Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 611581

Опубликовано: 15.07.1994

Автор: Ракитин

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, ячейка

ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ, содержащая полупроводниковую подложку первого типа проводимости с расположенными в ней двумя изолированными диффузионными областями второго типа проводимости, в одной из которых расположена область первого типа проводимости, подключенная к основной числовой шине, слой диэлектрика и электрод, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения площади, занимаемой ячейкой на кристалле, она содержит дополнительную числовую шину, к которой подключен электрод, нанесенный на слой диэлектрика, расположенный на поверхности полупроводниковой подложки между изолированными диффузионными областями второго типа проводимости.

Номер патента: 736810

Опубликовано: 30.07.1994

Авторы: Алексеюнас, Бондаренко, Гечяускас, Дульцева, Ежова, Кочнева, Миллер, Переляев, Суворов, Швейкин

МПК: H01L 45/00

Метки: материал, памяти, полупроводниковый, элементов

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ на основе поликристаллического диоксида ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения объема записываемой информации, он дополнительно содержит связующее при следующем соотношении компонентов, мас.%:Поликристаллический диоксид ванадия 93 - 97Связующее 3 - 7при этом связующее состоит из эпоксидной диановой смолы и титаноорганического сложного полиэфира дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля при следующем соотношении компонентов, мас.%:Эпоксидная диановая смола 40 - 92Титаноорганический сложный полиэфир дикарбоновой кислоты и алкиленгликоля Остальное

Номер патента: 1811353

Опубликовано: 20.07.1995

Автор: Шишкин

МПК: H03K 3/286

Метки: памяти, энергонезависимая, ячейка

...с выхода элемента 4 на выходэлемента 2,Если в сердечнике 5 был записан ноль,то перемагничивание сердечника 5 не происходит, На обмотке 7 формируется импульс помехи, который не может изменитьсостояние ВЗ-триггера 1, поскольку он удер. живается в состоянии логического "0" сигналом по В-входу.Если в сердечнике 5 была записана единица, то сердечник 5 начинает перемагничи-ваться в ноль. На обмотке 7 формируетсяимпульс положительной полярности нормальной длительности, поступающий на 3 вход ВЯ-триггера 1, не изменяя его 2состояние.Импульс отрицательной полярности нашину 10 разрешения поступает с задержкойотносительно импульса на шине 9 опроса,Величина указанной задержки превышает 3длительность формируемых помех.При поступлении...

Номер патента: 1619684

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Бакалкин, Благодатских, Вальдман, Воронина, Гудашева, Лезина, Островская, Сепетов, Сколдинов, Смольникова, Трофимов

МПК: A61K 31/40, A61K 38/00, C07K 5/06 ...

Метки: l-пироглутамил-l-аспарагин, обладающие, обучения, памяти, производные, процессы, регулировать, способностью

L-Пироглутамил-L-аспарагин и его производные общей формулыгде X О-трет-СнН9, Y NH2;X OH, Y NH2;X Y O-трет-СнН9;X Y OCH3;X NHCH3, Y NH2,обладающие способностью регулировать процессы обучения и памяти.

Номер патента: 1153768

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, элемент

1. Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и уменьшения величин пороговых напряжений записи и стирания, изолирующий слой расположен между активным слоем и подложкой и выполнен из монокристаллического слоя твердого раствора Ga1-xAlxAs (0,1 X 0,6), содержащего кислород в...

Номер патента: 1153769

Опубликовано: 27.05.1996

МПК: H01L 27/11

Метки: варианты, его, памяти, элемент

1. Элемент памяти, содержащий структуру, включающую подложку из арсенида галлия и активный полупроводниковый слой на ней с контактами стока и истока, а также электрод затвора, отделенный от активного слоя изолирующим слоем с захватом заряда, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности считывания информации в виде оптического излучения, между активным слоем и подложкой введены дополнительный изолирующий слой и два дополнительных полупроводниковых слоя из твердого раствора соответственно Ga1-yAlyAs и Ga1-zAlzAs, где z < y противоположных типов проводимости, причем дополнительный изолирующий слой примыкает к активному слою, а дополнительный...

Номер патента: 1284439

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Ильичев, Полторацкий

МПК: H01L 31/14

Метки: оптоэлектронный, памяти, элемент

Оптоэлектронный элемент памяти, выполненный на сильнолегированной подложке арсенида галлия, содержащий излучательный p n-гетеропереход, образованный гетерослоями Gа1-yAlyAs и Gа1-2Al2As, последний из которых граничит с подложкой и имеет с ней один тип проводимости при y>2, активный транзисторный слой с контактами истока и стока и электродом затвора, отделенный от указанных гетерослоев изолирующим слоем из твердого раствора Gа1-xAlxAs:О и имеющий сформированную в активном и изолирующем слоях до слоя Ga1-yAlyAs канавку, на дне которой сформирован омический контакт с площадью, меньшей площади дна канавки, и гальванически соединенный с контактом стока,...

