Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 488258

Опубликовано: 15.10.1975

Автор: Жемейцев

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, памяти, ячейка

...заземлена) транзистора 2 временно хранится в форме заряда информации.Шины 5, 6, 7 - разрядная шина, адресная шина записи и адресная шина считывания соот ветственно.В режиме записи информации на адреснуюшину записи 6 н разрядную шину 5 поступают сигььал выборки, соответствующий 1, н сигнал О нлн 1 записываемой информации 10 соответственно; на адресной шине считывания7 поддерживается нулевое напряжение (напряжения измеряются относительно подложки). Транзистор 1 закрыт, транзистор 3 открывается. Емкость 4 либо заряжается до на пряжения, прн котором открывается транзистор 2 (запись 1), либо разряжается до нулевого напряжения, при этом транзистор 2 закрыт (запись О). После записи на шинах ячейки поддерживается нулевое...

Номер патента: 488259

Опубликовано: 15.10.1975

Автор: Жемейцев

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, памяти, ячейка

...проводимости п-типа.При записи информации на шину 5 поступает сигнал с высоким уровнем напряжения, на шину 6 - сигнал О (нулевое напряжение) или 1 (высокий уровень напряжения) записываемой информации (фиг. 2), Транзисторы 2, 3 полностью открыты высоким уровнем напряжения. Емкость 4 либо заряжается до напряжения, при котором открывается транзистор 1 (запись 1), либо разряжается до нулевого напряжения, при этом транзистор 1 закрывается (запись 0). После записи на шинах 5, 6 поддерживается нулевое напряжение, транзисторы 2, 3 закрыты, транзистор 1 открыт или закрыт.При считывании на шину 5 поступает сигнал со средним уровнем напряжения, на шину 6 - сигнал с высоким уровнем напряжения. Транзисторы 2, 3 частично открываются средним уровнем...

Номер патента: 490180

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Айзенштат, Липин, Лукина, Люзе

МПК: G11C 11/36

Метки: памяти, ячейка

...14 и 15диода 1 Ганна и в областях 16 и 18 диода 2Ганна напряженность электрического поллблизка к пороговому значению и выше минимального поля поддержания домена, а в области 17 напряженность электрического поляниже этой величины.Запись 1 проводят подачей импульса отрицательной полярности на катод 9 диода 1.В результате, в области 14 образуется домен,дрейфующий к аноду, Достигнув конца щелц11, домен распространяется на все сечениедиода 1 Ганна (области 14, 15), вызывалуменьшение тока в резисторе 3 и, как следствие, увеличение напряжения в области 16диода 2. Это приводит к образованию доменав области 16 у катода 4.После того, как в диоде 1 домен разрядится у анода, он вновь образуется в этом диоде,так как наличие домена в области 16 диода...

Номер патента: 491998

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Аракчеева, Иванов, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...транзисторов 3 и 4 задается базовым током этих транзисторов через диод 13 и резистор 14. 11 ереключающие транзисторы р - п - р-типа 5 и 6 в этом режиме закрыты, так как закрыты эмиттеры двухэмиттерных транзисторов 1 и 2, подключенные к разрядным шинам 8 и 9, а падение напряжения на диоде 13 недостаточно для открывания переключающего транзистора, база которого подключена к коллектору насыщенного двухэмиттерного транзистора.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. В момент считывания потенциал на шине питания 10 увеличивается. Это ведет за собой увеличение потенциала на шине смещения 11, к которой подключены эмиттеры переключающих транзисторов 5 и 6, Транзистор 5 открывается, так как база его...

Номер патента: 492933

Опубликовано: 25.11.1975

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: динамическая, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...промежутке свободных электронов нет. При поступлении импульса напряжения питания ток в газе не течет, так как нет первичных электро нов, порождающих начальные лавины.Благодаря токам утечки конденсатора газоразрядного злел 1 ента и затвора, затвор приобретает потенциал, близкий к на пряжению 0 с, которое, в свою очередь, близко по зеличине к верхнему уровнюимпульса опроса. Затвор и исток будут под ОдинаЯвым потенциалом.Передаточная характеристика д МДП- транзистора (см. фиг. 3) выбрана такой, что транзистор при равных потенциалах затвора и истока закрыт, но находится на границе открывания. Импульс опроса 3 с числовой шины передается через конденсатор на затвор транзистора без потери амплитуды, поскольку сопротивление межд узлом...

