Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 624295

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Гусев, Иванов, Контарев, Кремлев, Кренгель, Шагивалеев, Щетинин, Ярмухаметов

МПК: G11C 11/40

Метки: матричной, однородной, памяти, структуры, ячейка

...этомединичная информация на информационныхшинах 6 остается только в тех разрядах5 Оматрицы, на котооые одновременно считывались " единицы. В разрядах же, накоторые считывалса хотя бы один "нуль;,остаетса",нулевая информация.Операция ИЛИ выполняется одновре 55менной записью в одну ячейку 10 информации с различных информационных шин6. При этом, если хотя бы одна "единяца есть на любой из информационных шин 6, она записывается в данную ячейку 10,Операции перекомпоновки выполняютсяне ячейках 10, различные выходы которых эекоммутированыс информационнымишинами 6 других столбцов матрицы (нафиг. 2 см. нижнюю строку матрицы), Например, операции сдвигов вправо выполняются записью в эту строку по первымвходам ячеек с первой информационнойшины 6,...

Номер патента: 625246

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Агошков, Васин, Грабаров

МПК: G11C 8/00, H03B 5/12

Метки: блоков, выборки, генератор, информации, памяти, устройства

...характера его нагрузки,,уменьшить колебания на вершине СТРОЙСТВА ВЫБОРКИ АМЯТИ625246 И Заказ 5411/427 17 Подписное л ППП Патднт"род, ул. Проектная,вторичной 8 обмотками, токозадающий резистор 6, основной источник питания 7, дополнительный источник питания 8, переключатель 9, баластные резисторы 10 и 11, шину нулевого потенциала 12. К выходу генератора подключена нагрузка (шины выборки бло.а памяти ) 13.Генератор тока работает следующим образом.В исходном состоянии транзисторы 1 и 2 закрыты и коллектор транзистора 2 соединен с основным источником питания 7. После поступления на базу положительного импульса транзистор 1 запускается и через трансформатор 3 включается транзистор 2. В нагрузке 13 от основного источника 7 через баластный...

Номер патента: 625249

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Андреев, Иванов, Пресняков

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, оперативной, памяти

...и разрядов блока оперативной,памяти по модулям.Устройство (см. фиг. 1) содержит блокуправления 1, своими выходами соединенный с формирователями эталонных сигналов 2 и кодов адреса 3, которые соединены с регистром числа 4 и регистромадреса 5, выходы которых соединены с 5 блоком оперативной памяти 6. Формирова3 625249 тель эталонных сигналов 2 своим выходом соединен также с блоком поразрядно=э сравнения 7, подключенным к блоку 6.Устройство содержит также дополнительные формирователикодов адреса 8 и 9, ьходы которых подключены соответственно к выходам блока поразрядного сравнения 7 и регистра адреса 5, а выходы - к ьходам шифратора 10, выход которого соединен с ьходом блока индикации 11.Устройство работает следующим...

Номер патента: 627538

Опубликовано: 05.10.1978

Автор: Хавкин

МПК: G11C 7/00

Метки: блоков, информации, оперативной, памяти, считывания

...обмотки трансформаторэв 15 и 14 на вхэдах злементэв И 8 и 9,наводятся импульсы противэ 30 положной полярности. Если пэлярность каждого из этих импульсов соответствует сигналам, снимаемым с плеч триггере 2, а длительность сээтветствует длительности импульса контроля, что характеризует исправную работу канала записи, то триггер 11 в момент записи также остается в исходном состоянии.При неисправности одного из каналэв выделения информации или схем записи40 сигналы в элементах И 8, 9, 3 или 4 не совпадают, что привэдит к срабатыванию триггера 11, При этом выход неисправного разряде блокируется злементэм И 5, на оба входа элемента И 6 подаются одинаковые сигналы эт левого плеча триггера 11 в состоянии отказа и от шины 16 до получения...