Номер патента: 1540565

Опубликовано: 27.06.1996

Авторы: Житарев, Канушкин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, резервированная, ячейка

Резервированная ячейка памяти, содержащая три разряда, каждый из которых состоит из мажоритарного элемента, триггера, первого элемента НЕ, элемента ИНЕ, первый вход которого соединен с выходом мажоритарного элемента, а второй вход с выходом первого элемента НЕ, вход которого является входом сброса соответствующего разряда ячейки, соответствующим входом установки которой является вход установки триггера, выход которого соединен с первым входом мажоритарного элемента, первый вход мажоритарного элемента первого разряда соединен с третьими входами мажоритарных элементов второго и третьего разрядов, второй вход мажоритарного элемента первого разряда соединен с вторым и первым входами мажоритарных элементов второго и третьего разрядов...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 1134020

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Афанасьев, Кротов, Кузьминов, Панова, Полозков

МПК: G11C 13/04

Метки: оптический, памяти, элемент

Оптический элемент памяти, содержащий сегнетоэлектрическую подложку, на одной стороне которой размещен металлический электрод, на другой размещены два металлических электрода и расположенный между ними слой фотополупроводника, образующие пленочный фоторезистор, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, сегнетоэлектрическая подложка выполнена из монокристаллического ниобата бария-стронция.

Номер патента: 1607625

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Житарев, Канушкин

МПК: G11C 29/00

Метки: памяти, резервированная, ячейка

Резервированная ячейка памяти по авт. св. N 1540565, отличающаяся тем, что, с целью повышения стойкости ячейки к ионизирующим излучениям, она содержит в каждом разряде третий, четвертый и пятый элементы НЕ, третий и четвертый элементы И, второй и третий элементы задержки, второй элемент ИЛИ, первый вход которого является входом установки соответствующего разряда ячейки, а выход соединен с входом установки триггера, вход сброса которого соединен с входом второго элемента задержки, выход которого соединен с входом пятого инвертора, выход которого соединен с первым входом четвертого элемента И, выход которого соединен с вторым входом второго элемента ИЛИ и входом третьего элемента задержки, выход которого соединен с третьим входом второго...

Номер патента: 1135354

Опубликовано: 27.05.1997

Автор: Гриценко

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены истоковые и стоковые полупроводниковые области второго типа проводимости, на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости расположены последовательно слои первого диэлектрика, плавающего затвора, второго диэлектрика и управляющего затвора соответственно, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия элемента памяти, в нем слой первого диэлектрика выполнен из SixGe(1-x)O2 с переменным по толщине составом, где x 0,23 + 3,7 10-3

Номер патента: 1012704

Опубликовано: 27.05.1997

Авторы: Гриценко, Кольдяев

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...

Номер патента: 1780487

Опубликовано: 27.09.1998

Авторы: Егоров, Шишкин

МПК: H03K 19/16

Метки: памяти, энергонезависимая, ячейка

Энергонезависимая ячейка памяти, содержащая сердечник с прямоугольной петлей гистерезиса и обмоткой, первый вывод которой подключен к выходу первого логического элемента, который выполнен в виде элемента И - НЕ, один из входов которого соединен с шиной перемагничивания, триггер, R-вход которого подключен к шине сброса, инверсный выход - к одному из входов второго логического элемента, резистор, один вывод которого подключен к шине питания, и информационную шину, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения помехоустойчивости, введены дополнительный резистор, транзистор и диод, второй логический элемент выполнен в виде элемента "Исключающее ИЛИ", а триггер - в виде асинхронного RS-триггера на элементах И - НЕ,...

Номер патента: 795319

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: памяти, элементов

Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго слоя диэлектрика ионами элементов из группы веществ, атомный вес которых превышает атомный вес каждого из составляющих диэлектрик элементов, включающей фосфор, аргон, галлий, мышьяк и криптон, с дозой (5 1014 - 1

Номер патента: 1369041

Опубликовано: 27.07.1999

Авторы: Арутюнян, Тиунов

МПК: A61K 38/00

Метки: животных, памяти, стимулятор

Применение глютатиона в качестве стимулятора памяти животных.

