно к первому 48 - четвертому 51 выходами старших разрядов,счетчика 4 адреса. Сиг нал "Лог.О" с выхода 34.подключает адрес ный выход. 17 устройстваинформационному выходу 19:и второиу вы ходу 52...

Номер патента: 1714609

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Август, Гноевая, Зыков

МПК: G06F 11/26, G11C 29/00

Метки: блока, оперативной, памяти, теста, формирования

...параллельным 40занесением информации в регистр 22, информация с регистра 27 заносится в регистр22, Содержимое регистра 22 и информацияс выхода коммутатора 8 складываются всумматоре 23, и по спаду сигнала обращения, поступающего на вход управления параллельным занесением информации,сумма заносится в регистр 27. Если не возникает сигнала переноса при сложении всумматоре 23, то по спаду сигнала обращения на инверсном выходе триггера 29 устанавливается сигнал "1". Этот сигналпоступает на второй вход элемента И 30, напервый вход которого подается сигнал свхода управления суммированием блока 7 55суммированию, При этом на выходе переноса блока 7 суммирования устанавливаетсясигнал "1",Если при сложении в сумматоре 23 возникает сигнал...

Номер патента: 1716524

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Скакун, Фукалов

МПК: G06F 12/00

Метки: памяти, распределения

...дешифратор сегментов памяти, Потенциалы единичного4, первую 5 и вторую 6 группы дешифрато- уровня с выходов элементов И 311, 3021ров, блок 7 анализа, блок 8 коммутации, проходят через соответствующие элементыэлемент 9 задержки, элемент НЕ 10, эле- ИЛИ 33, 332 и поступают на первые входымент И-НЕ 11. второй 12 и первый 13 зле- первого и второго столбцов матрицы элементы И, вход 14 запуска, входы 15 размера ментов И 34. Это означает, что в матрицетребуемой памяти, входы 16 размеров сег- выбираются начальные адреса, соответстментов памяти, входы 17 начальных адре- вующие только первому и второму сегменсов сегментов памяти, внутренние связи 45 там памяти.18 - 23, выходы 24 номера предоставляемого Допустим, потенциалы единичногосегмента...

Номер патента: 1716525

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Байков, Кислинский, Коробко, Фомичева

МПК: G06F 12/04

Метки: адреса, памяти, формирования

...управляющими входами коммутаторов 4 и 5, второй и третий входы режима адресации 18 устройства соединены с входами установки в "1" и "0" триггера 9 соответственно. Инверсный выход триггера 9 соединен с первым входом элемента ИЛИ-НЕ 10, второй вход которого соединен с выходом переноса старшего из сумматоров 3 (Ь), выход элемента ИЛИ-НЕ 10 соединен с вторыми управляющими входами коммутаторов 4, Выход регистра 7 модификации соединен с входами дешифратора 8, выходы которого соединены с еторыми входами сумматоров 3,Дополнительно устройство (фиг. 2) содержит второй триггер 19, второй элемент , ИЛИ-НЕ 20, элемент И 21, регистр 22 формата элементов массиве (РФ) и коммутатор 23 переносов (КП). Информационные входы . 11 устройства соединены с...

Номер патента: 1716569

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Волков, Гомзина, Зиборов, Савотин

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменной, доменов, магнитных, памяти, считывания, узел, цилиндрических

...расширитель доменов, магнитно объединяющий обе разделенные части расширителя и аннигилятор доменов. Такое конструктивное выполнение узла считывания ЦМД повышает частотные свойства каждой части и дает воэможность увеличить считанный сигнал, так как детекторы обеих разделенных частей соединены через аннигилятор последовательно друг с другом, а подвижность двух укороченных доменов, синхронно проходящих. по каждой части расширителя, выше, чем подвижность одного длинного домена, проходящего через неразделенный расширитель и длиннь 1 й детектор,Сущность предложенного технического решения поясняется при помощи фиг,1 и 2,Узел 1 считывания ЦМД фиг.1) содержит детектор 2 доменов, расширитель 3 доменов из ферромагнитных аппликаций шевронной...

