Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 1663627

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Дудукин, Сычев

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...этом старшие разряды адреса пред-назначаются для выбора адаптера, амладшие для выбора регистра внутри адаптера.Формирование тестовых последовательностей в устройстве осуществляется программным способом с помощью ЭВМ.Перед началом работы устройства ЭВМзагружает регистры 2 и 3 кодами данных иадресов. В триггер 6 записывается код режима работы проверяемой памяти (первоначальная команда - "Запись" ). В регистр 7записывается код напряжений питания, поступающих на клеммы питания полупроводниковой памяти. В регистры блокаформирования временных диаграмм записываются коды значений переднего и заднего фронтов сигналов, управляющих работой проверяемой памяти. Триггеры 5,9, 13 и 34 устанавливаются в исходное состояние (цепи сброса не показаны), В...

Номер патента: 1667157

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Антокольский, Антонов, Кутырева, Юматов

МПК: G11C 29/00

Метки: адресных, действия, коррекции, памяти, последовательного, сигналов

...генератора 9 сформируется импульс счета, и состояние счетчиков 1 и 2 увеличится на 1, после чего повторится цикл чтения и анализа состояния следующей ячейки, При анализе состояния ячейки, запись в которую не производилась, блок 8, обнаружив код начальной установки, выдаст сигнал переключения триггера 5, После этого сигнал управления генератором 9 снимается. Адресные счетчики 1 и 2 останутся в состоянии, соответствующем адресу первой обнаруженной свободной ячейки (свободной ячейки с младшим адресом), и устройство готово к записи в блок памяти 20 информации.При записи информации блок 17 управления выдает данные, которые поступают на вход блока памяти 20. Одновременноформируется импульс "Запись", который через элемент ИЛИ 18 поступает в...

Номер патента: 1667159

Опубликовано: 30.07.1991

Автор: Шевченко

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти

...такой уровень, который разрешает прохождение через соответствующий элемент ИЛИ 5 группы сигналов того же разряда другого регистра, работающего в счетном режиме.Проверка памяти начинается с исходного нулевого адреса, передаваемого коммутатором в регистр 2. На выходе элементов ИЛИ 5 группы установлен адрес нулевого столбца и первой строки. По сигналам из блоков управления 7 и формирования тестов 8 запускаются триггер 9 и блок формирования,импульсов записи-чтения 10, и по двум адресам, определемым регистром 2, состоянием выходов элементов ИЛИ 5 группы и триггером 9, выполняется обращение, соответствующее данному тесту, Далее добавляется единица в регистр ", увеличивая адрес строки, и аналогичное обращение производится по новой паре...

Номер патента: 1672528

Опубликовано: 23.08.1991

Автор: Варламов

МПК: G11C 19/14

Метки: памяти, элемент

...включенном питании происходит запись информации в трансформатор 8 на ферритовую пластину. В этом режиме, если в триггер записан "0", эмиттерный ток открытого транзистора 3 замыкается на землю через шину 7. Этот ток, протекая по проводнику, который соединяет первый эмиттер открытого транзистора 3 с шиной 7, создает вокруг этого проводника электрическое поле, напряженность которого должна быть равна или превышать напряженность поля насыщения ферритовой пластинки трансформатора 8 и намагничивать ее до насыщенного состояния. Если в триггере информация после записи изменится, то откроется транзистор 4 и за счет того, что проводники, соединяющие первые эмиттеры и шину 7, подключены встречно, ток транзистора 4, протекая через вторичную...