Номер патента: 627541

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Баринов, Орликовский, Подопригора

МПК: G11C 11/40

Метки: динамический, памяти, элемени

...фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема предлагаемогоДЭП, пв фиг, 2 - временная диаграммаего работы.ДЭП содержит и-р-л транзистэр 1,барьерную емкость 2 базо-коллектэрногор-тт-перехода (емкость хранения); диод3, словарную шину 4, разрядную шину 5.К слэварной шине подключены эмиттертранзистора и внэд диода, катод диэдаподключен к базе транэистэрв, а к эллектэр пэследнегэ - к разрядной шине.На диаграмме обозначены:О - изменение напряжения не словарной шине4, б - изменение напряжения на разрядной шине 5, в - изменение тока в разряднэй шине 5,Предлагаемый элемент памя ет следующим эбразэм,На этапе записывается ед это время пэвышается н варной шине 4 и пэнижа гэй шине 5, открывается диод и заряжа627541 Составитель Н....

Номер патента: 628536

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Золотарев, Ракитин

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...8 шины.Работа описываемого элемента памятиоснована на возможности захвата заряда вдиэлектрике запоминающего конденсатора ийа зависимости поверхностям о нм( нциалаподложки под ним от величины захваченного заряда,При записи вначале производится накопление зарядов в диэлектрике всех конденсаторов, подсоединенных к выбранной числовой шине 7, путем подачи на нее положительного импульса (40 В), Затем в ячейках тех разрядов, где диэлектрик в запоминающем конденсаторе должен остаться полностью илн частично разряженным, под электродом 4 накапливают неосновные носители, для чего на разрядные шины 8 подают отрицательный импульс напряжения с амплитудой, пропорциональной аналоговому сигналу, (Накопление носителей может быть ускорено, например, за...

Номер патента: 630640

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Еремин, Стоянов, Сухоруков, Толстых, Хорошунов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...(возбуждается (высокий уровень напряжения, и транзистор,2 открывается (транзистор 1 считывания (при этом находится,в открытом состоянии), Записываемый уровень напряжения (посту(пает (с разрядной (шины 3 на обплад(ку (конденсатора 5, соединенную с истоком транзистора 2 за(писи, При этом, если (в ячейку за(п(исывается высокий уровень на(пряжения, емкость конден(сатора резко возрастает, а если низкий уровень напряжения, емкость (конденсатора не изменяется (и имеет малое значение. После проведения за(плси информации транзистор 2 за(крывает(ая и ячейка наход(ипся в режиме хранения.В режиме считывания на шину б,подается (высокий уровень на(пряжения, транзистор 1 откры(вается, а транзистор 2 находиткя в закрытом самостоянии. Если,в...

Номер патента: 630641

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Караханьян, Копыткин, Стоянов

МПК: G11C 11/40

Метки: блок, блокам, выходной, обращения, памяти, устройства

...3, одна обкладка которого подключена к затвору выходного МДП-транзистора, и втцропо элемента связки, выполнензого на МДПкюнденсаторе 4, одна обкладка которого подключена к источнику постояипопо напряжения Е. Повнциями 5 и 6 5 на чертеже показаны вхюд и выход блока соответственно, а позициям:и 7 н 8 - тактовые ш,ины.Выходной блок работает следующим образом.1 ОВ момент действия тактового сигнала по нтине 7 на затворе выходного МДП-транвчстора устанавлнвается напряжение У, .(У,:или Е/,) Уо, где Уо - пороговоенапря иеище.,После оиончания действия тактового сигнала по шине 7 затвор выходного МДП- транзиотора оказывается под плавающим потенциалом.Если затвор выходного МДП-транзисто О ра находился под напряжением У,(Уо, то...