Номер патента: 1716573

Опубликовано: 28.02.1992

Авторы: Грибалев, Евстафьев, Кузьмин, Маслов, Орлова

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, защиты, информации, отключении, памяти, питания

...тока защелки, вход которого соединен с выходом основного источника питания и входом первого формирователя сигнала блокировки,Известно, что возникновение тиристорного эффекта в накопителе на К-МОП структурах приводит к тепловому разрушению БИС запоминающего устройства, а также может привести к отказу работы элементов устройства, включенных последовательно с накопителем, Поэтому для повышения надежности в работе в устройство введены элементы, устраняющие указанный эффект.На фиг.1 представлено запоминающее устройство с сохранением информации при40 ки сигналов с выхода элемента И 4 и запросазапоминающего устройства выходной сигнал формируется с временной задержкой.При снижении напряжения в цепи питания накопителя из-за отключения...

Номер патента: 1718225

Опубликовано: 07.03.1992

Автор: Гаврилов

МПК: G06F 13/00

Метки: «диспетчер», памяти, эвм

...- переключение происходит сразу после выполнения команды, на которой пришел сигнал по входу 2; далее также, как это указано выше.Введение триггера 35 с соответствующими связями обеспечивает то, что инициирование переключения с уровня пользователя на уровень супервизора происходит без использования сигнала %ТА/, что позволяет использовать заявляемое устройство в системах, не использующих контроллер прерывания (8259), Это расширяет область применения устройства.Содержимое блока 18 памяти приведено на фиг. 7. Блок 18 выполняется в виде ПЗУ. Первые два разряда определяют длину команды; 00 - однобайтная, 01 - двухбайтная, 11 - трехбайтная; Третий разряд определяет команду, инициирующий переключение на уровень пользователя с уровня...

Номер патента: 1718275

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Борисов, Исаев, Константинов, Константиновский, Огнев

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативной, памяти, ячейка

...опроса ячейки по строке - соответственно вторые входы третьего 3 и пятого 5 элементов И-НЕ. Выходы первого 2 и второго 4 элементов И-НЕ объединены и являются выходом 18 ассоциативного поиска ячейки по строке, а объединенные выходы третьего 3 и пятого 5 элементов И-НЕ являются выходом 19 ассоциативного поиска ячейки по столбцу, Кроме того, выход 18 ассоциативного поиска ячейки по строке, являющийся выходом указанных элементов И-НЕ ячеек соответствующей строки ассоциативной памяти, через первый ограничительный элемент 20 подключен к входу 21потенциала логической "1". Выход 19 ассоциативного поиска ячейки по столбцу, являющийся выходом вышеуказанных35 45 50 элементов И-НЕ ячеек соответствующего столбца ассоциативной памяти, через...

Номер патента: 1725255

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Горохов, Драчук, Иванов, Косов, Савельев

МПК: G11C 11/14

Метки: генератор, доменной, памяти, сигналов, токов, управляющих, формирования

...5 зеркально его напряжению в первом цикле в силу зеркальности состояний сдвигового регистра в этих циклах. Поэтому в течение первого и второго циклов работы на выходе преобразователя 5 формируется ступенча-. тое напряжение, середины ступенек которого соответствуют положительной полуволне синусоидального напряжения - напряжению первой полуволны. Аналогичным образом в третьем и четвертом циклах работы на выходе преобразователя 5 формируется напряжение второй полуволны, в точности повторяющее напряжение первой полуволны,С выхода преобразователя 5 напряжение двух полуволн поступает на сигнальный вход коммутатора 12, управляемого логическими элементами И 19 и 20. В отсутствии (низком уровне) стартстопного сигнала на входной шине 24...

Номер патента: 1725846

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дамбаев, Соловьев

МПК: A61B 17/00

Метки: каркас, обладающего, памяти, формы, эффектом

...плоскостях и образуют замкнутый контур, в котором конец первого элемента сопряжен под прямым углом с началом второго, а конец второго элемента сопряжен под пря 1725846мым углом с началом первого, причем места сопряжения элементов пересекаются крест накрест.Способ осуществляют следующим образом.После лапаротомии и нахождения перфорационного отверстия к месту перфорации подводят большой сальник. Устройство, охлажденное орошением хлорэтилом и сжатое в виде эллипса, размещают в дупликатуре сальника (фиг. 2), после чего участок сальника с устройством погружают в желудок (фиг, 3). При нагревании устройство приобретает форму шара, Затем подтягивают сальник до соприкосновения его внутрижелудочной части с язвой (фиг, 4). Снаружи...

