Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 515158

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Ганитулин, Поляков

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, множеству, обращением, оперативное, памяти, ячеек

...- к входам блока записи-регенерации 7,Устройствэ работает следующим образом.35При пэстуглснии из устройства управлеи я ЦВ,"1 в блэк управления 9 сигнала "Обращение эосспечивается следующая последовательность работы олоков устройств.Пэ сигналу Д, (шина 25 ) эсушествля -ое". ся гашение предшествующей информации 40в регистрах 4, 10, 13, 21-24 и в регистрах адресов адресного блока 8,По сигналу Ц (шина 26) в регистрыпаадресов по координатам Х и У адресногоблока 8 производится прием адресов А и 45хА сечения, в регистры 21, 22 - прием коудэв маски по кэординатам Х и У в режиме записи, в регистры 23, 24 - прием кодов маски по координатам Х и У в режиме счит,:вания.При появлении на шине 27 блока управления 9 сигнала Я адресным блоком...

Номер патента: 515266

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Пресняков, Сульменев, Трошанов

МПК: H03K 5/13

Метки: входного, группы, однотактных, памяти, преобразования, разбитыми, сигнала, синхронизации, устройств, элеметами

...усилителя ощности - на входы первой группы элементов памяти. Максимальное количество элементов в каждой группе определяетсянагрузочной способностью усилителя мощности.В пре,цлагаемом устройстве смена информации на любом из выходов элементапамяти предыдущей группы произойдетобязательно в момент времени, когда насинхронизируюших входах элементов памяти послецующих групп имеется потенциал,соответствующий уровню логического нуля,что исключает ложную запись информациис предыцущих групп элементов памяти напослецуюшие, т, е. обеспечивает устойчивое функционирование однотактных элементов памяти, Это поясняется временной.циаграммой, привеценной на фиг, 2, гдеГ Г , Р- сигналы на выходах1соответствующих усилителей мощности,О 1 011 "- величины...

Номер патента: 516102

Опубликовано: 30.05.1976

Авторы: Борискин, Иванов, Пресняков, Тимашов

МПК: G11C 29/00

Метки: блока, памяти, постоянной

...регистра 1.Предложенное устройство работает слсдуогцим образом,При составлении микропрограмм, хранимых в блоке 3 постоянной памяти, в дополнительный разряд блока 1 заносится единица всякий раз, когда все управляющие сигналы микропрограммного устройства управления должны быть равны нулю. Обычайно это бывает в конце каждой из микропрограмм, но встречаются случаи, когда такая ситуация набл 1 одается в середине микропрограммы. Поскольку все выходы регистра 1 подключены к элементу ИЛИ 4, то на его выходе оказывается единичный потенциал всякий раз, когда один з триггеров регистра находится например, в единичном состоянии. Если обозначить единичное состояние выхода элемента ИЛИ 4 через А, а единичное состояние дополнительного разряда блока 3...

Номер патента: 516103

Опубликовано: 30.05.1976

Авторы: Голоборщенко, Леневич, Силуянов

МПК: G11C 29/00

Метки: матриц, памяти

...и вторым входами элемента И 14, выход которой подключен к входу блока управления печатью.Устройство работает следующим образом.Блок 6 управления выдает по программе один или несколько циклов запись - считывание информации по всем адресам контро. лирусмой матрицы 10. Записываемая и считываемая информация сравнивается в блоке 5 выявления сбоев, При совпадении записанной и считанной информации на выходе блока выявления сбоев появляется один сигнал, например низкий уровень, он подается на блок 3 управления печатью и блок 4 печати, печатает знак, например , определяющий область работоспособности проверяемой матрицы 10. В случае несовпадения записанной и считанной информации на выходе блока выявления сбоев образуется другой сигнал,...

