Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 207486

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Рыгалин

МПК: G11C 13/00

Метки: памяти, элемент

...преобразователь на нелинейной емкости, мост Б - понижающий преобразователь на нелинейном сопротивлении. Повышающий преобразователь А имеет два входа: волноводный 1 для ввода сигнала накачки и коаксиальный 11 для ввода управляюшего сигнала. В прямоугольном волноводе накачки установленараметрический полупроводниковый диод НС с нелинейной емкостью р - гг перехода, соединенный с центральным проводником коаксиального волновода П. Выходное плечо П 1 преобразователя А служит входом преобразователя Ь", в котором установлен смеси- тельный диод НЛ. Выходное плечо 17 преобразователя Б через замедляющую коаксиальную структуру ЗС, представляющую собой диафрагмированный волновод, соединено с входным плечом 5 П преобразователя А. Фильтры...

Номер патента: 210221

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Ленинградский, Тимофеев

МПК: G11C 11/10

Метки: памяти, элемент

...к стабильности амплитуд токов и упрощает их фармирование.На фиг. 1 схвматически изображен элвмвнт 30 памяти, общий вид; на фиг. 2 - диапрамма переходов состояний элемента памяти; на фиг. 3 изображено запоминающее устройство на предложенных элементах, общий вид.Описываемый элемент памяти содержитсердечник с диаметральным отверспием 1, числовую обмотку 2 и разрядную обмотку 3,Переходы сердечника с диаметральным отверстием из одного состояния в другое под действием числовых и разрядных токов отражены на фиг. 2. Состояния сердечника показаны в виде распрвделвния остаточных потоков в зонах вокруг диаметрального отверстия.Каждый переход (показан стрелками) осуществляется за один такт.Запись ннформации в запоминающее устройство (фиг. 3)...

Номер патента: 217052

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Кассациер, Поль

МПК: G06G 7/60, G11C 13/02

Метки: адаптивный, мемйсторах, памяти, элемент

...амплитуде токи считывания, Величины сопротивлений резисторов 3 и 4 выбирают также равными. Величина сопротивления резистора 5 10 много меньше величины сопротивлений резисторов 3 и 4. При этих условиях амплитуда тока через суммирующее сопротивление будет пропорциональна разности сопротивлений мемисторов М и М,. При любом фиксирован ном значении разности сопротивлений мемисторон схема умножает входной сигнал (сиг.нал считывания на клеммах К - К. - К.,) на значение веса, хранимого в этой ячейке и реализованного в виде разности сопротивлений 20 мемисторов. Для изменения этой разности,т. е. веса, на клеммы К, и К; подается постоянное напряжение управления той или иной полярности. Амплитуда и время действия этого напряжения определяют...

Номер патента: 217463

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Балашов, Кноль, Ленинградский

МПК: H03K 23/76

Метки: памяти, регистрации

...тОкОВ записи 1. Одновременно сиГналы с блока управления 11 вызыва 1 от срабатывание разрядного формирователя 8 полутока записи 1 и соответствующего разрядного ключа 6 младшего разряда. Такм образом, осуществляется запись 1 в данной разрядной позиции всех избранных каналов и происходит выявление сигналов персноса в следующий старший разряд. Если псрвоначально сердечник адшео разряда некоторои числовой линейки находился в состоянии 0, то при подаче полуто 1 гов записи 1 происходит перемагничивание этого сердечника, и на шине чтения 5 данной числовой линейки появляется сигнал, переводящий в нулевое состояние соответствующий элемент памяти 14. Переход элемента памяти 14 в нулевое состояние указывает на отсутствие дальнейшего переноса и...

Номер патента: 219632

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Андреещев, Трусевич

МПК: G11C 11/38

Метки: памяти, ячейка

...т пульсов.Это позволяет повысить помехоу нагрузочную способ ость генерато импульссв и уменьшить потребля ность. На чертеже приведена прин ма предлагаемой ячейки пам Ячейка состоит из транзис ного диода 2, нагрузочного со дифференцирующей цепи 4, 5. Транзистор 1, включенный щим эмиттером, используется вязывающего элемента между ти и как усили гель сигнала з щего в его базовую цепь. Туннельный диод 2 и сопр разуют элемент памяти ячейкиНаличие сигнала в базе транзистора 1 приводит и его отпиранию и перебросу коллекторным током транзистора туннельного диода из состояния О (низковольтное состояние 5 туннельного диода 2) в состояние 1 (высоковольтное состояние туннельного диода 2), т. е. происходит запись 1 и ее хранение до прихода...