Номер патента: 1727173

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Горохов, Драчук, Коновалов

МПК: G11C 11/14

Метки: блок, доменной, памяти, питания

...Ез на его втором входе, и на выходе элемента 17 появляется сигнал единичного уровня, по которому уровень выходного сигнала элемента ИЛ И 18 изменяется с единичного на нулевой, Нулевой сигнал с выхода элемента ИЛИ 18 по второму входу элемен20 25 30 40 секунд), а выходное напряжение Е 1 источ 55 та И 19 запрещает формирование на шине 29 сигнала разрешения обращения к доменной памяти и одновременно переводит диод 23 несимметричного элемента 21 в непроводящее состояние. После отключения диода 23 накопленная в конденсаторе 24 элемента задержки 21 энергия удерживает коммутатор 6 в рабочем состоянии, задерживая отключение питающих доменную память напряжений на шинах 10 и 11 на время, необходимое для окончания незавершенных циклов работы...

Номер патента: 1727175

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Галкин, Квашенников, Шабанов

МПК: G11C 19/00, G11C 29/00

Метки: адресных, действия, коррекции, памяти, последовательного, сигналов

...выходе схемы отсутствует. Устройство работает в обычном режиме.При сбое в работе устройства на входы блока 3 сравнения поступают отличающиеся коды. С его выхода выдается сигнал несовпадения и при отсутствии сбоев регистра 1 адреса, которые контролируются схемой контроля четности 8, одновибратор 6 вырабатывает импульс.Длительность формируемого импульса определяется элементом 11 задержки. При наличии сигнала на установочном втором входе одновибратора 6, данный сигнал, после прохождения элементов ИЛИ - НЕ 10, задержки 11, поступает на вход элемента И 12 и является запрещающим, следовательно импульс, при поступлении сигнала с выхода блока 8 контроля четности, одновибратором 6 не формируется.Рассмотрим подробнее работу блока 5 элементов И...

Номер патента: 1730653

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Карлов, Кирюхин, Кудряшов, Мухортов

МПК: G09B 9/00

Метки: оператора, памяти, тренировки

...13, сменяя двоичные комбинации на его выходе, и через элемент 32, на вход которого подан нулевой потенциал с выхода триггера 30 (фиг.10 б), на вход распределителя 27, перемещая единичный потенциал на выходах последнего (фиг.10 ж),Единичный потенциал с выхода триггера 30 (фиг.10 б), поданный на элемент 31, блокирует вход распределителя 26,Появление на элементе И 28 единичного потенциала, на входе которого имеется единичный потенциал с выхода распределителя 26, вызовет появление на его выходе импульса (фиг.10 а), который через элемент ИЛИ 33 поступит на вход счетчика 19, произведя отсчет единицы через элемент ИЛИ 69, на вход триггера 64, перебросив его в единичное положение (фиг,10 в) и высветив транспарант 56 "Контроль" (фиг.10 и),...

Номер патента: 1730680

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Бичугов, Данильченко, Романов, Ромшин

МПК: G11C 7/00

Метки: блок, записи, информации, памяти

...блока 22 и записывает содержательную часть кодограммы по указанному адресу,Кроме того, тот же импульс с выхода элемента 32 задержки возвращает триггеры 9 - 11 в исходное состояние, а импульс с выхода 40 сигнализирует о готовности к приему очередной кодограммы,Вторая ситуация характеризуется тем, что коды в регистрах 1 и 5 из-за ошибок в передаче могут отличаться друг от друга. Тогда сигнал, фиксирующий факт неравенства кодов, появится на выходе В компаратора 6, По этому сигналу, во-первых, поступающему на синхровход регистра 4, код с регистра 1 записывается в регистр 4.Во-вторых, триггер 9 устанавливается в единичное состояние и открываетэлемент И 15.В-третьих, проходя через открытый висходном состоянии триггера 11 элемент И16, импульс...

