Торотенков

Номер патента: 1765846

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Алексеев, Ковалев, Минкина, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменного, запоминающего, сигналов, тактирующих, устройства, формирователь

...сигналов 21 и выходы 22 блока.Дешифраторы (фиг, 2) выполнены на логических элементах НЕ, И, ИЛИ, в которых выходы регистра 14 или регистра 15 соединены через элементы НЕ 23 или непосредственно с элементами И 24, элементы И 24 подсоединены к элементу ИЛИ 25.На фиг. 3 показана электрическая схема формирователей сигналов (одного из группы формирователей сигналов 21), включающая логические элементы и триггер, Входными элементами формирователей сигналов являются элемент И-НЕ 26 и элемент И 27, подсоединенный к элементу ИЛИ-НЕ 28, а выходным элементом является триггер 29.Формирователь работает следующим образом,Вначале производится асинхронный или синхронный установ в "0" триггера 12, первого регистра 14, второго регистра 15 и...

Номер патента: 1683071

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Горохов, Драчук, Зиборов, Иванов, Косов, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, формирователь

...11 снижаются до значений, недостаточных после их ослабления входными делителями на реЗисторах 21 и 22 для отпирания транзисторов 19 ключей 9 и 10.В результате запирания транзистора 19 положительная полуволна синусоидального напряжения на входе 27 ключа 9 проходит почти без ослабления на ее выход и поступает на базу транзистора 14 согласующего усилителя-ин вертора 7.Резистором 18 согласующего усилителя-инвертора 7 осуществляется смещение рабочей точки транзистора 14 до такого значения Осм, чтобы при нулевом напряжении на сигнальном входе ключа 9 транзистор 1 находился на границе отпирания. При таком выборе рабочей точки транзистор 14 открывается на время положительной полуволны синусоидального напряжения на сигнальном входе ключа 9 и...

Номер патента: 1675949

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Ковалев, Косов, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...И первой группы 5, кроме второго элемента группы, поскольку на его вход не поступил сигнал сопровождения с второго блока группы 3. При этом сигналы сопровождения в разное время, поступающие на элемент ИЛИ 7, запускают одновибратор 9, длительность управляющего импульса с выхода которого достаточна для подачи необходимого количества импульсов с многофазного генератора 1 для увеличения соответствующих значений адреса в адресных регистрах группы 10, кроме второго, на единицу. При этом код счетчика 8 уменьшится на и - 1, Таким образом, по адресу, хранящемуся во втором из группы регистров 10, не будет передано слово данных по группе входов-выходов 14, В том случае, если в следующей серии тактовых импульсов будет сформировано слово во...

Номер патента: 1667156

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Алексеев, Жучков, Ковалев, Лашкова, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, исправлением, ошибок

...построчного кон) роля поступают для анэли.а В блок аб аружения ошибок 11 (фиг,2).В случае, если В сумме будут с одер)каться одни О и при отсутствии ошибок построчного контроля, не Вырабатывается сигнал корректируемай 14 или неисправимой )шибки 15 Опрос ашгбки фогмируется счетчикам 19 в режиме счгтывэнния В конце прохОждения массива гнфармэции и падэется В блок Обнаружения ащфок 11. При отсутствии ошибок или в .;учае сигнала неиспрэвимсгй ошибки повто,)ое считывание С КООРЕкЦИЕИ ИгфаамаЬ 1 И Не ПРОИ,)ВОЦИТ- ся, Неиспрэв 4 мэя а 1 и 1 О;э бываег Двух Видав; 8 сли кОличестВО едииц В сумме мэссиВВ2 если Отсут"ТВ 1 ют ециницы в сумме и имеется ошибка Осгрочного контроля состояние "1" трипера 261, Два Вида неисправности ОбьеДинягатся В...

Номер патента: 1617457

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Алексеев, Ковалев, Косов, Коськина, Николаев, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, модуль, памяти

...импульс по входу13 поступает на третью группу входовтретьей группы 8 усилителей считывания.Считанное слово заносится в реьгистр 9 числа и далее выдается черезмультиплексор 12 на числовые выходымодуля доменной памяти, которые имеюттри состояния. На управляющем входемультиплексора 12 должен при этомприсутствовать сигнал выбора модулядоменной памяти,Стабилизация токов продвижения с помощью блока 10 корректирующих индуктивных элементов позволяет использовать общий стробирующий импульс для всех усилителей считывания третьей группы 8, поскольку считанные сигналы будут повремени зафиксированы относительно токов продвижения.5 161745Использование блока 11 корректирующих резисторов позволяет регулировать коэффициенты усиления...