Номер патента: 517162

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Анурьев, Грибок, Дивин, Косоруков

МПК: H03K 21/06

Метки: памяти, состояниями, тремя, устойчивыми, элемент

...на входе 10на выходе элемента 7 будена выходе элемента 8 - вьвыходе .элемента 9 - низкиПри изменении сигналанизкого на высокий на вы тся сле что выход входИ-НЕ" каждоговыходного элеме дуюшего плеча,схема элементами состояниямина фиг. 2 работы. тельной логики;диаграммы его пол временнь игнала т низкий стсокий, а нй,на входе,10 сходе элемента тремя у собстве Элемент памяти тойчивыми но элементИ-НЕ, вхо и выходные состояниями содержитяпамяти на элементахные элементы 4, 5 и 3ействия элемента. Цель достигается тем, ого элемента "И"-НЕ/ИЛплеча соединен со входомта "И-НЕ/ИЛИ-НЕ после На фиг, 1 изображенапамяти с тремя устойчивы Г, С. Анурьев и А. ф, Косоруко5 появляется низкий сигнал, который вызывает появление на выходах схем 9 и...

Номер патента: 519766

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Балашов, Гебгарт, Петрушина, Шумилов

МПК: G11C 29/00

Метки: матриц, оперативной, памяти, ферритовых

...блока 3 поступают сигналы с выходных шин матрицы 12.Блок 4 предусмотрен для регистрации результатов проверки матрицы.Регистр 5 числа служит для хранения во время записи информации, сформированной в блоке 6 управления кодом числа.Блок 6 используется для формирования кода числа во время записи в различных режимах работы устройства,Блок 7 необходим для выработки временной последовательности сигналов, управляющих разрядными токами в первых двух циклах проверки матрицы, а также для выработки кода числа, переменного в зависимости от адреса, к которому проводится обращение.Блок 8 предназначен для выработки временной последовательности адресных и разрядных токов испытательной программы в третьем цикле проверки матрицы.Блок 9 служит для...

Номер патента: 520620

Опубликовано: 05.07.1976

Авторы: Жучков, Мочалов, Ткачева

МПК: G11C 11/16

Метки: магнитная, памяти, ячейка

...смещения, ферромагнитнуюаппликацию 4 Г-образной формы и токовыепроводники управления 5 и 6, расположенные перпендикулярно ее сторонам,Г-образная ферромагнитная аппликация4 может быть расположена относительно то,ковых проводников управления 5, 6 уаапЫйвобразом; под проводниками, между ними,над ними - в зависимости от назначения,520620 условий работы и технологических возмож - ностей изготовления устройства,В пластине 1 при наличии постоянного поли смещения, создаваемого источником 3 н напРавленного перпендикулярно к поверхности пластины, под аппликацией 4, играющей роль магнитостатической ловушки, находится домен 2, Под действием градиентного магнитного внешнего поля, создаваемого током, протекающим по проводникам 5 или 6, 10 и...

Номер патента: 520624

Опубликовано: 05.07.1976

Автор: Бирман

МПК: G11C 25/00

Метки: памяти, пневматическая, ячейка

...1 подключен к входному кацалу Р, управляющцй --вхк.налу комаедиого ццалЗ 1 и м ф а Рдход к одному входу конденсатора 2 и ко входуповторителя 3, выход которого подключенк выходному каналуР,Второй вход конденсатора 2 соединен с атмосферой.Ячейка работа т следуюцич образом,Когда нмаидцый сигнал Р О,прццнмаетГзначение логическая едини, подмелбранная (по чертежу) каме)а конденсатора сообщается с входным каналом Ръхи упругаяперегородка конденсатора перещддтся так,что устанавливается баланс действукцццх цанее сил: усилия, развиваемого входыл дюлением ц усилия сжатой пружины. Следовтельно, величина объема подмембраццой кл.,ары устанавливается пропорциональной значению входного сигнала,При появлении ца комацдцом входе нуло52 Ц 624 Пр изменении...