Номер патента: 219636

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Лавриненко, Некрасов, Плахотный

МПК: G11C 11/22

Метки: памяти, пьезоэлектрический, элемент

...и под тивлеццс кИзвестны пьезоэлектрические элементы памяти, выполненные в виде двух соприкасающихся сегнетоэлектрических пластин возбуждения и генсратора,Предложенный элемент отличается тем, что для увеличения напряжения на нагрузке и улучшения развязки источников в него введена сегнетоэлектрическая пластина управления, помещенная между пластинами возбуждения и генератора и подключенная через реактивное сопротивление к генератору управления.Элемент памяти изображен на чертеже.Элемент памяти представляет собой склеен. ные, покрытые электродами пьезоэлектрические пластины. Генсраторная секция 1 и секция 2 возбуждения жестко поляризованы.При подключении на вход генератора синусоидальных колебаний в образце устанавливаются упругие...

Номер патента: 219887

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Кореневский, Ростовское

МПК: F15C 3/12, G06D 1/00, G06G 5/00 ...

Метки: аналоговое, памяти, пневматическое

...с пневмопр ичающееся онструкции, иде струй канал, с оке пневм Известны пневматические устроиства г ти со сложной конструкцией индикатор узла.Предложено устройство, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, индикаторный узел выполнен в виде струйного элемента сопло в приемн канал, сопло которого установлено на штоке пневмомеханического преобразователя.Схема устройства приведена на чертеже.Устройство содержит пневмомеханический преобразователь, включающий входную камеру 1, отделенную мембраной 2, жесткий центр которой соединен штоком 3 с пружиной 4.Индикаторный узел выполнен в виде сопла питания б, расположенного в торце б штока 3, и выходного сопла 7, Давление выхода Р, линейно зависит от расстояния между сопламиби...

Номер патента: 222031

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Рыков

МПК: G06F 7/64

Метки: анализатора, дифференциального, памяти, приращений, цифрового

...или с последних элементов регистра приращений, когда нет импульсов очистки. Такого рода обратная связь обеспечивает следующее преобразование 25 кодов в регистрах приращений при поступлении с выхода интегратора нулевого переполнения:222031 Предмет изобретения ставитель В. А. СубботинТехред Р. М. Новикова Корректор Н. Босняцкая Утехин Реда кто Тираж 530 Подписное итета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр, Серова, д. 4Заказ 2712ЦНИИПИ биография, пр. Сапунова,Поскольку обратная связь охватывает элементы очистки регистра приращений, то при поступлении нулевых переполнений коды 00 и 11 могут храниться в регистре неограниченно большое число итераций. В то же время, использование в выходных...

Номер патента: 231892

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Сербинов, Федосеев

МПК: G11C 25/00

Метки: памяти, электропнёвматический, элемент

...одномембранные релейные устройства, осуществляющие функции запоминания дискретных сигналов. Управление устройствами осуществляется с помощью пневматических сигналов, 5Предложенное устройство отличается тем, что катушка соленоида установлена в средней камере и соединена с источником электропитания. Сердечникох соленоида служит шток, на котором установлен перемещающийся коц такт, соединенный с тем же источником питания, а неподвижный контакт установлен ца катушке и соединен со вторым концом ее обмотки, Это позволяет расширить функциональные,возаожности устройства. 15 На чертеже приведена схема описываемого устройства,В корпусе 1 электропневматического устройства элемента памяти расположены входной 20 канал а, мембрана 2 с жестким...

Номер патента: 235108

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Скоеородин

МПК: G11C 17/00, G11C 29/00

Метки: блока, памяти, постоянной

...установки. Это позволяет упростить устройство и повысить его быстродействие.На чертеже изобракена блок-схема контрольного устройства. 20При подаче ца вход блока 1 постоянной памяти кода адреса и импульса запроса с выхода считывается тт-разрядное число.Устройство для контроля блока 1 постоянной памяти с контролем на четкость содержит ре гистр параллельного действия 2 со счетными входами 3, подключенными к выходным шинам блока 1, узел установки контрольной суммы 4 и схему сравнения 5, соединенную с регистром 2 и узлом 4 установки. ЗО После считывания всех чисел блока 1 в регистре 2 будет записана поразрядная сумма, которал при приходе сигнала сравнения срав цивается с контрольной суммой установленной в узле 4 установки. Если суммы...