Номер патента: 494767

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Аракчеева, Мамута, Прушинский, Удовик, Федоров, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...протекающий через переход транзи, Яворовская тор Л, Утехина Корректор Т. Фисенко хред амышникова аказ 196/14 Изд, Мо 129 ИПИ Государственного ко по делам изобре 113035, Москва, Ж, Тираж 648 итета Совета Мин ений и открытий Раушская наб., дПодписноев СССР Типографи пр. С ва стора 5. Этот транзистор входит в насыщение, его переход база - коллектор (который является одновременно переходом база - эмиттер транзисторов 1 и 2) смещается в прямом направлении, и большая часть базового тока ответвляется за счет инжекции неосновных носителей в этот открытый переход. Ток, протекающий по переходам эмиттер - база транзисторов 1 и 2, вызывает вторичную инжекцию в коллекторы этих транзисторов, являющиеся базами транзисторов 3, и транзисторы 3 и 4...

Номер патента: 494770

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Кокотов, Орлов, Поспелов

МПК: G11C 29/00

Метки: оперативной, памяти

...вход которого соединен с одним выходом схемы сравнения 2, другой выход которой соединен с гыходной шиной 6 устройства.Входы схемы сравнения 2 подключены соответственно к выходам счетчика адреса 1 и входным шинам 7 устройства. Выходы схем сравнения 3 соединены с выходными шинами 8 устройства, к которым подключается блок проверяемой оперативной памяти 9,Принцип реализации теста состоит в том, что символу 1 в тесте Дождь при обращении в какую-либо ячейку ставится в соотвстствис прямой двоичный код адреса этой ячейки, а символу О - обратный код адреса этой ячейки. Порядок смены прямых и обратных кодов адресов в ячейке соответствует порядку смены О и 1 в ней при тесте Дождь (ниже именуется Адресный дождь).Устройство работает следующим...

Номер патента: 495710

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Кузьмичев, Ланцман, Лесков

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговая, памяти, ячейка

...ключ разомкнут,щпи вход - с ю щих налов.На чертеже показана схема предлагаемойаналоговой ячейки памяти.5 Выход дополнительного ключа 1 ячейкипамяти соединен с входом ключа 2, выход которого подключен к конденсатору 3 памяти и входу усцлителя-повторителя 4. Выход последнего соединен с входом ключа 1, второй 10 вход которого является входом ячейки памяти. Управляющие входы ключей подключены к источнику 5 управляющих сигналов.Аналоговая ячейка памяти работает следущцм образом,Прц появлении управляющего импульса цавыходе источника 5 ключ 2 замытыется, а ключ 1 переключается в такое положение, прц котором вход ячейки памяти соединяется через ключ 2 с конденсатором 3 и входом усц лцтеля-повторцтеля 4. Входной сигнал я:ейкцзапоминается ца...

Номер патента: 496299

Опубликовано: 25.12.1975

Автор: Стефанюк

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...памяти, состоящей иэ трех запоминающих элементов.Входы 1, 2, Э являются входами запи си, а входы 4, 5, 6 - входами стирания;7, 8, Й - транэнстэры р-С-.р-типа; 10, 10 11, 12 - транзисторы Л р-П-типа;1318 - резисторы, соединяющие коллекторы транзисторов с базами соответствуюцшх транзисторов; 10 24 резисторы, соединяющие коллекторч трап знсторов с шинами питания, 2530- томосараиичиваюшие реэчсторп; 31 - выхол ячейки, 32, 33 - шийы ь рвого и второго источников питания.Транзисторы 7 и 10 ц резистор 13, 20 .16, 19, 22 образуют первый запоминающий эле.",онт. Транзисторч 8 и 11 и резисторы 14, 17, 2 Р, 23 обраэуют второй эапоминан иий элемент. Транзисторы 9 н 1 Р н гезнстор,л 15, 18, 21 24 образу М ют третий запоминающий элемент.Выход последнего...