Номер патента: 521604

Опубликовано: 15.07.1976

Автор: Ермолов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, элемент

...напряжение на нагрузке, то первый раздепительныйдиод 13 открывается и выкпючаегся тиристор4, так как напряжение на катоде тиристора4 становится бопее попожигепьным, чем наего аноде, Чуть позже с выключением гирисгора 4 аналогично выключается тиристор 5.Запирающее напряжение к катоду тиристора5 приклацываетсяс катода тиристора 7 черезвторой разделительный ди од 14 и первый дополнительный диод 15,Если нагрузка активная, то, когда анодное напряжение тиристора 7 падает до "Оф(полуводна синусоидального напряжения),он выключается также, и устройство возвращается в исходное состояние,В случае активно-индуктивной нагрузки выключение тиристора 4 происходит такжери положительной попувопне напряжения нашине 2, а выключение тиристора 7 наступаетпри...

Номер патента: 521605

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Домнин, Маковий, Петров, Савлук, Федоров

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ясейка

...базового тока транзистора 3, ВтоЗО рое кольцо, симметричное первому, состо-, ит иэ соединенных между собой коллек, тора транзистора 4 с базами транзисторов 1 и 7,:коллектора транзистора 7 и базы транзистора 4 с катодом диода 6. ;ЗбПри повышении потенциала беэ транзистдров 2 и 8 потенциал. коллектора транзис тора 8 и первого эмиттерв транзистора 2 понижвются,что приводит к увеличению тока 1 4 О через прямосмещеипый диод 5 а этов своЬ, ,очередь приводит к увеличению тока базы транзистора 3 и к повышению коллекториого тока этого транзистора, Повышение тока коллектора транзистора 3 ведет к увеличе ,р нию базовых токов трвнисторов 2 и 8, т. е, к еще большему повышению потенциала баз .транзисторов 2 и 8. Весь процесс происходит.:в...

Номер патента: 523451

Опубликовано: 30.07.1976

Автор: Каспирович

МПК: G11C 7/00

Метки: блоков, выборки, информации, магнитных, памяти, сердечниках

...проницаемости сердечников может изменяться с изменением остаточной индукции в широких преде.лах) и величины емкостной помехи от невыбранных разрядных .шин, которая зависит от 10 хранимой информации.Целью изобретения является повышение надежности устройства.Поставленная цель достигается тем, чтоустройство для выборки информации из бло ков памяти содержит резисторы и дополнительную входную обмотку, средняя точка которой подкзпочена к ключу записи, а концы - ,через резисторы подключены к соответствующим шинам считывания и записи.а чертеже представлена принципиальная а устройства для выборки информации.523451 Формула изобретения оставитель В. фроло актор Н. Суханова Техред А. Камышникова Корректор Л. Котов Изд, 1 И Государствен по делам...

Номер патента: 523454

Опубликовано: 30.07.1976

Авторы: Стоянов, Хорошунов

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, памяти, ячейка

...в ней исток второго транзистора подключен к второй адресной шине 45 50 5 э до напряжения Уз(2 Упор, где Ц - напряжение на запоминающем конденсаторе; Упор -пороговое напряжение транзисторов 1 и 2,На шину 5 подается нулевой уровень напряжения, а на шины 4 и 6 - уровень напряжения, соответствующий У,р, в результате чего в обоих состояних напряжение на затворахтранзисторов 1 и 2 оказывается меньше порогового и транзисторы закрываются, что исключает связь запоминающего конденсаторас разрядной шиной 4 и связь разрядной шинысо второй адресной шиной 6,Перед считыванием разрядная штина 4 заряжается до высокого уровня напряжения Е)ЗУр, а при считывании величина напряжения на ней должна быть больше Ур с тем,чтобы исключить проводимость...

Номер патента: 523457

Опубликовано: 30.07.1976

Автор: Соколов

МПК: G11C 29/00

Метки: защиты, памяти

...входы блока 11 подсоединены к выходам элементов И 7, а выходы - к одним входам элементов И 9, другие входы которых через дешифратор 5 строк подключены к выходам регистра 2 адреса строк, а выходы - к одному входу элемента И 13, другой вход которого соединен с выходом элемента ИЛИ 8.Работает устройство следующим образом.Перед началом работы в регистр 4 вводится код маски страниц, используемых в заданной программе, а в блок 11 - коды всех строк, используемых в заданной программе.Далее после формирования адреса в регистре 1 происходит сравнение на элементах И 7 информациипоступающей из дешифратора 6 страниц и из регистра 4 маски страниц. При совпадении информации на входах одного из элементов И 7 формируется адрес страницы памяти, по...