Номер патента: 236850

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Плюхин, Федосеев

МПК: G06D 3/00

Метки: двухпроводной, памяти, связью

...- со водом второго элемента, канал второго Водцого сигнала - с управляющими камерами псрвого и второго элементов. Канал второго инверсного сигнала подключен к управляющим камерам пятого и шестого элементов, выход первого элемента соединен с камерой третьего элгмецта и выходом пятого элемента. Выход второго элемента подключен к камерам чствсртого и восьмого элементов и ко входу шестого элемента. Выод четвертого элемента соединен со ьходами третьего и пятого элементов, с камерой седьмого элемента и первым выходным каналом. Выход шестого элемента подключен к выходу седьмого и входу восьмого, а также ко второму выходному каналу. Выходы третьего и Восьмого элементов соединены с атомосферой, а воды четвертого и седыого элементов - с...

Номер патента: 237200

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Беккер, Майоров

МПК: G11C 11/06

Метки: многоотверстная, памяти, пластина, ферритовая

...между отдельными ячейками памяти было полностью устранено, либо резко уменьшено. Эта цель достигается созданием ,конструкции ферритовой пластины, в которой ячейки памяти разделены, такими областями феррита, где коэрцитивная сила в несколько 20 раз выше, чем в перемагничиваемых областяхячеек.Вследствие этого создается энергетический барьер между ячейками, существенно уменьтцающий,их взаимодействие. 25На фиг, 1 показана часть ферритовой пластины; на фиг. 2 - распределение перемагничивающего поля и коэрцити/вной силы в мно тоотверстной пластине в зависимости от рас стояни я. В ферритовой пластине проходят сквозные отверстия 1, участки 2 пластины имеют высокое значение коэрццтивной силы.На фиг. 2 приведены следующие обозначения: Н -...

Номер патента: 237288

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Беккер, Клейман

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, пленочных, ферритовых, элементов

...штянгях В Оолясть индукт 017 я.На чс 17 тсже из 0017 яжеця конст 17; к 11 я ройствя.УотрОЙство содержит з 1 е 1 Т 17 и ческийагрсватсль (печь) 1 для прсдварительцсго нагрева феррита, исходную фсрритову 10 пластину 27, высокочастотныи ицдуктор А подложку 4 для осаждения пленки, нагреватель 5 подлохкки (пс 1 ь Вяц с хный колпак 6 и Основя" И;1 С 7.На электрический нагреватель 1, например, плоской формы помещена исходная фсррито- В я 51 и 71 я с т и ц я 7. В э л е к т р и ч с с к О м и я Г р с В я т с л с я выполнен пяз, в котором помешеца подложка 1, например, из монокристаллического .ЧпО. Нагреватель з закреплс:1 ца штангах 8 на требуемом расстоянии от пластины 7. Штз 1 и 8, выполненные из токопроводя 1 цего матерала, одновременно...

Номер патента: 238596

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бекин, Иль, Рудаков

МПК: G11C 11/08

Метки: двухдырочный, памяти, ферритовогоматериала, элемент

...пр, Сапунова,ла в обмотке 8 - 9. Если ампер-витки опроса не превышают определенной величины, то по окончании импульса тока опроса поток в тороиде 1 восстанавливается до значения, близкого к первоначальному, за счет обратимых процессов изменения намагниченности. При последуюгцих опросах устанавливается такой режим, когда дальнейшего уменьшешя потока в тороиде 1 не происходит.Важной особенностью предлагаемого элемента памяти является то, что при значительном увеличении ампер-витков опроса невозможно изменить направление остаточного готока записи, так как насыщение тороида 2 происходит раньше, чем изменение направления потока в тороиде 1. Пусть теперь в элементе записан нуль, т. е, остаточный поток записи направлен противоположно...

Номер патента: 242231

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Болдов, Гусев, Казаков

МПК: G11C 13/00

Метки: памяти

...предлагается включать последовательно в контур конденсатор с параллельно подсоединенным ключом, вход которого связан с выходом одновибраторов. Вход каждого одновибратора подключен к выходу одной из схем совпадения, причем один из входов каждой схемы совпадения соединен с шиной подачи запоминаемого сигнала. Другой вход схемы совпадения подсоединен к выходу синхронизатора. Последний подключен к источнику переменного напряжения. На фпг. 1 изображена схема описываемогоустройства; на фиг. 2 - зависимость выходного напряжения емкости от напряжения источника э. д, с.; на фиг, 3 - зависимость напряжения источника э. д. с. от времени.Предлагаемое устройство памяти состоит изисточника э. д. с. 1, нелинейной индуктивности 2, линейной...