Номер патента: 496600

Опубликовано: 25.12.1975

Авторы: Володин, Гусакова, Кабанов, Пастон, Ракитин, Шкуропат

МПК: G11C 11/401

Метки: динамическая, памяти, ячейка

...продолжительное время (около1 10 сек), Кроме того, ячейка содержитконденсаторы 9-12,Ячейка работает следуюшим образом,Отрицательный импульс напряжения ( 1 щщ-2 ц ), подаваемый по шине Э через диод 2на -базу, запирает ее потенциалом (0,5--1 Й ), недостаточным для перевода ячейкииз единичного в нулевое. состояние, ш .О такоего амплитуда достаточна, чтобы зоблокировать открывание Д - О- ц-транзистора) Авторы Е, Б, Володин, Б. И. Гусако изобретения Б, В, Ракитин 54) ДИНАМИЧЕСКАЯ ЯЧЕГ Изобретение относитстехнике и может бытьминаюших устройствахровой автоматики,Известна интегральная матрица накопителя запоминаюшего устройства, ячейки которого состоят из полупроводникового р-тт-р-я-прибора с 8 -ебразной...

Номер патента: 497572

Опубликовано: 30.12.1975

Авторы: Кирюхин, Кузнецов, Лобанова, Наконечный, Попов

МПК: G06C 13/00

Метки: памяти, растровый, элемент

...лем, состоящим из подложки,О стекла, и нанесенной на нее п чающийся тем, что, с цель разрешающей способности элем и снижения энергетического ур пленка выполнена из органичес 5 ния, выбранного из класса ф например фталоцианина меди.жащии моду мер из отли тшения памяти записи оедине аниновсодер ионным напри ленки,ю повь ента овня кого с талоциИзобретение относится к области при строения и может быть использовано в вь лительной технике и в отоэлектронике.Известен растровый элемент памяти, включающий нанесенную на подложку, например из стекла, хромовую пленку - носитель информации.Недостатками известного элемента памяти является низкое качество пленки и высокий энергетический уровень записи.Цель изобретения - повышение разрешающей...

Номер патента: 499676

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Арбенин, Виницкий, Шейман

МПК: G11C 19/00

Метки: импульсных, памяти, сигналов

...которых подключены к выходу расширителя 10. Выход бланк-каскада 8 соединен с выходом 13, а выход строб-каскада 11 соеди нен с первым входом элемента 5, второй входкоторого подключен к входу 2, третий вход - к выходу бланк-каскада 9, а выход - через линию 7 к сигнальному входу бланк-каскада 9, управляющий вход которого подсоединен к 30 входу 3. Выход линии 7 соединен с входомЗаказ 449/20ЦНИИП Изд.2127 т осударственного комитета Совпо делам изобретений и отк 3035, Москва, Ж, Раушская аж 1029а Министров ССытийаб., д. 4(5 одписн ипография, пр. Сапунова,коммутатора 12, первый выход которого подключен к другому входу элемента 4, а второй к выходу 14.Устройство работает следующим образом.На входы 1 и 2 поступают опорный и контрольный...

Номер патента: 503293

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Рогова, Торопова

МПК: G11C 11/06

Метки: памяти, элемент

...элемент памяти, содержащий сердечник с прямоугольной петлей гистерезиса, прошитый входной и выходной обмотками и обмоткой считывания, источник питания и тиристор. Однако известный элемент памяти позволяет запоминать токи сравнительно малой величины (например, импульсы тока для передачи информации в цифровых вычислительных устройствах), а реализация схемы запоминания, обеспечивающей считывание без разрушения информации, возможна при наличии не менее четырех обмоток. Целью изобретения является расширение области применения элемента памяти и повышение надежности его работы. Это достигается тем, что предложенный элемент содержит фототиристорный оптрон и ограничительный резистор, катоды фототиристорного оптрона соединены с началом...