Номер патента: 524227

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Голоборщенко, Леневич, Силуянов

МПК: G11C 29/00

Метки: матриц, памяти

...которого подключен к первому входуэлемента "И", а его выход соединен с блоком управления печатью и входом генератора 1. Выход блока выявления сбоев черезсчетчик связан с блоком управления печатью и дешифратором, один выход когорогосоединен со вторым входом триггера, а другой - со вторым зходом элеменга фИ".Устройство рабогает следующим образом.Блок управления 6 выдает по программеодин или несколько циклов "запись-считывание" информации по всем адресам конгролируемой матрицы 9, Записываемая и считываемая информации сравниваются в блокевыявления сбоев 5,При совпадении записанной и считаннойинформации на выходе блока выявления сбоев появляется сигнал когорый подается через счетчик на блок управления печатью, иблок печати огпечатает...

Номер патента: 472594

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Буркин, Селезнев

МПК: G11C 5/12

Метки: матриц, механизм, памяти, подачи, прошивки, сердечников, устройстве, фиксирования

...вдоль которого за счет навитой проволоки образуются гнезда для каждого сердечника, Этот паз может быть сделан сквозным до отверстия внутри вала, которое связывают с источником вакуума. к моментуотсечки сердечников и с линией сжатоговоздуха к моменту их сброса,Однако такое устройство сложно выполнить из-за трудностей соблюдения прецизионных допусков в винтовой канавке для нада и в самой навивке прово го, оно имеет невысокие эксхарактеристики, так как стол х сердечников не стро прогале между виткамидозаторе провода, что сердечников, Сердечник о уходит в паэ своей, ячейки т сброс.етения - повышение точности ечников,4725843ми 6, образованными дном паза и;стенками проточкисформированы два призмовых упора, фиксирующих сердечник от...

Номер патента: 525160

Опубликовано: 15.08.1976

Авторы: Березин, Ботвинник, Кимарский, Онищенко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...чем на резисторе 14 (тоанзисторы 1 и 5 открыты), и транзисторы 6 и 7 будут практически закрыты, т. е, через нихбудутпротекать много меньшие токи, Для того, чтобы % предотвратить заметное насыщение транзистора 1 необходимо выбрать коэффициент усиленияпары транзисторов 1 и 5 (6 и 7) таким, чтобы перепад узловых потенциалов в Обоих состояниях составлял 0,15 - 0,3 В. В этому случае инжекция носителей через переходколлектор-база транзистора очень незначительна, и транзистор можно считать ненасыщенным.Для записи информации на адресную шинуподается отрицательный импульс напряжения,а на одну из разрядных шин - положительныйимпульс, чтО приводит к о"гкрываиию соответствующего диода, например, 8, через которыйпротекает ток, величина которого...

Номер патента: 526022

Опубликовано: 25.08.1976

Автор: Войтович

МПК: G11C 19/32

Метки: криотронного, памяти, регистра, сдвигающего, ячейка

...отрицательнойполуволны двухполярных сдвигаюших импуль-,сов производится подготовка ячейки к восприятию информации от предыдущей ячейкирегистра, а во время действия каждой по- ф 0ложительной полуволны производится записьинформации в ячейку, Информация в ячейкеопределяется состоянием запоминающегоконтура, в котором постоянный ток можетпроходитьпо ветви оЬд ("1") или по ветви 0ДСД ("О").Постоянный ток должен иметь такое направление, чтобы с токами в вентилях криотронов 3 и 4 совпадала по направлениюотрицательная полуволна сдвигаюшего импульса, а с токами в вентилях криогронов5 и 6 - положительная полуволна.В исходном состоянии в запоминающем,контуре ячейки постоянный ток проходит поя.гьц Осд , т.е. по вентилю криотрона 6,60 4При атом...