Номер патента: 1672529

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Боженко, Гордиенко, Мешков

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, зонами, памяти, регенерации, свободными

...зон уст ройство переводится в режим регенерации сигналом на входе 11 устройства (см. Фиг, 3, й по которому триггер 4 устанавливаетгя в состояние 1 (см.фг,3,и), Вследсгвие этого симаютсч сигналы ус 1 эовк с триггера 19 и сброса - со счетчика 18, дешифратор 21 начинает выдавать управляющие синхроимпульсы, коммутатор 22 и элемент 17 разрешают их прохождение на выход блока 5, а коммутатор 23 блокирует инкремент счетчика 1 и запись в блок 3, По первому синхроимпульсу с дешифратора 21 коммутатор 22 выдает сигнал записи (см,фиг,З,л) в счетчик 2 адреса нижней границы зоны из той ячейки блока 3 памяти, которая соответствует состоянию счетчика 1, в которое он установился в результате внешнего обращения (см.фиг,З,н). Одновременно выдается сигнал...

Номер патента: 1674138

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Бычков, Горовая, Кондратьев

МПК: G06F 12/00

Метки: адресации, памяти

...инверсные входы второго операнда группы 5 дешифраторов, В результате на Выходе дешифратора 5-"; будет находиться код 1001, . а оде де., ифратора 5-2 - код 1001 дешифратора 5-.3 - 0101 и на входе дешифратора 5-4 - 1010.ПредполаГается, что с арам ему четвертсуму разэяду кОда нэ входе дешифэатора из Групы 5 соответствует прямОЙ ВКОД Оазэлда первого операнда, третьему разряду кода - инверсный вход разряде пеэвОГО операнда, второму - прямой вход разряда второго операнда и порво-.лу - инверсный код разряда первого операнда. Прп этом первым младшим разрядом кода регнс ров 1 и 2 соответствует дешифратор 5 - 1, вторым разрядам регистров - дешифратор 5 - 2, третьим 5 - 3 и четвертым - дешифратор 5-4, Тогда на выходах дешифраторов 5 - 1; 5 - 2, 5...

Номер патента: 1674256

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Романов

МПК: G11C 11/00

Метки: блока, выборки, информации, памяти

...через элемент 10 и элемент 12 задержки он поступает на тактовый вход сумматора 9, формирующего адрес считывания путем суммирования кода базового адреса и единицы реверсивного счетчика 4 и т.д,Таким образом, путем простого нажатия одной и той же клавиши оператор может просмотреть все справки по данной предметной области в режимелистания страниц. Если возникает необходимость вернуться к просмотру только что просмотренных данных, то оператор нажимает клавишу "Возврат" (не показана), сигнал с выхода которой поступает на вход 31 устройства и далее на один вход элемента 6, другой вход ром 7 и открывает элемент 6 по другому входу, Импульс с входа 3 проходит через элемент 6 на вычитающий выход реверсивного счетчика 4 и уменьшает его показания...

Номер патента: 1674259

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Горохов, Драчук, Иванов, Косов, Савельев, Шадрин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, импульсов, памяти, формирования

...реверсивного сдвигающего регистра 5, Форма сигнала на этом выходе определяется номиналами резисторов. Если все резисторы имеют один и тот же номинал, форма сигнала на этом выходе будет треугольной. Однако при соответствующих номиналах резисторов форма напряжения на выходе реверсивного сдвигающего регистра 5 будет близкой к (зп вс).Блок 6 защиты, обеспечивающий защиту блока 1 усилителей мощности импульсов тока 1 от останова .реверсивного сдвигаю- щего регистра 5, может быть построен, например, по схеме; изображенной на фиг,5,Очевидно, что при отсутствии сигнала на входе блока 6 защиты сигнал на выходе также отсутствует, что исключает протека 167425940 45 50 55 ние больших токов в блоке усилителей мощности,Блок 7 запуска, обеспечивающий...

Номер патента: 1674270

Опубликовано: 30.08.1991

Автор: Флейш

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...адреса блока 9 снимается сигнал разрешения рабаты счетчика 31 и устройство переходит к выполнению следующей микрокол анды, Запись тестов в проверяемый блок памяти также осуществляется под управлением ОЗУ 32 и 33 микрокоманд.Б этом режиме генераторы 2 и 3 импульсов и формирователь 4 управляющих сигналов через мультиплексор 5 обеспечивают запись тсстовых кодов и временную диаграмму работы основного информационного поля 19 проверяемого блока в соответствии с микрокамандами, хранимыми в ОЗУ 32 и 33, При записи кодов в проверяемый блок памяти информация, считываемая из запоминающего блока 9, через элементы ИЛИ 10 управляет коммутацией мультиплексора 5.При нулевой информации на выходе блока 9 тестовые коды проходят через мультиплексор 5 для...