Номер патента: 630644

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Гурова, Кизуб

МПК: G11C 19/00

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ 6.10Выход счетного триггера 5 соединен с первым входсм элемента ЭКВИВАЛЕНТНОСТЬ 7 и выходом 8 ячейии,памяти, второй вход элемента ЭКВИВАЛЕНТНОСТЬ 7 - с,входоьм 9 ячейки памяти, а выход - 15 с вторым входсм элемента НЕРАВНОЗНАЧНОСТЬ 6, выход которого связали с выходом 10 ячейки памяпи.,В начальный момонт времени триггеры 20 1 и 5 находятся в нулевом состоянии на входах 2 и 9 тоже нуль. В течение (1+2)-х сдвигсв на:входе 2 и в триггерах 1 и 5 сэхраняепся,нуль. После (+2)-го сдвига на вход 2 поступает единица. После (+3)-го 5 сдвига она запнсывается;в "приггер 1, В течение (1+4)-го н (+5)-го сдзигов;в триггере 1 и на входе 2 сохравняется единица. После (с+5)-го сдвига в триггере 1 - единица, на,входе 2 - нуль. 30Таким...

Номер патента: 631986

Опубликовано: 05.11.1978

Автор: Иванков

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, ячейка

...разрядную шину 7, выходную клемму 8 н шину 9 питания,В выключенном состоянии тнрнсторана клемме 8 напряженке близко к напряженню источника питания, что соответствует "0 информации, .На управляющем электроде тнрнстора н коллекторетранзистора 2 присутствует напряжение,631986 ставитель А. Воронинхред О, Андрейко Корректор Д, Мельниченко Утехина дакт 6359/52 5ЦНИИПИ Госуд комитета Советаобретений и о113 , Ж, Раушска Тираж 67 арственного по делам из 035, Москва/5 наб тент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 П или полярность и величина которого такая же,что и на клемме 8.В такт записи и считывания разряднаяшина 7 коммутируется с шинОЙ нулевогопотенциала, 3При записи 1" на шину 6 подаетсяимпульс отрицательной полярности, Приетом открывшийся...

Номер патента: 631987

Опубликовано: 05.11.1978

Автор: Кабанов

МПК: G11C 11/40

Метки: мдп-транзисторах, памяти, ячейка

...Первая разряднаяшина 4 соединена с истоком транзистора3, затвор которого подключен к адресной шине 5, а сток - к истоку транзистора 1 и затвору транзистора 2, Стокитранзисторов 1 н 2 соединены со второй631987 Составитель Г, МилославскийРедактор Л, Утехина Техред М. Петко Корректор Д. Мельниченко Тираж 675сударственного комит по делам изобре 113035, Москва,акаэ 6359/52 ЫНИИПИ Го Подпнснота Совета Министровений н открьггнйЖ-Э 5, Раушская нвб д. 4/5 атент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 филиал П разрядной шиной 6, Емкость 7 представляет собой емкость затвора транзистора 1 и емкость истока. транзистора 2 на подложку 8, Транзисгоры 1 - 3 представляют собой Й -канальные МДП-транэисто- ры (принцип работы ячейки сохраняется и цла р канальных...

Номер патента: 631988

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Аверкин, Костюк, Сидоренко, Смирнов, Троценко, Хцынский, Чекалкин, Юхименко

МПК: G11C 11/40

Метки: квазистатическая, памяти, ячейка

...линии канала. Более высокое значение порогового напряжения, чем у остальныхтранзисторов, имеет также транзисторзаписи 1,Часть ячейки памяти, включающаяв себя информационный транзистор 5 итранэястор регенерации 6, прн наличиипитающих напряжений, приложенных кшинам 7, 8, обеспечивает поддержание63193двух устойчивых состояний Потенциапа затвора информациоиного транзистора 5 или, что то же самое 4 вторегенерацию, записанной информации.Устройство работает следующим об- и разом, Запись информации в ячейку осуществляется путем подачи соответствую ших сигналов на шины выборки 3 и 4, При этом заряжается емкость мтвора. информационного транзистора 5 пример- р но ао напряжения на шине выборки 4, т,е. мписьвается логический нуль и...