Номер патента: 503295

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Андреев, Жуков

МПК: G11C 19/36

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...подключения узловой емкости к общей шине 11 источников напряжения. Если на вход 9 поступает низкий уровень напряжения, то в тот момент, когда транзистор 5 закрыт, низкий уровень напряжения меняется на высокий. Этот перепад напряжения передается через конденсатор связи 7 на затвор транзистора 2 и отпирает его. Таким образом, за половину периода действия парафазного напряжения на шинах 12 и 13 импульс низкого уровня напряжения распространяется от входа 9 до выхода 19, Высокий потенциал в узле 17 сохраняется до прихода фазного напряжения на затвор тактового транзистора 5, после чего в узле 17 устанавливается низкий потенциал, а на выходе 19 первого инвертора - высокий потенциал, который передается через конденсатор связи 8 в узел...

Номер патента: 504242

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Лаврентьев, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 7/00

Метки: информации, памяти, считывания, элемента

...чтобы комать действие тока, наводимого вязи, Кроме того, имеется большойамплитуд сигналов на выходных шимента памяти при считывании разЦИИ С ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ линейную шину считывания подают однопо изображена схема элемента оторого предлагается способ в фиг. 2 - временная диаграм мента памяти, в - по извест считътвания, б - по предлагамяти состоит из селек гируюмннвюшего 2 сердечников, резистивным витком связи 3,сердечник 1 прошивается4 считывания и разряднойзапоминвюший сердечник 2 нейной шиной 6 записи и выкоторых перемагничивается селектируюшийсердечник 1 и устанавливается в О запоминающий сердечник 2, На выходной ши.не 7 появляется сигнал "1" или 0", Присчитывании "1 с запоминающего сердечника 2 пэремагничиваютСяоба сердечника...

Номер патента: 504250

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Вариес, Гласко, Култыгин

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...перебор всех адресов проверяемого одноразрядного блока памяти 3,Блок чравления 1 при первом пересчете адресов формирует на числовых шинах 20записи импульсы числа, соответствующиезаписи 1 и "О" по каждому адресу, ана управляющих шинах записи и считываниясоответствуюшие импульсы записи и считывания, С выхода проверяемого однорвзрядного блока памяти 3 сигнал поступаетна первый вход блока сравнения 2, второйвход которого соединен с числовой шинойзаписи.В случае возникновения ошибки в про- З 0веряемом одноразрядном блоке памяти 3сигнал блока сравнения 2 поступает наблок анализа 5, а также на управляющийвход первого блока памяти 7. Блок анализа 5 вырабатывает сигнал, возбуждающий Мблок регистрации 6, если число...

Номер патента: 510754

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Вичес, Смирнов, Чурилов, Шакуров

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти

...элемент 3 закрыт, а ЗО когда сигнал поступает на счетчик 5, то закрыт элемент 2. Управление логическими элементами И осуществляется блоком управления 6. Выходные сигналы устройства снимаются со счетчика 5 - цифровые - непосредственно со счетчика, а аналоговые - через преобразователь код в анал 7 и записываются на магнитный носитель исследуемого блока памяти 8 через логические элементы ИЛИ 9 и 10, формирователи 11, 12 и 13, управляющий триггер 14.При поступлении тактовых сигналов на счетчик 5 (логический элемент И 3 открыт) величина выходного сигнала устройства линейно возрастает, По достижении ею заданного максимального уровня, определяемого логическим элементом ИЛИ 9, с помощью формирователя 11 управляющий триггер 14...