Номер патента: 1558226

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Бабенко, Бех, Ткач, Чернецкий

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, информации, памяти, считывания

...42, 43 от источника питающего напряжения +Е(вывод 46), В момент времени соответствующий,сигналу с мостовой схемы 1 под воздействием управляющего импульса на входе 50 замыкается ключ 33 стробирования на время длительности полезного8226 50 55 155 сигнала При этом пара транзистора 25-26 благодаря подключению через источник 37 тока к источнику питания -Е (вывод 47) включается в режим усилителя и накопительные конденсаторы 42 и 43 разряжаются коллекторными токами этих транзисторов. В результате после завершения действия управляющего импульса на первом входе 50 стробирования на накопительных конденсаторах 42 и 43 устанавливаются напряжения, разносгь которых порпорциональна величине сигнала, поступившего с мостовой схемы 1 на входы...

Номер патента: 1679490

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Козелков, Лозбенев, Пархоменко

МПК: G06F 12/00

Метки: адресации, блоков, памяти

...блоков памяти), сумматор 2, дешифратор 3, шифратор 4, элементы И 5, адресный вход 6 и адресный выход 7.Устройство работает следующим образом.Логический адрес обращения к функционально законченному блоку(каналу ввода- вывода, процессору, блоку памяти) в начальный момент времени с выхода 6 через сумматор 2 поступает на дешифратор 3. Адресу обращения на входе 6 в этот момент соответствуют сигналы высокого уровня на выходах дешифратора 3 с 1-го по 1-й (1=1п), После этого по цепи обратной связи выходы дешифратора 3 - элементы И 5 - входы сумматора 2 - выход сумматора 2 - вход дешифратора 3 происходит асинхронное преобразование логического адреса обращения в физический адрес полных (неотключенных, незанятых) функциональных блоков....

Номер патента: 1679552

Опубликовано: 23.09.1991

Автор: Дятченко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...и объединение их по строкам или столбцам может производиться произвольным образом, Режимы считывания или записи определяются соответствующими сигналами по шинам 9 и 10,Режим считывания определяется тем, чтопо шинам 9 и 10 на анодах диодов 7 и 8 задаются одинаковые по величине потенциалы считывания,Для элементов памяти, использующих диоды 7 и 8 для ограничения падения напряжения в нагрузочных элементах 3 и 4 и предотвращения глубокого насыщения транзисторов 1 и 2, известны два режима работы при выборке. В первом из них один диод 7(8) открыт, другой 8(7) заперт, Во втором режиме оба диода 7 и 8 открыты, а логический перепад создается за счет падения напряжения на внутреннем сопротивлении диода 7(8).Второй режим является...

Номер патента: 1515943

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Бабенко, Бех, Ткач, Чернецкий

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, информации, накопителя, памяти, считывания

...транзисторов. По истечеции времени;сействия сигнала первого стробд и( рвдя дифференциальная цдра отключается. При этом, если ца базе трднэигторд 4 напряжение больце, чем на базе транзистора 5, то конденсатор 13 разрядит(.я больше,чем конденсатор 14. Разноссь напряжений междувыводами конденсаторов 13 и 14 пропорциональна величине сигнала с выхода ддтчка 28. В следующем периодеупрдвляющего поля, когда несущий инфорлс(ю домен переместится из датчика 28 в датчик 29, возникает повторный считанный сигнал противоположцой полярности. Это сигнал поступаетс базы транзисторов первой и второйпар, но во втором периоде импульсомвторого строба по входу 23 замыкаетсяцд,время с, ключ 11, включающий дифференциальную пару на транзисторах 6, 7с источником...