Номер патента: 633072

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Андреев, Раев, Шорыгин

МПК: G11C 11/14

Метки: блоках, доменов, магнитных, памяти, регистрации, цилиндрических

...на Пути распространения ПАВ от излучателя 4, Параметры излучателя 4 и приемника 9 ПАВ согласованы с их частотой, На пьезоэлектрической пластине 3 расположен поглотитель 13 ПАВ, 35 выполненный из материала с большим коэффициентом затухания этих волн.Поглотитель 13 расположен на прямой линии с пластиной 8 и приемником 9, т.е. на пути распространения ПАВ, 40 прошедшей последовательно пластину 8 и приемник 9, и служит для поглощения этой волны с целью предотвращения ее вторичного параэитного воздействия (например, вледствие отражения 45 от краев пластины 3) на приемник 9.В качестве волновода ПАВ может быть использован Яе только пьезозлектрик, но и другие материалы, являющиеся хорошими звукопроводами, а в качестве магнитострикционной...

Номер патента: 634372

Опубликовано: 25.11.1978

Автор: Фет

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативной, матрицы, памяти, элемент

...1Третий случай - число больше признака опроса. При этом нарушение эквива, -лентности при просмотре слева направопроизойдет впервые эа счет разряда, в котором О = (, Х = О, В таком элементетоже исчезнет сигнал в цепи 2 , гак квк13 = О , но сигнал в цепи Ч не появится.Следовательно, в любой строке, содержащей число, большее признака опроса, направой границе будет 2 = О, Ч= ОТаким образом, в режиме поиска равного матрица, построенная из предлагаемых элементов, позволяет не только выделить строки, содержащие числа, равныезаданному признаку, но также одновременно отметить все строки, содержащие числа, меньшие признака, и строки, содержащие числа, большие признака.Поиск ближайшего.В этом режиме нв все входы левойграницы матрицы также...

Номер патента: 635486

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Асцатуров, Лысиков, Щетинин

МПК: G06F 7/38

Метки: блоков, логическое, памяти

...с жесткой конфигурацией (например, имею. щей 14 входов, 96 промежуточных шинн, 8 выходов) возможны случаями, когда эта,конфигурация не отвечает трвбованиям задачи. Единственный выход агз этого положения - использовать два устройства параллельно, что приведет к значительным до. полнительным затратам средств, поскюлыку каждое устройство является большой интегральной схемой, т. е. сложным, а значит и дорогим электронным 1 прибором. Предлагаемое устройство уменьшает вероятность го. го, что из-за,небольших расхождений 1 в кон фигурации придется использовать два устройства ПЛМ, благодаря этому оно станетустройством с большими функциональнымивозможностями, более универсальным. 5 Формула изобретения Логическое усвройство для блоков памяти,...

Номер патента: 636676

Опубликовано: 05.12.1978

Автор: Пресняков

МПК: G11C 9/00

Метки: блоками, памяти

...сигналу, поступающему на вход 15, производится запись в секцию информации с 4информационных входов 16.П 15 и отсутствии блокирующего сигналаили после его окончания на управляющемвходе выходного коммутатора на информационные выходы 18 выдается информацияиэ выбираемой секции памяти, которая определяется дешифратором 7 выбираемой секции, подающего сигнал на один из управляющих входов 19 выходных коммутаторов 9,Для синхронизации записи информацииодин из входов схем И 14 соединен с ышиной 20 Запись,Дешифратор 6 сигналов управления построен так, что для всех адресных коммутаторов, соответстнунц 1 х тем секци 5 м пам 51- тн, поме 1 а которых меньше, чем код, содержацийся в младшей части 3 адресного регистра 1, формируется управляющий...

Номер патента: 637866

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Ерохин, Коноплев, Петров, Пономарев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...снижении потребляемой мощности в режиме записи, обусловленном тем, что ток за. дается только в выбранную разрядную шину, а не во все невыбранные, а также в том, что считывание производится непосредственно с транзис. тора триггера через дополнительный коллектор. Площадь ячейки памяти при этом увеличивается 4 О всего на 20% по сравнению с известной,На фиг, 1 представлена электрическая схемапредлагаемой ячейки; на фиг, 2 - то же, вариант топологии с одноуровневой металлизацией.Ячейка памяти представляет собой триггерна совмещенных полупроводниковых структурах, которые представлены на электрическойсхеме своими эквивалентами. Она содержит первый 1, второй 2, третий 3, четвертый 4 и пя.тый 5 р-п-р.транзисторы, первый 6, второй 7,и третий 8...