Номер патента: 244406

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Казютин, Мельников, Попов, Чепурнов, Шолев, Якимов

МПК: G11C 5/02

Метки: бескаркасных, кубов, памяти

...и последующей заливки смещаются прошивающие провода и разрушаются ферритовые элементы, что приводит к возникновению наводок в кубе или к нарушению его работоспособности.Для повышения надежности предлагаегся прошитую матрицу заливать эластичным компаундом в развернутом виде, после чего сворачивать, например, зигзагообразно.Описываемый способ поясняется чертежом.Разрядные проводники куба памяти 1 с нанизанными на них ферритовыми сердечниками 2 натягивают на специальной монтажной рамке, после чего адресные проводники 3 прошивают и устанавливают необходимое взаимное расположение их. Затем монтажную рамку укладывают на заливочную форму и производят заливку ремня 4, который освобождают от монтажной рамки и заливочной формы и складывают,...

Номер патента: 245179

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Беккер, Клейман

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, пленочиых, ферритовых, элементов

...тока в дуговом разряде, приводя щую к неоднородности пленки; появление примесей; испарение в очень маленькой лунке, а не с поверхности пластины, что ухудшаег свойства пленок, вызывает малую скорость роста и неоднородность пленок, 25При предложенном способе все перечисленные недостатки исключены. Способ заключается в том, что источник феррита нагревают до температуры, при которой возрастает электропроводность феррита, например до 300 - 400 С, Зо после чего источник феррита нагревают токами высокой частоты.Способ поясняется чертежом.Источник феррита в виде ферритовой пластины 1 нагревают электрическим нагревателем 2 до температуры примерно 300 в 4 С, При этом электропроводность феррита значительно возрастает. Дальнейший нагрев и...

Номер патента: 248776

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Берг

МПК: G11C 11/08

Метки: матрица, памяти

...ячейку с плохими электрическими параметрами и заменить ее новой. магнитным зап Матрица памяти на магнитных элементах, отличающаяся тем, что, с целью увеличения плотности ячеек и уменьшения разброса параметров, она выполнена в виде двух ферритовых пластин, разделенных изоляционной подложкойпричем ячейки памяти отделены одна от другой бороздками, проходящими вдоль и поперек пластины и доходящими до изоляционной подложки. присоединением заявкиИзобретение относится ко.минающим устройствам,Известны матрицы памяти на многоотверстных ферритовых пластинах.Однако быстродействие, надежность и плотность упаковки в таких матрицах ограничены,что обусловлено взаимным магнитным влиянием расположенных рядом ячеек памяти (приувеличенни токов одного...

Номер патента: 249059

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Заг, Лапшин

МПК: G11C 11/06

Метки: памяти, элемент

...по шине 6, начнет перемагничиваться в состояние О, и в ветвь 6 будет вноситься сопротивление, обу-. словленное его перемагничиванием, что приведег к увеличению гока в ветви 5 и к преобладанию ампер-витков, создаваемых обмоткой записи ветви 5, над ампер-витками обмотки считывания сердечника 1, образованной ветвью 6.В резульгате этого в сердечник 1 запишется 1, а в сердечнике 2 установится состояние О,Таким образом, после действия импульса тока перезаписи по шине 4, если в обоих сердечниках было состояние, соответствующее О, го оно сохраняется, чго соответствует записи О в элемент памяти, а если в сердечнике 2 была записана 1, а в сердечнике 1 был О, го состояние изменяется так, что в сердечнике 2 устанавливается О, а в...

Номер патента: 251712

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аграновский, Беккер

МПК: G11C 11/08

Метки: интегральных, памяти, ферритовых, элементов

...вания порошка, спекания пластин и их охлаждения.Предложенный способ отличается от известных тем, что охлаждение пластин проводят в нейтральной газовой среде при давлении, превышающем атмосферное, Это позволяет ускорить и улучшить процесс изготовления элементов памяти,В высокотемпературную печь, помещенную в камеру, устанавливают стопками ферритовые пластины и проводят, как обычно, спекание. После изотермической выдержки из камеры откачивают воздух и напускают в нее любой инертный газ, например углекислый газ, аргон и др. Общее давление остаточного воздуха и нейтрального газа несколько превышает атмосферное давление (например, 1,1 атм). Затем проводят охлаждение печи по ускоренной программе, поскольку ферритовые пластины охлаждаются...