Номер патента: 1615805

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Алексеев, Братман, Ковалев, Минкина, Росницкий, Савельев, Соколова, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменах, запоминающее, магнитных, цилиндрических

...соответственно, увеличивается частота импульсов, запускающих формирователь 2 поля вращения. При уменьшении напряжения питания Чпиг частота тактовых импульсов генератора 4 уменьшается. При изменении частоты поля вращения, обусловленном изменением напряжения питания устройства, изменяются установившиеся значения в переходном процессе нарастания и спада тока поля вращения (фиг.З), что позволяет стабилизировать амплитуду тока,5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Наличие терморезистора 13 в делителе 5 напряжения (фиг.2) позволяет корректировать значение упраляющего напряжения Чупр при изменении температуры окружающей среды, Стабилизация по напряжению питания Чгн генератора 4 тактовых импульсов обеспечивается стабилизатором 14 напряженияия.При...

Номер патента: 1594602

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Горохов, Драчук, Зиборов, Иванов, Косов, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, токов, управляющих, формирователь

...известно, что резистор, включенный в эмиттер транзистора, создает в усилителе. отрицательную обратную связь по току, в результате чего ток коллектора транзистора практически точно повторяет форму входного напряжения на его базе, т,е, такой усилитель можно рассматривать как генератор тока. Следовательно, под воздействием напряжения отрицательной полуволны на базе мощного транзистора 1 его коллекторный ток имеет форму синусоидальной полуволны, амплитуда. которой зависит как от амплитуды полуволны входного напряжения,так и от величины сопротивления резистора 10,Одновременно положительная полу- волна выходного сигнала коммутатора 14 через согласующий усилитель 9 открывает транзистор 4, в результате чего коллекторный ток транзистора 1...

Номер патента: 1566409

Опубликовано: 23.05.1990

Авторы: Жучков, Ковалев, Косов, Лашкова, Росницкий, Савельев, Соколова, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти

...массива, по входу 27 поступает сигнал адреса устройства, переводящий триггер 6 в "1". На блоке 19 задержки с помогцью триггера 6 формируется имчульс требуемой для режима записи длительности, Из блоков 21 доменной памяти в блоки оперативной памяти группы 14 заносятся массиг:,ы данных После накопления массива через мультиплексор 11 в буферный регистр 10 и затем в соответствующий регистр 1 передаются слова карт годности, Поочередно осуществляется выборка иэ блоков оперативной памяти группы 14 с помощью второго мультиплексора 12, управляемого дешифратором 15. Слова поступают в накопительный сдвигающий регистр 4 и в соответствии с картами годности через первый элемент И 2 заносятся в блок 8 буферной памяти, После окончания формирования...

Номер патента: 1541676

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Алексеев, Ковалев, Лашкова, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 29/00

Метки: запоминающее, идентификацией, ошибок

...образом.Для приведения устройства в исходное состояние на вход блока 11 управления с шины 16 подается сигнал начальной установки, который поступаетчерез элемент ПЕ 53 на входы счетчи 5ков 54 и 55, Этот же сигнал подаетсяна вход распределителя 3, устанавливая триггер 23 в "0" состояние, атакже на входы первого 12 и второго14 регистров, на входы первого 13 ивторого 15 регистров и на вход циклического сумматора 9.В режиме записи информация поступает на вход распределителя 3 с шины 8и подается на входь элементов ИЛИ-И36.По сигналу "З.-.лись-считывание" инФормация передается в регистр 12 илив регистр 14 в зависимости от поступившего на них разрешения с блока 11.Если, к примеру, информация поступила в регистр 12, то она запись ваетсяв...