Номер патента: 637867

Опубликовано: 15.12.1978

Автор: Кононов

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральная, памяти, ячейка

...4,6 и 7 совместимы с уровнем потенциелов в устройствах с полностью инжекциоцным питанием.В режиме записи логической "1" нашину 4 подеется сигнал выбора слова (высокий уровень потенциала), а на шинах 6и 7 создается режим холостого хода. Врезультате транзисторы 1, 2 и 3 выключаются. Если после этого, не изменяяуровня потенциалов на шинах 6 и 7, нашину 4 подается низкий уровень потенциале, то запоминающий элемент, образованный транзисторами 1 и 2, остается в состоянии хранения логической "1", и процесс записи логической "1" заканчивается,3 режиме записи логического О", пос ле подачи не шину 4 сигнала выбора слова, не шины 6 и 7 подаются низкие уров ни потенциалов, в результате транзистор 3 включается и создает на базе транзистора 1 низкий...

Номер патента: 637872

Опубликовано: 15.12.1978

Авторы: Багинский, Локтюхов, Маруев

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, памяти, регистров, числовых

...исходное положение. Вывод информации с блока 2 производится при наличии высокого потенциала, поступающего с вы. ходов блокаи элемента 7 запрета.При вводе информации производится переключение триггеров эталонного регистра 3 от блока 1 управления. По команде разрешения, поступаюпей на один из входов блока 2 управления, введенная информа. цин нз этого блока записывается блоком 8 считывания, Если при перезаписи ннформа.Описываемое Уст)Оиство контроля ПО сравнению с известными болееЪадежно, так как при хранении и выводе информации осу. ществляется ее контроль, исключающий вы. печатку неверной информации. Формцла изобретения Устройство для контроля числовых регистров блоков памяти. содержащее блоки управления вводом и выводом информации,...

Номер патента: 638622

Опубликовано: 25.12.1978

Авторы: Кузьмин, Лихачев, Рыбин, Соколов

МПК: C21D 6/00, C21D 8/00

Метки: механической, памяти, сплавах, сталях

...изобретения является повышение степени возврата деформации,Это достигается тем, что в известноспособе получения механической памятисостоящем в нагреве исходного отожженного (термообработка заключалась в пятикратном получасовом отжиге при 950в воздухе для устранения наклепа) материала под постоянным растягиваюшим напряжениеч до температуры конца обраного чартенситного превращения, исходный (отожженный при 970 С в течениедвух часов) материал предварительно пвергают деформации в мартенситной фазнагревают до температуры мягкого отжига (выше температуры конца обратнопревращения, но ниже температуры полного отжига), охлаждают в мартенситнуфазу, затем нагревают материал по тойже температуры под постоянной нагрузкнаправленной в...

Номер патента: 639017

Опубликовано: 25.12.1978

Автор: Привалов

МПК: G11C 11/00

Метки: блоки, записи, информации, памяти

...и резистора элемента памяти; обмотки 11 стирания, соединенные последовательно и подключенные к шине 12 стираниями обмотки 13 записи, которые одним концом подключены к соответствую- -5 шему входу устройства, а другим - через элементы развязки, например диоды 14,- к шине стирания.Устройство работает следующим образом, ЗОЗапись информации (включение элементов памяти) в устройство происходит ц подаче на его вход 10 импульса записи. При этом через обмотку 13 записи и развязываюший диод 14 элемента 1 памя ти, шину 12 стирания и последовательно включенные обмотки 11 стирания всех элементов памяти пойдет ток.Ампер-витки записи больше (возьмем дла определенности в два раза) ампер-вит.о ков стирания. Поэтому в элемент памяти, на вход...