Номер патента: 511630

Опубликовано: 25.04.1976

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...ток через гиЯОразрядный прибор и транзистор 8 не течет,и напряжение па стоках )рянэнсторовравно нулю. В нулевое состояние ячейкапамяти устанавливается откд)очением илипониж 8 нием няпрчженин смещений. П)иэтОм происходиГ стиряние аяннъгх В мгтрице ПЗУ.В СОСТОЯНИ 8 8 ДИНИЦЫ ЙЧЕйка ПЯМЯТНустанавливается пм пульсом сВетя миниа тюрной импульсной лампы, Свет импульсной лампы через прозрачную кодовую плошадку информационного фототрафйре 1 й попадает на катод и вызывает интенсивную фэтоэмиссию электронов. Злекгроны образу)от массу ла- Вин, электрическое ПОле между яцоаэм и катс)дэм иснажавтся за сче 1. Образовавц 18 Гося Облака НОИОВ и создаетсусловие сушествОВяния самостэятельногэ тл 8101118 ГОразряда, г 9 Я ф 19 г, 2 пэказяцэ Вг а 11 М 1108...

Номер патента: 512487

Опубликовано: 30.04.1976

Автор: Гроссет

МПК: G11B 5/00

Метки: блока, магнитного, памяти, сигналов, считывания

...это полуволна Т, если длительность 26 - 29 единиц, а длительность соседних полуволн Т или 1,5 Т (не 2 Т), то это полуволна 1,5 Т.При рассмотрении работы предложенного устройства следует учитывать, что импульсы 40, изображенные на фиг. 2, формируют импульсы выделяемой информации, соответствующие предыдущему перепаду воспроизводимого сигнала.Устройство работает следующим образом.На счетный вход 49 счетчика 1 подают импульсы, частота которых много больше частоты воспроизводимого информационного сигнала. Импульсы на входе 49 могут быть получены, например, путем умножения частоты синхроимпульсов, воспроизведенных со специальной дорожки магнитного носителя. На вход 50 счетчика 1 подают импульсы, сформированные в моменты пересечения оси...

Номер патента: 512492

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Володин, Грабчак, Кабанов, Небольсин, Ракитин

МПК: G11C 11/40

Метки: динамическая, памяти, ячейка

...база транзистора 5 уничтожают заряд на р-базе транзистора 4,Запись О в ячейку осуществляется подачей отрицательного импульса на шину 2 и отрицательного импульса на разрядную шину 3. Если амплитуда отрицательного импульса на разрядной шине 3 больше или равна амплитуде отрицательного импульса на адресной шине 2 записи. то эмиттерный переход транзистора 5 закрыт. После окончания отрицательного импульса записи О на р-базе появляется заряд, определяющий ток считывания в разрядной шине 3,Считывание информации основано на зависимости порога включения ячейки от заряда в р-базе транзисторсв. В состоянии 1, когда512492 Фор мула изобретения Составитель Р. Яворовская едактор И. Грузова Техред Е. Подурушина Корректор Е, Хмеле1 одпис Заказ 1255,16...

Номер патента: 513391

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Березин, Кимарский, Онищенко, Федонин

МПК: G11C 11/40

Метки: инжекционный, памяти, элемент

...элемента, поскольку инверсный коэффициент усиления Э+и транзиоторов не превышает обычно 3-5.При считывании информации сдновремен ио с импульсом тока на адресной щине необходимо повысить доодного уровня потенциалы на обеих шинах записи, При этом коллекторные токи -йф транзисторов 1 и 8 равны и много больше, чем коллекторный ток тЖ транзистора 5. Потенциал на: шине считывания 12 в зависимости от хранимой в элементе информации возрастает до разных ураваей,. что фиксируется усилителем считыванна.5133 В режиме хранения информации на первой шине записи 2 поддерживается положи 5тельный потенциал, превышающий не менеечем на 2 в потенциал на второй шине записи 8, К адресной шине 3 подключен нагрузочный элемент с большим...