Номер патента: 1682993

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Бруевич, Куликов, Садовникова

МПК: G06F 1/10

Метки: памяти, синхронизации

...на единицу, При этом на его первых разрядных выходах оказываются логические нули, а на последнем - логическая 10 единица, поступающая на первый вход элемента ИЛИ 10. В результате, на выход 39 устройства выдается признак рабочего режима, свидетельствующий о готовности памяти к работе. Логическая единица с выхода 15 элемента ИЛИ 10 также поступает на входэлемента НЕ 18, информационный вход триггера 3 и вторые входы элементов ИЛИ 5 и 8. Таким образом, прохождение последующих импульсов со входа 23 устройства 20 на выход элемента ИЛИ 5 блокируется логической единицей на его втором входе,Если в памяти присутствует неисправность, не зависящая от ее временной диаграммы, то отрицательный импульс после 25 первого тестирования поступит на вход...

Номер патента: 1683050

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Карлов, Кирюхин, Кудряшов, Мухортов

МПК: G09B 9/00

Метки: обучаемого, памяти, тренировки

...- второе четное (нечетное) число больше первого четного (нечетного) числа, и на вход регистра 32. Импульс "Опрос", поступающий несколько раньше на вход регистра 32, по заднему фронту синхроимпульса производит запись "1" в последнем.Если в предъявленном ряду первое число четное, а второе нечетное или наоборот(фиг.9 в,г), то на одном их входов элемента ИЛИ - НЕ 47 и элемента И 48 присутствуют"1", а на другом - "0", На выходе элемента ИЛИ - НЕ 47 - нулевой потенциал, приложенный к элементу И 49. При поступлении импульса "Опрос" с выхода блока 4 на вто 5 10 15 20 25 30 35 рой вход элемента И 49 и на элемент И 48(на их выходах нулевые потенциалы не изменяются) программная операция отсутствует (фиг,9 е).Поступление следующего...

Номер патента: 1683053

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Карлов, Кирюхин, Кудряшов, Мухортов

МПК: G09B 9/00

Метки: обучаемого, памяти, тренировки

...импульс на первом выходесчетчика 66 пройдет через элементы 671 и,72 и поступит на вход элемента 71 и информационный вход элемента 69, на управляющий вход которого подан нулевойпотенциал с выхода триггера 63, запуститодновибратор 68, импульс с выхода которого поступит на информационный вход элемента 70, но дальше не пройдет, и черезэлемент 56 - на вход прямого счета реверсивного счетчика 53, обеспечив появлениеединичного потенциала на его втором выходе (на выходе четвертого разряда), которыйперебросит триггер 55 в единичное состояние, подав единичный потенциал на второйвход элемента 61, и засветит цифру 4 наиндикаторе 58, указывающую, что в следующем цикле оператору будут даны четыредозы информации,Одновременно импульс с выхода...

Номер патента: 1683071

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Горохов, Драчук, Зиборов, Иванов, Косов, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, формирователь

...11 снижаются до значений, недостаточных после их ослабления входными делителями на реЗисторах 21 и 22 для отпирания транзисторов 19 ключей 9 и 10.В результате запирания транзистора 19 положительная полуволна синусоидального напряжения на входе 27 ключа 9 проходит почти без ослабления на ее выход и поступает на базу транзистора 14 согласующего усилителя-ин вертора 7.Резистором 18 согласующего усилителя-инвертора 7 осуществляется смещение рабочей точки транзистора 14 до такого значения Осм, чтобы при нулевом напряжении на сигнальном входе ключа 9 транзистор 1 находился на границе отпирания. При таком выборе рабочей точки транзистор 14 открывается на время положительной полуволны синусоидального напряжения на сигнальном входе ключа 9 и...