Номер патента: 1735416

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Коваль, Неганов

МПК: C22C 9/01

Метки: меди, основе, памяти, сплав, формы, эффектом

...0,01 - 2,8Ванадий 0,03-0,5Бор 0,01 - 0,015Кремний 0,01 - 0,2Медь ОстальноеПредложенный сплав имеет также относительно низкую термостойкость и циклическую прочность при работе в ГРИС, Ужепосле 3500 ч работы в лампе типа ДНаТ имеет место аномальное изменение параметров мартенситного превращения в ТЧЭ.При этом в 2 - 3 раза увеличивается исходнаяширина гистерезиса мартенситного превращения, в 3 - 6 раз (в зависимости от химического состава сплава) снижается амплитудаперемещения подвижного контакта, в 2 - 4раза уменьшаются усилия, развиваемые ма-.териалом при изменении и восстановленииисходной формы. Это приводит к преждевременному отказу зажигания ГРИС,Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому техническому решению...

Номер патента: 1735857

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Боженко, Гриниха

МПК: G06F 12/16

Метки: динамической, памяти, распределения, регенерации

...14 устройс 1 ва, второй - к выходу коммутатора 6, а выход - к второму .адресному выходу 16 устройства.На фиг,2 обозначены: а - импульсырегенерации, поступающие на вход Яустройства, б - импульсы загрузкипамяти на входе 7, в - состояниетретьего сцетчика Зф г - выход заемапереноса счетчика 3", д - состояниевторого сцетчика 2, е - импульсы обращения к задействованной памяти навходе 9,1В реализованном варианте устройства счетчики 1 - 3 выполнены намикросхемах К 555 ИЕ 7, коммутаторы 46 - на К 555 КП 11,Устройство работает следующимобразом.фПервый счетцик 1 является счетчиком определения адреса столбца границы задействованной зоны памяти, вто-рой счетчик 2 - счетчиком определения адреса строки границы, третий,счетчик 3 является...

Номер патента: 1737457

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Боженко, Кондратов, Мешков

МПК: G06F 12/02

Метки: блоков, выборки, памяти

...л-н - первый, второй и седьмой выходы дешифратора 4; о-р - первый, второй и седьмой выходы регистра 7.Реализованный вариант устройства предназначен для адресации восьми блоков памяти. Элементы И 2 выполнены на микросхемах К 555 ЛАЗ, блок 3 памяти - на основе К 155 РУ 2, дешифратор 4 - на К 555 ИДЗ, шифратор 5 - на К 555 ИВ 1, элементы 6 эквивалентности - на К 555 ЛП 5. регистр 7 - на К 555 ТМ 8,Устройство работает следующим образом.Совокупность блоков памяти, подлежащих распределению, задается установкой в соответствующее состояние входов 1. "0" означает отключенное состояние адресуемого блока памяти, "1" - включенное. Перед началом работы производится начальная установка устройства по входу 12 и регистр 7 устанавливается в единичное...

Номер патента: 1737514

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Маринчук, Поплевин, Трошин, Чекмазов

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...предварительного резервирования, значительно упростив его по сравнению с известным,На чертеже приведена схема предлагаемого элемента памяти.Элемент памяти содержит транзисторы 1 - 4, образующие запоминающий элемент, второй ключевой транзистор 5, плавкую перемычку б, первый ключевой транзистор 7, элемент И 8,шину питания 9, вход предварительного резервирования 10, выход 11, шину нулевого потенциала 12, вход разрешения резервирования 13, адресный вход 14,Истоки 3 и 4 транзисторов запоминающего элемента соединены с шиной питания 9, а стоки транзисторов 2 и 3 с затворами транзисторов 1 и 4 и выходом элемента 11, Истоки транзисторов 1 и 2 запоминающего элемента подключены к шине нулевого потенциала 12 и истоку первого ключевого транзистора 7,...

Номер патента: 1739388

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Боженко, Мешков

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, зонами, памяти, регенерацией, свободными

...6, второго - к предпоследнему, последнего - к первому. Сумматоры 13 инвертируют код на информационном выходе шифратора 6. Тем самым наивысший приоритет присваивается последнему из "0" на выходах регистра 1 и на выходе 19 формируется код адреса наибольшего значения,По значению кода на выходах сумматоров 13 дешифратор 4 устанавливает "1" на том своем выходе, который соответствует этому коду. Элементы 5 производят сложение по ИЛИ унитарного кода дешифратора с содержанием регистра 2.По сигналам синхрогенератора 7 на выходе 14 задается период выборки динамической памяти, а счетчик 8 генерирует младшие разряды адреса столбцов, входящих в подлежащую регенерацию зоны, старшие разряды которых установлены на выходе 19. Если на выходе регистра 10...