Номер патента: 526024

Опубликовано: 25.08.1976

Авторы: Кизик, Самойлович, Шек-Иовсепянц

МПК: G11C 14/00

Метки: блоке, защиты, информации, памяти

...(или стабилизированное напряжение питания постоянного тока) и трехфазное напряжение сети питания переменного тока, Стабилизатор напряжения 5 запитывает устройство и дает опорное напряжение на балансный усилитель 3. Триггер 8 автоматически устанавливается в нулевое состояние, соответствующее напряжению запрета на выходе данного устройства, блоком 6 управления. Трехфазное сетевое напряжение преобразуется датчиком 1 сетевого напряжения в напряжение постоянного тока, пропорциональное напряжению се. ти, и поступает на вход балансного усилителя 3 через элемент задержки 2. С установлением до. пустимого напряжения сети напряжение на входе балансного усилителя 3 достигает величины опорного напряжения лишь после окончания всех переходных...

Номер патента: 526877

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Буряченко, Доля, Редченкова, Шепелева

МПК: G06F 3/04

Метки: динамическим, канал, мультиплексный, памяти, распределением

...поля блока 11 резервной памяти.11 ри полном отказе блока 7 адресной памяти блок 1 резервной памяти использустс так жс, как и прп Отказе Отдельных ячсск адресной памяти. Замещение ячеек производится в прсдслах возможностей резервной памяти.При полном отказе блока 13 основной памяти вся передаваемая и управляющая информация размещается в блоке 7, а функции адресной памяти полностью перекладываются на блок 11 резервной памяти. Лдресная память разбивается на зоны с объемом, достаточным для хранения передаваемой и управляющей информации подканала. Лдресация зон адресной памяти осуществляется старшими разрядами адреса ячеек. Поиск свободной (исправной) зоны в адресной памяти происходит аналогично описанному выше для основной памяти с...

Номер патента: 526952

Опубликовано: 30.08.1976

Автор: Капитонов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...сумме кодов, вырабатываемых генератором 7 случайных чисел и счетчиком 3 математических ожиданий, В начальный момент счетчик математических ожиданий обнулен, поэтому адресная информация представляет собой коды чисел, вырабатываемые генератором 7 случайных чисел. Генератор случайных чисел вырабатывает коды 15 20 25 зо 35 40 45 50 чисел с математическим ожиданием т, и выбранным параметром о (см. фиг. 2, кривая 12),Плотность вероятности обращений к ячейкам ОЗУ соответствует кривой 12 до тех пор, пока содержимое счетчика 3 математических ожиданий не изменится, Количество обращений к ячейкам ОЗУ, адреса которых ограничены кривой 12, определяется уставкой Лг в счетчике 1 числа обращений, Максимальное число обращений происходит к ячейке,...

Номер патента: 526954

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Дорохин, Каминский, Карлов, Плешев, Савелов, Толчинский

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...состояние в котором (начальный адрес) установлено программным блоком, В зависимости от команды, выдаваемой счетчиком адресных операций, и в соответствии с состоянием дешифратора, г свою очередь зависящего от состояния счетчика циклов( от порядкового номера цикла), блок формирования адресов осуществляет преобразование кода счетчика адресоз, обеспечивая необходимый порядок перебора ячеек объекта проверки (естественный, много 526954кратный, чсредование выбора ячеек с прямым и инверсным соотношением адресов и разрядов адреса и т. д.).Обращение к той или иной ячейке памяти в необходимом режиме (записи, считывания, считывания без регенерации и т, д.) осуществляется посредством сигналов, выдаваемых блоком 15 формирования сигналов у,...

Номер патента: 528610

Опубликовано: 15.09.1976

Авторы: Кадышев, Лаврентьев, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 7/08

Метки: блоком, памяти, полноточной, разрядным

...дополниенты И, одни входы которых к гыходам блока управления, иены соответственно с управляю- и Прием и Выдача, а выходы ко входам элементов И,да 14, которые подключены ко входам элементов И обратного кода 2.Работает устройство в двух режимах - в режиме Обращение к блоку памяти с Приемом нового числа и,в режиме Обращение с Выдачей числа из блока памяти. При работе устройства в режиме Обращение с Приемом в блок управления 4 по шине 5 подают команду Обращение и по шине 9 - команду Прием. Физически команды могут быть либо импульсами, либо потенциалами соответствующей полярности. Одновременно с командами на кодовых шинах 13 и 14 всех разрядов устанавливается код числа, записываемого в блок памяти. В том случае, когда код данного разряда...