Номер патента: 513392

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Зосимова, Фет

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, памяти, ячейка

...или меньших заданного.В режиме сравнения на адресной шине4 и разрядной шине 8 каждой ячейки маърицы оказывается "О, что приводит к запиранию элементов 5,6 и 9,Обратный, код каждого разряда призна-ка подается на разрядную шину 7 соответствующего столбца матрицы.На логические входы 10 ячеек левогостолбца матрицы подается логическая ф 1 ф,отпирающая элемент И 13 и первый передающий вентиль 14. Если в триггере ячейки хранится "1; тона выходе элемента И 13появляется 1".В результате на логическом выходе 11ячейка появляется ф 1".нвзависимо от логическао уровня на ряэрядной шине нуля 7,Тввой же уровень на логическом выходе 11ячейки появляется в случае, когда в трит- гере 1 хранится фОф, а на разрядную шинунуля 7 подается "1 (логический...

Номер патента: 513393

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Зосимова, Фет

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативная, памяти, ячейка

...15, включенный между логическимвыходом ячейки и шиной нулевого потенци- ала 13,При объединении ассоциативных ячеек воднородную двухмерную ассоциативную матрицу (см.фиг. 2), появляется возможностьвыделения при ассоциативном поиске максимального числа в течение одного тактеобращения к ней.В. режиме поиска максимального числаадресная шина 4 ячеек каждой строки матрицы находится на уровне логического "О,Элементы управления записью 5, 6 исчитыванием Э, 10 каждой ячейки закрыты.Разрядные шины 7, 8 ячеек каждого столбца матрицы подключаются к уровню логической "1",Потенциал разрядной шины 8 ячеек каждого столбца матрицы изменяется, если водной ии нескольких ячейках столбца открыты ключевые передающие вентили 16,включенные между...

Номер патента: 514287

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Буряченко, Доля, Редченкова

МПК: G06F 3/04

Метки: адресацией, канал, косвенной, мультиплексный, памяти

...номер внешнего устройства с регистра подканала 3 переписывается на регистр адреса адресной памяти, а содержимое регистра 9 - ,на регистр слова адрес ной памяти. В первом цикле обращения кблоку памяти 7 происходит запись номера рабочей зоны основной памяти, выделенной в данный момент внешнему устройству, в ячейку таблицы адресов зон основной памяти, закрепленную за этим внешним устройством. После записи в таблицу адресов зон основной памяти содержимое младших разрядов регистра 9 переписывается через преобразователь кода адреса 8 на регистр слова блока памяти 7, а содержимое старших разрядов регистра 9 - на место младших разрядов регистра адреса блока памяти 7, формируя адрес в таблице за.нятости (неиправности) зон основной памяти,...

Номер патента: 514340

Опубликовано: 15.05.1976

Автор: Никандров

МПК: G11C 11/00

Метки: памяти, пьезокерамический, элемент

...одинаковых по величи не выходных сигналов, считывающие электроды предложенного элемента памяти выполнены в виде пластин различной площади. На чертеже изобра пьезокерамический элемеЭлемент содержит же единый биморф первую пластину 1 с нанесенными ными электродами 2 и 3 входным шинам 4 и 5, и ческую пластилину 6, на в рой расположены считыв подключенные к выходнь та, Электроды ", выполи жен предложенный 2 т, две проекции.тко соединенные впьезокерамическую на ее грани сплошподключенными к 2 вторую пьезокераминешней грани котоающие электроды 7, м шинам 8 элеменны в виде пластин 3 различной площади, причем возрастание площади пластин происходит от центра пластины 6 к ее краям. Пластина 1 отполяризована по толщине так, как показано на чертеже...

Номер патента: 514346

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Барашенков, Хавкин

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, информации, памяти, регенерацией

...Первы импульс обращеш)я и ЗУ осуществляет запуск блока управления 8 и разрешает поступление информации ца входы элементов памяти 3 от дешцфратора 2, соответствуОце колу адреса ЗУ, Прц выборе какой-либо строки ЗУ происходит запись О от дешцфратора 2 в элемент памяти 3, соответствующий этой строке. Состояние всех элементов памяти анализируется с помощью элеме 5 та ИЛ 1 Л 4Т,. по окоцчяццц в)емеццого интервала2блок управления 8 разрешает прохождение внешнего адреса на входы ЗУ через адресный блок 1. Если за время т, хотя бы одна строка не выбрана, элемент ИЛИ 4 выдает сигнал 1, блок управления 8 запрещает прохождение внешнего адреса и разрешает прохождение адреса от шифратора 7 и через адресный блок 1 на выход ЗУ, а также выдает во внешнее...