Номер патента: 1499407

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Жучков, Ковалев, Косов, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 29/00

Метки: доменной, памяти

...состояние и тактовые импульсы с второго тактового входа 47 устройства поступают на вход счетчика 28, Через время, равное времени переполнения счетчика, выходной импульс с него поступает на вход элемента ИЛИ 10 и далее на сброс группы 27 триггеров, отключающих питание с дополнительных блоков памяти, при этом устройство управления снова находится в исходном состоянии и потребляет питание только за счет первого, "дежурного" блока памяти, что при больших объемах памяти существенно снижает энергопотребление запоминающего устройства в целом.Формула изобретенияУстроиство управления для доменной памяти, содержащее группу блоков памяти, генератор импульсов, первый и второй элементы ИЛИ, первый триггер, элемент сравнеюя, первый и .второй...

Номер патента: 1481856

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Алексеев, Жучков, Ковалев, Косов, Минкина, Росницкий, Савельев, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти

...странице, когдав начале цикла установится в состояние "1" триггер 4 поиска и установится в состояние "1" при начале работыусилителей воспроизведения триггер 5разрешения, Этот процесс продолжается до тех пор, пока не будет найденаначальная страница с маркером,Защита маркерного регистра хранения включается, когда поиск закончен и с элемента НЕ 10 на элементИ-НЕ 17 поступает разрешающий потенциал. Такой жв разрушающий потенциалподается с кодовой шины Обход" (обход маркерного регистра хранения).В начале цикла работы доменной памяти по сигналу с накопителя 1 и элемента 8 задержки запускается элементИ-НЕ 17, устанавливающий триггер обхода в состояние "1", С инверсноговыхода этого триггера запрещаетсяпрохождение сигналов с блока 2 и...

Номер патента: 282428

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Гродзенский, Гуральник, Росницкий, Торотенков, Циолковска, Ярославцев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...4/5 Областная типография Костромского управления по печати ческие струны из материала, имеющего относительное удл нсние не менее 40%,Предмет изобретения1. Способ изготовления матриц запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках, состоящий в том, что на ткацком станке в качестве основы натягивают технологические струны, в которые последовательно вплетают обмотки, после окончания плетения заливают обмотки компаундом или лакируОТ, а затем извлека 1 от технологические струны, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов матриц и устранения деформации обмоток, в процессе изготовле 5 ния технологические струны перемещают, а сформированные обмотки отделяют от зоны плетения зажимом-разделителем,2, Способ по п. 1,...

Номер патента: 254571

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Зиг, Торотенков

МПК: G11C 11/34, G11C 7/00

Метки: запоминающее

...коммутатора объединены по группам на адресные шины 7. Адресные шины б подключены к транзисторам 8 подго товительцых ключей, а адресные шины 7 -к транзисторам 9 разрешающих ключей. Адресный ток задается формирователем 10 импульсов тока едццым для всего запоминающего устройства.10 Для обеспечения селекции адреса адресныешины б имеют потенциальную связь с земляной шиной через сопротивления 11, а шины 7 - с источником питания 12 через сопротивления ;. Последовательно " сопротивлениями 1 Б 11 и 1 включены диоды 14, запертые напря.женцем смещения 15, которое подается через сопротивления 16 в точки соединения диодов 14 с адресшямц шинами 6 ц 7. Величина сопротпвлешш 16 выбирается достаточно боль шой, чтобы подкгцочение источника...

Номер патента: 251004

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Торотенков

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...и диодов, подключенных к этому же ключу, связана с разрядной обмоткой, включенной в противоположное плечо мостовой схемы, Это позволяет уменьшить помехи при считывании 25 информации.На чертеже приведена схема одного разряда запоминающего устройства.Диодыадресного коммутаторпоследовательно с адресными о 30 Диодыадресного коммутатора объединяются по группам адресными шинами 5, связанными с разрешающими ключами 6. При этом каждая группа диодовсостоит из,двух половин, одна половина группы подключена к четным адресным обмоткам, связанным с разрядной обмоткой 7, включенной в одно плечо мостовой схемы, а другая половина группы подключена к нечетным адресным обмоткам, связанным с разрядной обмоткой 8, включенной в противоположное плечо мостовой...