Номер патента: 529485

Опубликовано: 25.09.1976

Автор: Кабанов

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, памяти, ячейка

...и эткрыт, если хранитлогическую "1".Б режиме считывания напряжения на первой адресной шине 8 повышается до логическэи "1" н тоетий транзистор 3 открывается. Вторая разрядная шина 7 заряжаетсядэ уровня логическои "1". Если ячейка па -мяти хранит "1", тэ разояд;рая шина 7 раз -ряжается дэ уровня лэгическэгэ "0" че 1.;езоткрытые трае 1 зис торы 2 и 3, Если ячейкахранит "0" тэ транзистор 2 закрь;т и наразрядной ше 1 не 7 сохраняется уровень лэгЕческэи "1 ф,В режиме записи уровень лэгическэй "1 подается на втэоук, адресную шину 9 и вгэруЕз 1 азэядеую шин 1 р, тр:11 зе 1 сторы 4 и 1 открьрв;Еются. Записываемая инфэол шия подается на .Ееэвую раззядную шину е (логическии "О" или "1),После заряда или эазряда запоминающего конденсатора 10...

Номер патента: 531193

Опубликовано: 05.10.1976

Авторы: Ильяшенко, Киселев, Ревенко

МПК: G11C 11/08

Метки: памяти, элемент

...мощность. блокировки, подготов ходными 21.Недостатками такого являются сравнительно .ствие и большая потре что перемычки вокруг малогЬ оказанные пунктиром, выпол ф531193 иг. 2Корректор . Б. Ю Составитель Ю.едактор Л. Утехина Техред М. Лико нталь Тираж 723твенного комитетаделам изобретений Ж, Раушсквя каз 5551/243 ЦНИИПИ Государс по 113035 МоскваПодписноеСовета Министрои открытийаб., д. 4/5 Филия ППП ГЬтснт, г. Ужгород, ул, Про.ктнчя нены и материала с коэрцитивной силой,большей, чем коэрцитивная сила материалаостальной части магнитопровода трансфлюксора,При этом при одновременной подаче имфпульсов токаии в обмотки считываниМ и подготовкиЮп соответственно элементспамяти намагничивается против часовой стрелки, что соответствует...

Номер патента: 532131

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Иоффе, Федосов, Шадрин

МПК: G11C 8/02

Метки: блоков, выборки, информации, памяти

...в адресно- разрядные группы 8. Устройство для записи информации в ЗУ содержит числовые ключи записи 9, трансформаторы 10 ключей записи, первичные обмотки которых имеют начало 11 и конец 12, ключи записи 13 и дополнительные разрядные ключи 14 с управляющим входами 15, объединенные поразрядно в группы 16 и подключенные к источнику питания 17; входы 18 числовых ключей записи 9 связаны с дешифратором адреса (на чертежах для упрощения не показаны дешифрирующие диоды).Прп работе устройства для чтения информации импульсный сигнал с дешифратора адреса поступает на вхбд 2 числового ключа -пения 3 и открывает его. При этом от источника напряжения питания 1 через обмотки трансформаторов 4 ключей чтения и открытые числовые ключи чтения 3...

Номер патента: 533987

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Дятлов, Коняшкин, Мишин, Потапов

МПК: G11C 11/24

Метки: памяти, электростаический, элемент

...У относительно пластины 1 (либо 7). Действие напряжения У, становится эффективным только тогда, когда средний выступ 2 под действием напряжения Уп притянут к поверхности изо лирующего основания. После приложения Унапряжение Уп можно установить равным нулю.тонкопленочного резистора б за.в уменьшении влияния напряжения средний выступ 2 находится в сво533987 4 Формула изобретения Составитель Т. Кирюхинаедактор В. Левятов Техред 3. Тараиенко Корректор Н Изд,1694 Тираж 723 ИИП 1 Л Государственного комитета Совета Министров по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж.36, Раушская наб., д. 416писно аказ 2268 Типография, пр. Сапунова, 2 ем исходом состояи 1 (зазорпом 2 и резистором максимален). Действительно, пусть на источнике, задающем...