Номер патента: 405474

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Белый, Воскобойников, Гиновкер, Синица

МПК: H01L 27/11

Метки: памяти, полупроводниковый, элемент

Полупроводниковый элемент памяти, выполненный на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник, диэлектрик которой состоит из слоев двуокиси кремния и нитрида кремния, причем окись кремния обеспечивает туннельное прохождение электронов, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона времени хранения информации, между двумя диэлектрическими слоями расположен островковый слой проводящего материала, например кремния.

Номер патента: 936727

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Колосанов, Синица

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит высокоомный слой полупроводника, отделяющий стоковую область от полупроводниковой подложки.

Номер патента: 1524725

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ефимов, Синица

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемента

Способ изготовления элемента памяти, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости первого слоя двуокиси кремния с отверстиями, формирование первой и второй диффузионных областей второго типа проводимости, формирование второго слоя двуокиси кремния с отверстием, расположенного на поверхности полупроводниковой подложки, формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диэлектрика термообработкой поверхности полупроводниковой подложки в окисляющей среде и среде аммиака, нанесение слоя нитрида кремния на поверхность слоя диэлектрика, формирование отверстий во втором слое двуокиси кремния, формирование первой, второй и третьей проводящих...

Номер патента: 1160907

Опубликовано: 27.01.2001

Авторы: Барейкене, Бондаренко, Волков, Захарова, Ивакин

МПК: H01C 7/10, H01L 45/00

Метки: материал, памяти, токопроводящий, элементов

Токопроводящий материал для элементов памяти на основе оксидного соединения ванадия, отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения информации, в качестве оксидного соединения ванадия он содержит додекаванадата гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12O31 n H2O, или изополиванадат молибдата (вольфрамата) гидрат, отвечающий общей химической формуле MxV12ЭyO31 n H2O, где M - щелочной или щелочноземельный металл либо водород; Э - молибден или...

Номер патента: 1345913

Опубликовано: 20.07.2004

Авторы: Дегтярева, Елышко, Шевченко

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, оперативной, памяти

Устройство для контроля блоков оперативной памяти, содержащее блок управления, выходы выбора кристалла, записи, результата контроля и входы сброса и пуска которого являются одноименными выходами и входами устройства, а выход синхронизации и вход признака окончания цикла соединены соответственно со счетным входом и выходом переполнения счетчика адресов, вход сброса которого подключен к одноименному входу устройства, а выходы являются адресными выходами устройства, блок сравнения, входы первой группы которого являются информационными входами устройства, а выход подключен к входу признака несравнения блока управления, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в...

Номер патента: 1276148

Опубликовано: 27.07.2005

Автор: Сундарев

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, постоянной

1. Устройство для контроля блоков постоянной памяти, содержащее сумматор, блок управления, первый блок сравнения и регистр контрольного числа, выходы которого соединены с одними из входов первого блока сравнения, другие входы которого подключены к выходам сумматора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности контроля, в него введены кольцевой регистр сдвига, регистр константы сдвига, второй блок сравнения, счетчик сдвигов, элемент И и регистр индикации, вход которого соединен с выходом первого блока сравнения, причем выходы регистра константы сдвига подключены к одним из входов второго блока сравнения, другие входы которого соединены с выходами счетчика сдвигов и одними из входов...

Номер патента: 1537039

Опубликовано: 27.07.2005

Авторы: Бареев, Сундарев

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, постоянной

Устройство для контроля блоков постоянной памяти, содержащее блок управления, элемент И, сумматор, первый и второй блоки сравнения, кольцевой регистр сдвига, первый счетчик импульсов сдвига, первый регистр константы сдвига, причем первый информационный вход первого блока сравнения является информационным контрольным входом устройства, управляющий вход блока сравнения соединен с входом блокировки блока управления, второй информационный вход первого блока сравнения соединен с выходом сумматора, счетный вход которого соединен с первым входом элемента И и третьим выходом блока управления, установочный вход сумматора соединен с пятым выходом блока управления и установочным входом первого...

Номер патента: 1446953

Опубликовано: 27.04.2009

Авторы: Потылицын, Саломатов

МПК: C22F 1/10

Метки: памяти, формы, эффектом

1. Способ изготовления деталей из материала с эффектом памяти формы, включающий нагрев заготовки и деформацию при термоциклировании в температурном интервале сверхпластичности, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности получения деталей сложной формы, заготовку предварительно устанавливают в форму, а термоциклирование осуществляют локальными областями до температуры фазового превращения, причем области нагрева и охлаждения чередуются между собой в последующих циклах.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что термоциклирование осуществляют в импульсном режиме.