Номер патента: 231224

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Степан, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающее, магнитных, пленках, цилиндрических

...тактового импульса производит цикл считывания записи. Считывание производится на переднем фронте импульса адресного тока, а запись - при совпадении заднего фронта этого же адресного тока с разрядным током соответствующей полярности,На импульсный вход вентиля 19 поступает через линию задержки 20 последовательность импульсов 22, время задержки должно быть меньше времени между двумя тактовыми импульсами, но больше или равно времени цикла считывание - запись,Пусть в регистре 8 записан код, согласно которому обращение производится по (К - 1) адресу. За первые (а - 1) тактов производится многократная запись информации в ячейку при максимальных амплитудах импульсов токов управления. После того, как на вход 1 б счетчика 14 поступит п...

Номер патента: 219634

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гродзенский, Гуральник, Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающая, ячейка

...током в адресной обмотке, и полем, размагничивания, которое возникает 10 при повороте намагниченности к осевому направлению и замыкании магнитного потока, обусловленного этой намагниченностью вне ЦТМП.Обмотка считывания должна быть узкой, 15 чтобы поле размагничивания было велико, аистинное поле возбуждения адресного тока считывания б было меньше минимального поля анизотропии ЦТЯП во всех точках запоминающей ячейки, благодаря чему величина 20 остаточной намагниченности не будет уменьшаться при сколь угодно большом числе возбуждений (обращений к ячейке). Это происходит в том случае, если угол поворота намагниченности не превышает некоторой критиче ской величины, при которой он полностью обратим.Поле размагничивания возникает...

Номер патента: 213419

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Росницкий, Торотенков

МПК: G01B 7/30, H03M 1/22

Метки: легкого, магнитнойпленки, намагничивания, оси, отклонения, угла, цилиндрической

...12 пленки будет усгановлена в направлении, которое условно будет считаться положительным, Для такого направления можно построить кривую разрушения 13.При разрушении этой намагниченности импульсом 2 осевого поля, когда амплитуда сигнала 4 равна нулю, конец вектора 14 осевого разрушающего поля Нр, лежит на кривой разрушения 13.После окончания установочного импульса 5 намагниченность 15 пленки будет установлена в направлении, которое будет условно считаться отрицательным. Для такого направления намагниченности можно построить кривую разрушения 1 б. При разрушении намагниченности 15, когда амплитуда сигнала 4 равна пулю, конец суммарного вектора 17 полей Нр, 14 и Нр 18 лежит на кривой 1 б.1.1 а этой же фигуре даны теоретическая...

Номер патента: 207261

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Торотенков

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких

...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...

Номер патента: 190414

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14, G11C 5/04

Метки: замкнутый, запоминающий, магнитный, тонкопленочиый, элемент

...магнитный запоминающий элемент тороидальной формы.Он состоит из цилиндрического проводника1 (подложки), изогнутого в виде тора и покрытого ТМП, тонкого слоя 2 ферромагнитного материала (кипера) для замыкания маг нитного потока по зазору (этот слой кипераможет быть сведен к минимуму и совсем прп малом зазоре отсутствовать), многопроводпой обмотки 3 возбуждения.Замыкание магнитного потока по воздуху в 5 небольшом зазоре при отсутствии кипера приводит к тому, что зтагнитное поле формы сосредоточено в основном в этом зазоре и практически не действует на ТМП запоминаюгцего элемента.20 Ось легкого намагничивания (ОЛН) анизотропной ТМП у элементов первого типа совпадает с окружностями сечений, плоскости которых содержат ось вращения тора,...

Номер патента: 187839

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Росницкий, Торотенков

МПК: G11C 11/14, G11C 5/02

Метки: запоминающего, магнитных, матрица, пленках, тонких, устройства, цилиндрических

...или устранено совсем. При этом оно будет мало зависеть от геометрических размеров запоминающей ячейки.Таким образом, геометрические размеры ячеек могут быть уменьшены до таких величин, которые обеспечивают существующий уровень технологии. Величина истинного поля возбуждения в ячейках предлагаемой матрицы будет близка к величине поля управляющих токов, это даст возможность снизить их амплитуды, Выход магнитного потока из пленки запоминающей ячейки будет локализован в месте подхода дополнительного магнитопровода к пленке. Благодаря этому запоминающие ячейки могут быть расположены весьма близко одна к другой.На чертеже показан один из вариантов выполнения предлагаемой матрицы.Цилиндрическая тонкая магнитная пленка нанесена на провод 1...