Номер патента: 1683074

Опубликовано: 07.10.1991

Автор: Козлов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, синхронизации

...- динамического типа, причем выбор конкретного импульса обеспечиваетмультиплексор 20, а именно для ОЗУ статического типа выход его соединен с вторымвходом, а динамического - с первым,Входы инверсии, первый М 1, второй М 2,третий МЗ и четвертый 1 Ч 4 устройства обеспечивают выбор полярности импульса навыходах Х, У, ууЕ, С 1 и С 2 устройства соответственно, причем состояние "1" на входе 15 20 25 30 35 40 45 50 5 Г инверсии вызывает инвертирование импульса на соответствующем выходе,Входы разрешения, первый Е 1, второй Е 2, третий ЕЗ и четвертый Е 4 устройства разрешают (если их состояние равно "1") либо запрещают (если их состояние равно"0") формирование импульсов нэ выходах Х,У, ЧlЕ, С 1 и С 2 устройства соответственно. Таким образом,...

Номер патента: 1689956

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Втюрина, Доколин

МПК: G06F 12/00

Метки: адресации, памяти

...сравнения кодов адреса. При наличии этого сигнала и сигналов высокого уровня на всех остальных входах элементов 37 и 38 на выходе элемента 36 в момент времени Т 4 появляется сигнал высокого уровня. Изменение уровня сигнала на входе однсвибрзтора 40 в момент времени Т 4 заставляет его сформировать короткий импульс низкого уровня, переключающий триггер 41 из состояния "О" в состояние "1". Момент времени Т 4 определяется из условия действительности результата сравнения кодов адреса блоком 10 сраьнения и предшествует формирыанию стробов обращения на входах-выходах 30 Я и ОЧ 1 и выходах МЕМЯ и МЕМК блока 7(фиг. 3),В результате перекгночения триггера 41 в состояние "1" на входе триггера 42 и линии 15 блокировки появляется единичный потенциал....

Номер патента: 1689994

Опубликовано: 07.11.1991

Авторы: Мхатришвили, Самойлов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, оперативной, памяти

...элементы открыты и обеспечивают передачу данных с входов 31 на выходы 100, При потенциале "Лог.1" на входе 120 транслирующие элементы закрыты и на выходах 100 блока 78 передатчиков высокое сопротивление (третье состояние),В опытном образце устройства в блоке 78 передатчиков в качестве транслирующих элементов использовались микросхемы КР 580 ВА 87, обеспечивающие трансляцию 16- ти разрядной информации адреса.Блок 79 (фиг.7) содержит О-триггер 130, О-вход которого соединен с входом 105 блока 79. Установочный В-вход О-триггера 130 связан с входом 107 блока 79. СинхровходС О-триггера 130 соединен со входом 108 блока 79. Нулевой выход О-триггера 130 связан с первым входом элемента И 131 и с одному из выходов группы 110-2 блока 79...

Номер патента: 1691416

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Коваль, Неганов

МПК: C22C 9/01

Метки: меди, основе, памяти, сплав, формы, эффектом

...ЧЭ, то приводит к появлению трещин и повреждению материала, а введение ванадия более 4,5 О вызывает появление в сплаве большого числа карбидообраэующих элементов, существенно снижающих термомехан ические свойства изготовленных ТЧЭ.Введение хрома в пределах О,З - 1,С; обеспечивает повышение статической ус"алости сплава, а также улучшает сочетание прочностных и пластических свойств ма"ериала по сравнению с известным способсм, Кроме того, в условиях действия тлеющего разряда (как источника нагрева ТЧЗ) указанное количество хрома обеспечивает достаточную стойкость сплава прот,в окисления и эрозии. Введение хрома менее 0,30 снижает статическую усталость сплава, что приводит к затуханию амплитуды перемещения при обратном формоизмеь ении...