Номер патента: 514349

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Борискин, Пресняков, Тимашев

МПК: G11C 29/00

Метки: блока, памяти, постоянной

...нулевое состояние, выдается сигнал разрешения сдвига на второй вход элемента И 7 и посылаются сигналы Опрос для считывания информации из блока постоянной памяти, 15 При считывании информации из блока постоянной памяти с помощью регистра 1 осуществляется поразрядное суммирование единиц каждого разряда, а на входной шине 8 появляется последовательный код контроль ной суммы, который с помощью элемента И7 и регистра сдвига 6 преобразуется в параллельный. В момент, когда на регистре сдвига 6 образуется контрольная сумма некоторого массива информации, считанной из блока пос тоянной памяти, в блоке управления 9 фор.мируется сигнал сравнения, который посту пает на блок сравнения 5. Если числа на ре гистрах 1 и 6 совпадают, то в блоке управления...

Номер патента: 515153

Опубликовано: 25.05.1976

Авторы: Кадышев, Лаврентьев, Тимофеев, Шумилов

МПК: G11C 7/00, G11C 8/06

Метки: адресным, блоком, памяти

...предлагаемого устройства.Вход адресного дешифратора 1 соединен с одним из выходов блока 2 местного управления, в выходы подключены к входам формирователей 3 числовых токов, источник питания 4 соединен с одним из входов делителя напряжения 5, другой вход которого подключен к выходу блока местного управления, а выход делителя напряжения соединен с вторыми входами формирователей числовых токов.Устройство для управления адресным блс ком памяти работает следующим образом. Блок 2 местного управления выдает импульс разрешения на дешифратор 1 и управляет делителем напряжения 5 твк, чтобы на его выходе был высокий уровень напряжения. На выходе дешифраторв 1 с номером, соответствующим коду адреса, возникает управляющий сигнал, который...

Номер патента: 515156

Опубликовано: 25.05.1976

Автор: Никандров

МПК: G11C 11/00

Метки: памяти, пьезокерамический, элемент

...электродам. н ых колебаниях. мент фор обретен а ину 1,ые прово- пластиные проьезокер ащий пл ический элемент па ти, сонерат астинураоторь возбуждения и ге ленные проводяше размещены электр ю пластину ной, на кпла оединена чертеже изображен предложенный Он содержит генераторную пласт пластину возбуждения 2, разделенн дящей пластиной 3, дополнительные ны возбуждения 4-6 и дополнитель водящие пластины 7 - 10, жестко ные между собой и с пластиной 2, Пластины 3, 7 - 10 объединены таким образом,что образуют систему параллельно соединенных конденсаторов, подключенную к вход ным электродам 11 и 12, На пластине 1размещены считывающие электроды 13.Кодирование информации осушествляетсязаданием направления вектора поляризацииРпод...

Номер патента: 515157

Опубликовано: 25.05.1976

Автор: Никандров

МПК: G11C 11/00

Метки: памяти, пьезокерамический, элемент

...напряжения произойдет изгиб обе их пластин элемента памяти, причем наличие эластичного основания позволяет создать в пластинах высокие значения изгибающего момента. Однако изгибные колебания не будут длиться долго, так как высокая жесткость компаунда, в который погружена пластина 2, ограничит эти колебания практически за 1/4 периода колебаний, что позволит сформировать импульс выходного напряжения. относится к запоминающим Бель изобретения - увеличение амплитуды выходных сигналов за счет повышениякоэффициента трансформации электрического напряжения,Для ее осуществления генераторная пластина жестко соединена с корпусом элемента,На чертеже изображена конструкция предлагаемого элемента.Элемент содержит пластину возбуждения1,...