Номер патента: 254893

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кузнецов, Плюхин, Сидельников

МПК: G05G 5/00

Метки: аналоговое, памяти, пневматическое

...сильфоном 2 и жестким центром 4мембраны 3 установлена пружина 23. К сильфону 2 прикреплен стержень 24, который10 прохчодит через жесткий центр 4 мембраны 3,через сопло 5 и зажпмается цангой 6 с помощью, пружины 25 через втулку 7.Устройство работает следующим образом.Первый режим - режим слежения, когда15 командный сигнал Р, =1. Мембрана 8 переместилась вверх, втулка 7 освободила цангу6, а последняя освободила стержень 24. У реле 17 сопла 16 закрыто, а сопло 19 - открыто, и канал Р,соединен с камерой 9, Изме20 нение давления в канале Р,вызывает из.менение давления в камере 9, и спльфон 2перемещается, сжимая пружину 23, что вызывает изменение давления в камере 11 повторителя и, следовательно, на выходном канале25 Р, усгройства,Таким...

Номер патента: 262175

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Беккер, Берг, Кузнецов, Лашф, Хпи, Швалев

МПК: G11C 11/02

Метки: памяти, пластина

...подлож ферритовыйстия и сохраных силовых На керамидвух сторон фтем вытравлики, образуяслой, охватыняющий конфлиний вокруг подложк вая пленк до керами отверстий два овве ию магии ия,запом ескую еррит вается округ ающи игура отверс яти, выс отверот изплаты вающая 0 Плас ческой тем, чт пласти сторон5 охвать амиаяся ения беих енка,ая на кер отличающизготовл йств, на о итовая пл тина памяти, выголнен плате с отверстиями, о, с целью упрощения н и улучшения их св ах платы нанесена ферр вающая по два отверсти товлениятва, ая плаид сверию изго т их свой описываеь - тоже, в с присоединением заявкиОпубликовано 26.1.1970,Дата опубликования опт Изобретение относится к областинающих устройств.Известны ферритовые пластины паполненные на керамической...

Номер патента: 262180

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Либерман, Научно, Опытно, Чернихов

МПК: H03K 19/098

Метки: памяти, тиристорах, ячейка

...н ками, подкл зной сети, с д которогорез выпрям отличающа Изооретение относится к электронным устройствам памяти. Известны ячейки памяти на тиристорах с катодными нагрузками, подключенными к нулевой шине трехфазной сети, содержащие тиристор записи, анод которого подключен к трем фазам сети через выпрямительные диоды, и тиристор сброса.В предлагаемой ячейке тиристор сброса включен последовательно с одним из выпрямительных диодов, а его управляющий электрод подключен через резистор к катоду тиристора записи.Это исключает потребление энергии в интервале между сбросом и записью и упрощает устройство.На чертеже изображена принципиальная схема описываемой ячейки,Ячейка памяти имеет два устойчивых состояния.В одном состоянии тиристоры 1 и 2...

Номер патента: 262970

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Беккер, Слтг

МПК: G11C 11/06, G11C 5/02

Метки: памяти, пластина

...либо под переменным механическим,напряжением, что улучшает магнитные характеристики ячеек памяти. мет изобретения Пластинананесеннойчающаяся тметров ячеепьезокерамтивоположнпроделаны Изобретение относится к области запоминающих устройств.Известен пленочный ферритовый интегральный элемент, памяти, содержащий подлоику с нанесенной на ней ферритовой пленкой,Недостаток такого элемента памяти состоит в том, что в них форма как статической, так и динамической петли гистерезиса имеет плохую прямоугольность, вследствие чего возникают большие помехи. Подложка ферритовых пленочных элементов памяти выполняет конструктивную роль или функции токоведущих шин.В предложенном устройстве с целью, значительного улучшения формы петли гистерезиса и...

Номер патента: 262972

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ефремова, Райторовский

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: памяти, элемент

...с началом тонкой магнитной пленки; 3 - пермаллоевая пленка; 4 в диэлектр; 5 в внутренн проводни,к.Амплитуда считываемого сигнала описываео элемента вдвое превышает амплитуду нала обычного элемента, где в качестве обре ния дме лагнитной плен- диэлектричесс проходящим и - считывания, ью увеличения ия тока запис, оследовательно так, что сигнавании в провомог сиг зобретение относитсяычислительной техникзапоминающих устройельных машин.звестны элементы павтонкой магнитной плестве подложки длянки используется полатонкая проволока изпа.едостатком известныхя амплитуда сигнал%-"НИ- Е 6 провода считывания - записи используется только внутренний проводник,Применение данного элемента памяти в накопителях большого объема ограничивается увеличением...