Номер патента: 1691890

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Беккер, Заколдаев, Фомин, Фролов

МПК: G11C 13/00

Метки: микросхема, памяти

...4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления микросхем памяти с защитой от а-излучения.Целью изобретения является повышение надежности функционирования микросхемы памяти,На чертеже представлена конструкция микросхемы, разрез,Микросхема памяти содержит корпус 1, контактные выводы 2, полупроводниковый кристалл 3 с контактными площадками 4, соединительные проводники 5, крышку 6, уплотнительное кольцо 7, слой 8 кремний- органического соединения.В процессе работы микросхемы а-частицы, испускаемые материалами корпусаи внешними источниками излучения, поглощаются кремнийорганическим слоем 8 и не попадают на...

Номер патента: 1695360

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Карлов, Кирюхин, Кудряшов, Мухортов

МПК: G09B 9/00

Метки: операторов, памяти, тренировки

...182 соединены с входами первой группы сумматора 181.Пусть при высвечивании второй цифры на выходе генератора 31 появится единичный импульс (фиг. 9 и), появление которого в псевдослучайной последовательности происходит случайно на любом от второго до восьмого тактовых импульсов. Так как взят пятиразрядный генератор, то его передний фронт вызывает появление на выходе формирователя 32 короткого импульса с задержкой, время которого равно задержке элементов 23 и 24 и длительности периодов четырех импульсов с 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 выхода генератора 21 (фиг. 9 к). Импульс с выхода формирователя 32 поступает на вход элемента 37, вход счетчика 42, фиксируя первую вспышку-помеху в цикле. и вход элемента 19,Время задержки импульса...

Номер патента: 1696553

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Витенко, Кокорин, Черненко

МПК: C22C 19/03

Метки: никеля, основе, памяти, сплав, формы, эффектом

...27,8; никель остальное., Температура восстановления формы сплава 58-176 С.1 табл. ванадия, изменяет электроннуюинтерметаллида М 2 Мпйэ 1 эк. что еная ОЦК-решетка, упорядоченная.21, становится более устойчивой шению к мартенситному превращению следовательно, снижает харэктеристи ские температуры мартенситного пре щения.Сплавы были выплавлены индукционным способом в атмосфере инертного газа с выливом в медную изложницу. Вес слитков составлял 120 г. Из слитков вырезались образцы в виде пластин, имеющих размеры 15 х 1,8 х 0,7 мм . Температуры прямого (Мн, Мк), и обратного (Ан, Ак) мартенситного превращения определяли по графикам изменения прогиба при помощи установки, позволяющей измерять температурные зависимости прогиба при трехточечном...

Номер патента: 1697118

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Гусева, Сидоренко, Стиканов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, полевых, сигналов, считывания, транзисторах, формирователь, элементов

...информации пороговое напряжение опорного транзистора 4 становится отрицательным.Подбором геометрических размеров транзисторов 2 и 4 добиваются того, что в этом случае потенциал в узле А становится ниже потенциала запирания транзистора 8 и выход 11 начинает заряжаться от шины 9 пИтания через транзисторы 1,5, причем размером транзистора 5 регулируется ток (постоянная времени заряда выхода 11). С повышением напряжения на выходе 11, а следовательно и на истоке транзистора 4 пороговое напряжение. последнего возрастает и при достижении определенной величины становится равным нулю, Транзистор 4 (опорный элемент памяти) закрываетсяа потенциал в узле А становится равным напряжению питания, что достаточно для запирания транзистора 3,В...

Номер патента: 1698907

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Андреева, Кожухов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоках, обнаружения, ошибок, памяти

...з слово, параллельным кодом записываются з 1 МД 3 У ,эта часть конт роллера Ц.11 3 У не Оказана) Далее считываются последовательно вторые разряды из ьскросхем 39, 40, 41 и 42, При этом адресная информация Формируется в с еттике 32, а сигнал ВЫбоРКИ СО СЧЕтяика 31 гтОСтуПяЕт через коммутатор 36 ня дешифратор 38,Управляющим сигналом является сигнал,.1.2.В такой последовательности разряды поступают в формирователь 7, где они кодируются тем же кодом. Сформированные через к тактов прозерочнье разрядь (г) из Формирователя 7, сопрозождаемье синхрасигна 1 ом 1,2, поступают Цна запись в Р 1 Д ЗУ - вторичное кодирование. Поскольку в обоих случаях1 СПОЛЬЗ "Етсн то с ЖЕ КОД т то Г, = Га е Процедура кодиров и ния зака нчива ется перезапсью из блока...