Номер патента: 640369

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Лановенко, Сипин

МПК: G11C 17/02

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...надежностии элемента памяти.Поставленная цель достэлемент памяти содеркит 0 ВИНТЫ ПО Ч 1 ом 11дов, распо;пакетом ири кта совпадас р тпровода,На чертеже схематически изображенпредлагаемый элемент памяти.Оп содсржит корпус 1, р 2 зомкнутый магпитопровод 2, сепаратор 3, прижим 4 С-образнои форы, пакет пр)жин 5, крышку 6,регулировочный в Ит 7, ярмо 8.Регулировка усилия прижатия пружин 5,прикладывасмого к прижиму 4 С-образнойфоръы, и настроик 2 на ыакси:сальеЕЫИ ВыхОднОЙ си 11 ал В каждом элененте памягиосуществляются вращением регулировочноо винта 7. Усилие прижатия контролируется через отверстие в винте 7.11 ри смене информации съемной частьюявляется сспаратор 3, дополнительная рсгулирОВка усилия пр 11 ж 2 тия не трсоуется.Работа элемента...

Номер патента: 641495

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Кочин, Слудников, Смурный

МПК: G11C 8/12

Метки: блоков, выборки, информации, памяти

...тому, что разброс и уход напряжений от температуры окружающей среды иа входах транзисторов, а так же на участках база-эмиттер будут влиять на амплитуду тока выборки, что снижает надежность работы устройства.Целью изобретения является повышение надежности устройства. Поставленная цель достигается тем, чтоустройство содержит дополнительный источиик литания и два транзисторных ключа, коллектор одного из которых подключен к положительному полюсу источника питания, база - к источнику опорного напряжения, эмиттер соединен с эмиттерами транзисторов второй группы транзисторов и через резистор - с коллектором второго транзисторного ключа; база которого подключена к соответствующей шине управления, а эмиттер - к отрицательному полюсу...

Номер патента: 641503

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: Терзян, Чахоян

МПК: G11C 29/00

Метки: блокировкой, запоминающее, неисправных, памяти, элементов

...регистром 3 и проверяется блоком контроля 4. Если слово исправно, то оно поступае на входные шины 14. При обнаружении блоком контроля 4 ошибки блок управления 10 производит анализ, который выявляет, произошел сбой или отказ ЭП (например, многократным считыванием по данному адресу). Если произошел сбой, то при повторных считываниях информация восстановится и будет. выдана на шины 14.Если выясняется, что произошел отказ ЭП, то блок управления 10 реализует следующую программу. 4гистре 5 информация фиксируется, а на счетчик 7 от блока О начинают поступать счетные импульсы. Под управлением сигналов на выходах счетчика 7 коммутатор 6 последовательно выдает в блок 10 содержимое каждого разряда регистра 5. Если очередной разряд содержит 1, то...

Номер патента: 642767

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Антропова, Григорьев, Моденов, Никитин, Хорьков

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, трансформаторного, устройства, ячейка

...ком такой ячейки памяти являетс кая надежность.Целью изобретения является пов шение надежности ячейки памяти для трансформаторного ПЗУ,Это достигается тем, что предлагаемая ячейка памяти содержит упругие дугообразные пружины,. размещенны в пазах, выполненных в основании корпуса под выступами сепаратора с выступами для фиксации одной иэ пружин.. На фиг. 1 и 2 изображена конструк ция предлагаемой ячейки памяти для трансформаторного ПЗУ.Ячейка памяти для трансформаторо ПЗУ содержит корПус 1 с сепараом 2 с полыми выступами, на кото- размещены кодовый жгут 3 и обмот ка считывания 4. В полых выступах сепаратора 2 установлены П-образные сердечники 5, закрепленные посредством упругих дугообразных пружин амортизирующей пружины б и фиксирующей...

Номер патента: 642771

Опубликовано: 15.01.1979

Автор: Пресняков

МПК: G11C 9/06

Метки: блоков, информации, обменом, памяти

...- 20ных признаков 18, схемы сравнения 19,При приеме обращений устройствоработает следующим образом.Если буферные регистры 2-5 свободны, тс блок управления 1 формирует 25сигнал Снободно, который подается в блок согласования б. Через блоксогласования обращение записываетсяв буферные регистры 2-5. Блок управления 1 при поступлении информации формирует сигнал Занято в блок согласования б, анализирует разряды адреса с регистра 4, определяющие блокпамяти 11, к которому относится данное обращение. Если выбранный блокЯ11 свободен, то информация иэ буферных регистров 2-5 передается н выбранный блок 11 на регистры блока памяти 13,14,15,16. Кроме того, передтем как передать обращение в выбранный блок памяти 11, блок 1 анализирует код...