Номер патента: 533988

Опубликовано: 30.10.1976

Автор: Тенк

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп-транзисторах, памяти, ячейка

...нуль), то тактовый импульс Ф, не проходит через запертый запоминающий транзистор 1. В итоге не происходит подзаряда конденсатора 2.Р е ж и м з а п и с и, Адресный импульс на шине 9 отпирает адресный транзистор 5 одновременно с поступлением тактового импульса Ф на шину б импульсного питания. Через открытые транзисторы 5 и 4 обкладка конденсатора 2, соединенная с затвором запоминающе. го транзистора, подключается к числовой шине 10. Если записывается логическая единица, то цепь заряда конденсатора 2 замыкается через открытый запоминающий транзистор 1. При записи нуля заряда конденсатора 2 не происходит либо он разряжается через транзисторы 5, 4 и 1, если ранее был заряжен.Режим считыв апня. Числовая шина 10 предварительно разряжается,...

Номер патента: 534792

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Казеннов, Контарев, Кремлев, Семученков, Стороженко, Тихонов, Щетинин

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральная, памяти, ячейка

...представлена принципиаленная схема интегральной ячейки памяти. Интегральная ячейка памр-и-р-транзистор 1, первуюадресные шины, шину записивания 5 и 6, и-р-и-транзистор 7нительный ь-р-и-транзистор 8.Интегральная ячейка памяти рабследующим образом.В режиме хранения информации3 подано напряжение, величина котопределяет ток хранения, На шиневания 6 напряжение равно нулю, асчитывания 5 подано опорное напрположительной полярности. На шине5347 10 Составитель В. ГордоноваРедактор Л. Утехина Техред М Ликович Корректор Б, К)гаЗаказ 5551/243ЦНИИПИ Го С Тираж 723 сударственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, РаушскаяПодписноеСовета Министровоткрытийаб., д. 4/5 13035 атентф, г. Ужгород, ул. Проектн филиал П иряжение равно нулю, а на...

Номер патента: 536527

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Аракчеева, Иванов, Мамута, Прушинский, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...коллектор и-р-и транзистора 8, бава которого связана с числовой шиной 7, а эмиттер его - с шиной питания (смещения) 9. З 5Ячейка памяти работает в трех режимах;режим хранения; режим записи информации и режим считывания информаптл.В режиме хранения информации прямым смещением напряжения на переходе база - 4 О эмиттер открыт и насыщен транзистор 8, а, следовательно, смещены в прямом направлении переходы эмиттер - база транзисторов 5 и б, и происходит непосредственная инжекция носителей в базы гг-р-гг транзисторов 1 45 и 2.Если один из транзисторов 1 или 2, например транзистор 1, насыщен и инверсный коэффициент усиления по току этих транзисторов В=1, то обратный ток эмиттера насы щенного транзистора 1 переключает на себя ток инжекции...

Номер патента: 536535

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Березин, Борисов, Завалишин, Никишин

МПК: H01F 41/08

Метки: накопителей, памяти, прошивки, сердечниках, ферритовых

...и ориентации сердечников 21. Такое устройство не позволяет производить прошивку сердечников, расположенных в шахматном общин вид.Устройство содержит дозатор 1 отсечки и ориентации сердечников, выполненный в виде винта с шагом, равным шагу прошивки, и пазом 2, в котором жестко закреплена гребенка 3 с шагом выступов 4, равным двум шагам прошивки.Подлежащие прошивке сердечники 5, нанизанные на провод 6, располагаются в узлах крепления координатных проводов (на чертеже не показаны) . Для прошивки сердечников 5 предназначены провода 7.Устройство работает следующим образом.Сердечники 5, нанизанные на провод 6 и вставленные во впадины резьбы винта 1, подают до гребенки 3. Четные сердечники 5 упираются в выступы 4 гребенкиЗ, а нечетные...