Номер патента: 1702434

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Супрун, Уваров

МПК: G11C 29/00

Метки: интерфейс, мажоритарно-резервированный, памяти

...в нем информации соответствующий разряд регистра 12 устанавливается в единичное состояние.При отказе одноименного оборудования в двух каналах устройство работает в режиме передачи информации из исправного канала в три канала при работе интерфейса с упомянутым оборудованием. Это обеспечивается тем, что при одинаковой информации в трех каналах на выходах мажоритарных элементов 6,1 - 6.3 группы 6 мажоритарных элементов, она преобразуется коммутационным блоком 16 фиг.4) в различные коды на его выходах 64 и 65, что настраивает коммутаторы 2 выходной информации в разных каналах на передачу данных с того входа, который подключен к выходам того канала, в котором исправен блок-источник информации,При отказе блоков более чем в одном канале...

Номер патента: 1705875

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Анисимов, Манукян, Мкртычян

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти

...код которогп ус анонлен на выходах ПЗУ 6 (время этого пере:чегэ и является длительность,о задержки тэ),Состояние "1" на управллюще входе схемы 19 сравнения обеспечивает г,рэенение кода на выходах ПЗУ б с кодом на выходах счетчика 22, В момент их совпа.,ения (конец паузь между циклами контроля) на выходе схемы 19 сравнения полелегсл си- нэл с активным единичным уровнем, который поступает на управляющий вход "Старт" анализатора 13 кодов (действуощий передний фронт) и, устанавливая сигнатурный анализатор в исходное (какранило нулевое, подготавливает его к очередному измерительному периоду (повторное тестирование тестом "Марш" ),Сигнал с ньодэ г емь 19 .,",энне ия, поступая на вход усгэнон и е но, ь -.-,чика 22, устанавлцзает ого в и;.:...

Номер патента: 1705876

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Сычев, Шарапов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, оперативной, памяти

...то считается информация (011) (см.табл, 1). Далее по адресу (011) считывается(101 и т,д, Таким образом, осуществляетсярежим кольцевой проверки блока 9 операт и в ной памяти.При поступлении на вход 19 "0", а навход 18 "1" на прямом выходе триггера 12установится "0", что означает окончаниепроверки ОЗУ, На инверсном вь.ходе триггера 12 установится "1". которая разрешаетсравнение содержимого регистра 10 и генератора 7, который работает синхронно с регистром 10. Если содержимое регистра 10 игенератора 7 равно, то блок 9 памяти работает правильно, а противном случае - блокпамя 1 и неисправен.Второй згал контооля заключается впроверке блока 9 памяти с инверсными значениями адресов и дзнных, Для этого навход 16 подается "1". Установка...

Номер патента: 1709394

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Боженко, Мешков

МПК: G11C 21/00

Метки: адресов, динамической, памяти, регенерации, формирования

...которое по синхросигналу Т 1 заносится в регистр.5, Если на втором выходе регистра 5 установлен "0", обработка нулей в данном слове, соответствующих строчным адресам, к которым не было обращения в цикле внешнего обмена, ведется от первого к последнему, а если "1" - от последнего к первому, В первом случае слово признаков обращения с выхода регистра 5 поступает через коммутатор 22 формирователя 6 кодов на информационный вход О шифратора 23 без изменений, Шифратор 23 устанавливает на своем информационном выходе О двоичный код, соответствующий номеру самого младшего разряда, содержащего "0". Этот код проходит через коммутатор 2 и формирует младшие разряды строчного адреса АЯмл регенерации. Одновременно код АЯ, поступает на адресный вход А...