Номер патента: 1740488

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Домрачев, Монасевич, Паскаль

МПК: C22F 1/18, C22F 3/00

Метки: восстановления, обладающего, памяти, формы, эффектом

...увеличени риала. ину из ТЮ с конценттолщиной б = 1 мм рмируют при 400 С, мнатной и выпрямлят буферную пластину из ТМ, Создают имтудойр=2 ГПа пучком 1740488 А напряжением мартенситной деформациипрочности материала и длительностью ипульса Лт в интервале(Т - Т)/ф /рс.с,где в 9 - дебаевская частота; Опл - удельная теплота плавления; р - плотность материала; Со - скорость распространения импульса давления в материале; с - толщина материала в направлении распространения импульса; С - теплоемкость; Тп, Т - температуры плавления материала и окружающей среды соответственно; р - среднее значение амплитуды импульса давления. В результате воздействия материал восстанавливает предварительно заданную форму. Способ позволяет вызывать восстановление...

Номер патента: 1741142

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Боженко, Мешков, Фегецин

МПК: G06F 12/08

Метки: адресации, памяти

...- на К 555 ИМ 6, мультиплексор 19 - на К 555 КП 11, регистры 20 и 21 - на К 555 ТМ 8, шинные формирователи 23 - на КР 580 ВА 86, остальные элементы также выполнены на серии К 555.Устройство работает следующим образом.При включении устройства микропроцессор (на фиг. 1 не приведен) по ШУ 13 устанавливает в течение нескольких тактов сигнал сброса по входу СБР КПДП 1 и входу сброса триггера 3, При этом сигнал блокировки с выхода ЗПТ КПДП 1 принимает значение "0", разрешая работу дешифратора 8, отключая выходы блоков 11 и 12 по их вторым управляющим входам от ША 15. КПДП 1 для работы одного из четырех его штатных каналов поддерживается находящимся в нем 16-разрядным регистром начального адреса (РА), в который заносится начальный адрес...

Номер патента: 1741611

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Тетсуя, Хисатоси, Ютака

МПК: C22C 38/02, C22C 38/16, C22C 38/18 ...

Метки: железа, основе, памяти, сплав, формы, эффектом

...0,1-20,0 мас.%,Кобальт представляет аустенитобразующий элемент и имеет функцию сделать исходную фазу сплава до приложения пластической деформации, исключительно состоящую из аустенитэ или главным обра5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 зом. аустенита в небольшого количества - мартенсита. Кроме того, кобальт не снижает точку МЯ, тогда как марганец, никель, кобальт и азот снижают точку МЯ, Поэтому кобальт является очень эффективным элементом для регулирования точки МЯ в требуемом температурном диапазоне, Однако при содержании кобальта ниже 0,1 мас.отребуемый эффект не достигается, С другой стороны, при содержании кобальта свыше 30,0 мас.% не достигается особенное улучшение упомянутого эффекта. Поэтому содержание кобальта должно быть...

Номер патента: 1742860

Опубликовано: 23.06.1992

Автор: Ребане

МПК: G11C 13/04

Метки: запоминающего, памяти, устройства, частотно-селективного, элементов

...плотность записина вторичном элементе повышается втакое число раз, в какое уменьшеноизображение. Процесс уменьшения изображения элемента с записанной информацией (или их совокупность) можновести также и многоступенчато, приэтом коэффициент пространственногоуплотнения равен произведения коэффициентов уменьшения на всех ступеняхпроцесса,Способ применим независимо отпространственной формы заполненногоинформацией участка на первичной пленке. Материалы пленок могут быть любыми, требуется чувствительность кфотовыжиганию на достаточно широкомучастке поглощения. Пленки могут бытьи многослойными, их поглощение можетбыть обеспечено одновременным введением примесей разной природы,На фиг, 1 изображена схема экспе"риментальной установки;...

Номер патента: 1079079

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...