Номер патента: 643873

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Дроздов, Назаров, Тафинцев

МПК: G06F 9/00

Метки: защиты, памяти

...элементов И 4, ключ зашиты памяти поступит на счетные входы триггеров первого регйстра числа 2, в результате чего произойдет поразрядное сложение считанного хода и кода ключа зашиты памяти. В этом случае, если ход ключа зашиты памяти совпадает с кодом ключа страницы, который ранее был поразрядно сложен с кодом числа, то произойдет восстановление значения кода числа и блок контроля информации 7 не выработает сигнала ошибки, а блок управления 9 выработает сигнал, разрешающий передачу считанного кода числа через вторую группу элементов И 5 на информационный выход устройства 10. Одновременно произойдет регенерация числа. Для регенерации числа используется код, хранящийся во втором регистре числа 8. Если же код ключа защиты памяти не...

Номер патента: 643896

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Асланян, Багдасарьян, Козьмов, Оганесян

МПК: G06G 5/00

Метки: блок, памяти, пневматический

...глухой камере 4 повторителя: 4 ф размещен снльфон 9 торец которого связан со штоком 10, а другой торец соединен с жестким центром мембраны 2. Внутренняя полость сильфона 9 соеди вена с атмосферой. Внутри сильфона Э .размещена пружина сжатия 11. Свободный конец штока 10 расположен во.втулке цангового патрона 12, Последттий жестко закреплен к кронштейну 13.3 ажиМом цангового патрона является скоба 14. Последняя через шток свяМнв с сильфоном 15 и приводной мемб рйной 16, поджатой пружиной 17. Свль 6фон 15 закреплен к глухой перегэродке 118, которая ограничивает объем глухой камеры 4. Элементы 10-18 составляют Фиксатор, Глухая камера 4 сообщена с выходным каналом Р ц 1 и с проточными камерами реле 8. Давление с входного каната Р,т пода- ....

Номер патента: 643971

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Красовский, Потапов, Смирнов

МПК: G11C 11/14

Метки: блоков, доменах, информации, магнитных, памяти, считывания

...в делителе 9 ЦМД на два домена, один из которых продвигается дальше по каналу 4, а лругой попадает в дополнительный канал 10 пролвцжецця ЦМД и далее в точке соединения 1 попадает в основной канал 4, занимая место за первым доменом на расстоянии одного периода структур продвижения ЦМД от него. Таким образом, информационная единица преобразуется в последовательность 11, Взаимодействуя с последовательностью доменов 10 в логическом узле 6 (запрет или исключающее ИЛИ), последовательность доменов 11 преобразуется в последовательность 01 , что соответствует информационной единице. Проходя под датчиками 12 13, последовательность доменов 01 вызывает с выхода мостовой схемы сигнал 1, например, положительной полярности. 5 10 15 20 25 30 З 5 40...

Номер патента: 645203

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Журавский, Самофалов, Селигей, Тростянецкий

МПК: G11C 17/18, G11C 7/00

Метки: блоков, информации, памяти, считывания

...фиг, 1 представлена схемва; на фиг. 2 - временная днаионных сигналов (пунктиромформа сигналов в прототипе). Устройство содержит запомин трансформаторы 1, прошитые чис проводами 2, Обмотка считывания 3 форматора 1 подключена к коллекто вого транзистора 4 и к базе второг .зистора 5. Коллектор транзистора единен с информационным входом ра 6 и через резистор 7 - с источни тания + Е. Шины 8 и 9 - шины рования и установки триггера в нул ветственно. Выход триггера соедине зой транзистора 4..г ьева тавитель Л, А Техред С, Реда кто орректор 3. Тарасов ипенко аказ 1049/8 Изд.139 Тираж 580 Подписно НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5ография, по. Сапунова,3Устройство...