Номер патента: 264466

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ефремова, Ильин, Копии, Райтаровский

МПК: G11C 11/14

Метки: памяти, элемент

...либо методом вакуумного напыления на стеклянные трубки, либо методом электролитического осаждения на проволоку из проводящего материала. Применяется и комбинированный метод, заключаОсцийся в том, что ца подлоукку каким-либо способом, например вакуумным 1 ли кимпческим, наносится металлический подслой, а затем электролитическим способом осаждается тонкая магнитная пленка,Предложенный элемент отличается тем, что сама пленка служит шиной записи - считывания. Это позволяет упростить элемент памяти,Предложенный элемент памяти изображен на чертеаке.Он выполнен на цилиндрической тонкой магнитной пленке 1, нанесенной на сплошную диэлектр 51 ескуо подлоокк 2. В качестве ц 1 и.ны считьНация - записи в эточ элементе ис.пользуется сама...

Номер патента: 266851

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Беккер, Сгэр, Швалев

МПК: G11C 11/06, G11C 5/02

Метки: памяти, пластин

...изготовления пластины памяти с двумя обмотками пробиваютпрямоугольные отверстия в ферритовой пластине наносят на поверхности пластины проводящие покрытия, пробивают перпендикулярнопервым отверстиям вторые прямоугольные отверстия и вытравливают рисунок печатнойобмотки на обеих поверхностях пластины.На фиг. 1 показан разрез предлагаемойпластины; на фиг. 2 - верхняя поверхностьпластины; на фиг, 3 - нижняя поверхностьпластины,В пластине памяти 1 пооиваются отверстияпрямоугольной формы 2, через которые на поверхность пластины наносится медное покрытие электрохимическим или другим способом.5 Затем тем же инструментом перпендикулярнопервым отверстиям пробивают вторые отверстия 2. При этом в определенных местах ранее нанесенного покрытия,...

Номер патента: 266853

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Беккер, Кузнецов, Швалев

МПК: G11C 11/08

Метки: памяти, пластина

...чем у ржащая подланесена фертем, что, стемпературывыполнена итермическогоферрита. жку с итовая целью аботы мате- расшиприсоединением заявкиИзобретение относится к области запоминающих устройств,Известна пластина памяти, содержащая подложку с отверстиями, в которых нанесена ферритовая пленка.Ферритовые пластины памяти, изгоговленные из ферритов магний-марганцевой системы, имеют сравнительно низкую температуру Кюри, что ограничивает их применение в широком диапазоне температур.Известно, что тороидальные сердечники из никель-цинкового феррита, подвергнутые механическому сжатию, имеют более высокую температуру Кюри.Целью изобретения является создание интегральной пластины памяти на основе микротороидальных сердечников, которые могут,...

Номер патента: 267701

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Васильев, Козлов, Сапронов, Соловьев

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...областей ца изолирующем слое между ццъц 1 нанесены металлические электроды 4 - бМеталлический электрод затвора частично проходит под доцолццтельцыми взаимно изолированными металлическими электродами 7 ц 8, от которых он изолирован пленкой 9. В устройстве, показанном н фцг. 2, между электродами 7 ц 8 выполнен зазор,Элемент цямятц работает следующим образом.Предположим, что в исходном состояшш элемента канал МОП-структуры закрыт, При подаче ця электрод 8 сигналя записи информации Е, цз электрода 8 ня электрод 7 поцдет элсктрцческцц ток, например автоэмцссцц, через диэлектрик. В результате электрод затвора получит потенциал, равный по знаку, цо меньший ца величину падения в пленке 9. По достижении потенциала на электроде б вели шны...

Номер патента: 268492

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Золотухин

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, элемент

...величины, также во много раз меньшей тока включения тиристора. Общий ток, протекающий через тиристор (с учетом тока, отдаваемого в нагрузку, например газоразрядный индикатор), остается во много раз меньшим тока включения и тока выключения тиристора (рабочая точка тиристора всегда расположена ниже точек, соответствующих току включения и выключения на статической вольтамперной характеристике). Это исключает само- удержание тиристора в устойчивом проводящем состоянии.Диод 3 служит для защиты транзистора от высокого анодного напряжения высоковольтного источника и включен встречно высокому потенциалу этого источника при закрытом тиристоре. Эмиттер транзистора подключен к положительной шине низковольтного источника. Коллектор транзистора через...