Номер патента: 1149789

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гаштольд, Камбалин

МПК: G11C 11/40

Метки: варианты, его, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...подложкеодного тийа проводимости (55)иг.1)распопожены дигон,узионные области 2другого типа проводимости. ььа полупроводнь(ковОЙ подложкР с частичнымперекрытием одних краев областей 2рас.по 5 ьояен диэлектрическии слОи51 а ПОДЛОЖКЕ РаСГ 5 ОЛО 515 ЕНЬЬ ДИЭЛЕКтРИческий слой ьь с перекрытием краевОбластеи 2, а на нем - диэлектрический лОЙ 5. Оба этих слоя образуютзатворный диэлектрик, На затворномдиэлектрике находится проводящийэлеьтрод, состоящий из двух полупроводниковьх слоев 6 и 7, расположенных друг на друге и образующих р-г 5- переход Второй вариант (59 иг,2) отличдРтся От первого тРИ чтО полупроводниковые слои, образующие Р-л-переход, 1 ьасположены смежно Отььосительно друг друга.Рассмотрим .работу элемента памяти,огда...

Номер патента: 1159447

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Гладких, Камбалин, Сайбель, Титов

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...изобретения явпяе)слкение надеяности элемента пампт - ,сцет умень)ения колицеств:1 .ро 1при программированииЦель достигается тем, цто зле"мент памяти для постояннсго зас):ни .:ющего устройгтва, содер(аы Й по/ /г)(.ВОДНИКОВуО ПОдЛОжКу р-тИПа г р:. Во,) Иэ приповерхностнсм слое кото)О )гсГ)эло(ены три Области и-типаГ;ег) г)мост 4, на повер)п;Ости полу;)., "-л 4 КОВ)эк г)0/;.Г 30 к Расг)оло)4(ены,г 1 ЬЕ: Обестй П-тИПа Г)рОВОДИМОСт Г;( тЙ) диз пе кт рице сии Й слОЙ ра с, г,г , гЕ)Г)/у ГЕ ВОЙ и ТОРОЙ Обг)ВС,-г);с цг), гр) Оо.п;)ст 2,3 и- -,) ;г) -), 1,; ЛОЛУ и ровод"30.3-Г)жко Р:3 г).ГЭ)(Э ДИЗЛЕКтРИ, гЙ(. ЦастИЦНЫМ ПЕ 8 КРЬГГИ,) ЛП ( ".-:,.:, "г. р)Е)(Ду ОбЛа СТ яМИ 2-) 3 .)Еи 4( 441 ГРИ)гЕр, ИЗ ДВугз Н,4 П, НИ Грнда КРВМНИЛ р Дву"Си гзмн П...

Номер патента: 1748164

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Матюгин

МПК: G09B 9/00

Метки: памяти, тренировки

...не. начнет образно представлять себе, что на него в этот момент времени воздействует соответствующий этому символу звук, кожное воздействие и запах, В этом случае обучаемый задействует все элементы 21 коммутации (нажмет асе кнопки), что приведет к срабатыванию всех триггеров 19 и элемента И 20, сигнал с выхода которого обнулит счетчик 17, дешифратор 18 перейдет в нулевое состояние, сработает элемент 44 дифференцирования, обнулив счетчик 42, в результате чего сигнал на выходе преобразователя 43 пропадет и предъявление учебной информации прекратится, Кроме того, сигнал с элемента И 20 переведет триггер 58 в единичное состояние и засветится индикатор 59, сигнализируя обучаемому, что дан Фный информационный симвОл им закреплен, в течение...

Номер патента: 1124762

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Грищенко, Камбалин, Меерсон

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...постоянного запоми" нающ 7 его устройства, содер)ка 171 ем г)ог 7 упроводниковую пог 1 ло)кку первого тига проводимости, в приповерхностном слое которой расположены Области второго типа проводимости, образую,щ)ие р"а-переход, между Областями второго типа проводимости расположен первый-слой диэлектрика, выполненный. из двуокиси кремния толщиной 10-130 А, на поверхности которого размещен вто" рой слой диэлектрика, толиина которого превышает толщину перво.о слоя, иа поверхности второго слон расположен третий слой диэлектрика, выполненный из нитрида кремния тоггщиной в 20-100 раз больше толщины первогослоя, на котором расположен проводящий слой, в полупроводниковой подлож 1 а выполнено углуоление, боковыестенки которого рвспоу)ожены под...