Патенты с меткой «памяти»

Номер патента: 1749903

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Карлов, Кирюхин, Кудряшов, Мухортов

МПК: G09B 9/00

Метки: оператора, памяти, тренировки

...32 д и элемент И 33, При появлении на пятом межгрупповомформирователь 5 содержит счетчик 34 выходе регистра 13-единичного импульса(с входами прямого и обратного счета), груп (фиг,12 д) последний проходит через элепу элементовИ 35 ф - 35 о. группу светодио- мент И 35 и, на другом входе которого имедов 361 - 3610, элемент ИЛИ 37 и ключ 38, ется единичный потенциал с выходаБлок 6 включает группы элементов счетчика 34, и элемент ИЛИ 37 на вход одИ 391-4 - 3910-д и группу элементов ИЛИ новибратора 57, вызвав появление на его401 - 404. выходе двухсекундного импульса (фиг.12 е),которыйчереззлементИЛИ 20 поступаетна явление единичного импульса на первом управляющий вход элемента 17, прекратив выходе счетчика 24 обесгтечит подачу...

Номер патента: 1751766

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Супрун, Уваров

МПК: G06F 11/20

Метки: интерфейс, мажоритарно-резервированный, памяти

...седьмым и восьмым, девятым и десятым, одиннадцатым и двенадцатым межканальными входами канала, выходы первого - третьего мажоритарных элементов соединены с входами блока управления коммутацией, выходы которого соединены с управляющими входами коммутатора выходной информации, управляющий вход дешифратора отказов - с выходом первого элемента И-ИЛИ - НЕ и с первым управляющим входом блока вентилей, второй и третий управляющие входы которого являются входами вторби группы имитации единиц и нулей канала соответственно, вход управления коммутатором адреса является соответствующим входом канала, выходы коммутатора адреса соединены с входами первой группы мажоритарного блока адреса, входы второй и третьей групп которого являются третьей и...

Номер патента: 1751813

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Науман, Служеникин, Шумкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, информации, памяти, считывания

...14 формируется импульсный входнойУстройство считывания информации сигнал для дифференциального ограничитеобнаруживает считанный сигнал "1" на Фо- ля 11. Последний формирует дифференцине помех (считанного сигнала "0"). Опера- альный сигнал ограничения, полярностьция обнаружения осуществляется с которого противоположна полярности счипомощью амплитудно-временной селекции, 50 танного сигнала А фиг,3). С помощью резистора 14 регулируется амплитуда сигнала держивается уровень напряжения на его ограничения;: входах близким к нулевому уровню,Дифференциальная нагрузка 4 являет- При поступлении строб-импульса В на ся общей для дифференциального усилите- стробирующий вхЬд 15 дифференциальный ля 3 и дифференциального ограничителя 11, 5 ключ 7...

Номер патента: 1751817

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Борисов, Исаев, Огнев

МПК: G11C 15/00

Метки: ассоциативной, памяти, ячейка

...50 55 520-23, выполненные в виде резисторов, соответственно подключены к шине 24 потенциалалогической единицы,Ячейка ассоциативной памяти работаетследующим образом.В исходном положении триггер 1 установлен в одно из состояний в соответствиисо значением бита записанной информации;Ячейка ассоциативной памяти, кромехранения бита, позволяет выполнять следующие операции: запись по строке, записьпо столбцу, считывание по строке, считывание по столбцу, ассоциативный маскируемый поиск по внешнему поисковомуаргументу, ассоциативный маскируемыйпоиск с использованием ячейки в качествеисточника бита поискового аргумента (т.е,ассоциативный маскируемый поиск йо внутреннему поисковому аргументу).. Запись по строке реализуется подачейна шину 11 сигнала...

Номер патента: 1751821

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Куранов, Павлов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, оперативной, памяти

...задержки, первый 5 и второй 6 триггеры, первый 7 и второй 8 элементы И, первый мультиплек сор 9, анализатор 10 кодов, первую 11 и вторую 12 группы элементов ИСКЛЮЧАЮ-ЩЕЕ ИЛИ, второй 13 и третий 14 мультиплексоры, счетчик 15 циклов, дешифратор 16 циклов, элемент ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 35 17,переключатель 18, причем первый 19 и второй 20 разряды счетчика 2 соединены с входами дешифратора 3, третий 21 разряд счетчика 2 является выходом задания режима устройства и соединен с входом мульти плексора 13 и вторым управляющим входом анализатора 10 кодов, четвертый 22 разряд счетчика 2 соединен с вторым входом мультиплексора 13 и с первым входом второго элемента И 8, первый 23. выход дешифрато ра 3 соединен с входом линии 4 задержки и первым входом...

Номер патента: 1753476

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Говоров, Есин, Маригодов, Пузанов

МПК: G06F 12/00

Метки: адресации, памяти

...2 нестанет равным содержимому регистра 1. В этом случае с выхода первого 10 цифрового блока сравнения снимается сигнал Ос 1, который подводится к второму входу генератора 6 и срывает его генерацию, Врезультате в счетчике 4 фиксйруется номер корпуса БИС РОЗУ, в котором находится инструкция, номер которой равен (йи) и находится в регистре 1. а в счетчике 5 - адреспервого символа в инструкции применительно к данному номеру корпуса БИС РПЗУ. Выход блока 10 является первым управляющим выходом устройства.Сигйал Ос 1 с выхода блока 10 подводится к МОИ. Передний Фронт этого сигнала Устройство (фиг. 1) работает в .следующей последовательности.Сигнал 01(фиг, 2), поступающий от МПИпо первому управляющему входу устройст-.5 ва, подводится к...

Номер патента: 1755285

Опубликовано: 15.08.1992

Автор: Новокайдатских

МПК: G06F 12/00

Метки: блоков, выборки, памяти

...адреса подключены к входу разрешения работы устройства, а информационный вход подклгочен к выходу основного узла идентификации адреса, выход К-го узла идентификации адреса является Выходом выборки К-го блока . памяти устройства. На чертеже приведена функциональная схема устройства для выборки блоков памяти. Устройство содержит основной узел 1идентификации адреса, аналогичные ему поструктуре узлы 11 - 1 г, схемы 2 и 3 сравнения, регистра 4, блок 5 задания постоянного5 кода адреса, триггер 6, вход 7 разрешениядоступа к блокам памяти устройства, Вход 8разрешения работы устройства, адресныйВход 9 устройства, старшие разряды адресного входа 10 устройства, информационный10 вход 11 устройства, старшие разряды информационного входа 12...

Номер патента: 1131236

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Кульков, Панин

МПК: C22C 19/03, C22C 22/00

Метки: памяти, сплав, формы, эффектом

...компонентов, мас.%:Никель 37-50 Железо 2 - 12Марганец Остальное Железо, при введении его в сплав ИМп в указанных количествах, не изменяет последовательности структурных превращений в сплаве, но существенно меняет магнитные характеристики материала, Поскольку само структурное превращение в ЮМп обусловлено не антиферромагнетизмом сплава, а именно его магнитострикционными константами, то их изменение вызывает изменение характеристик эффекта памяти, Добавление железа в большем количестве вызывает понижение температуры структурного превращения и понижение, соответственно, температурной области проявления эффекта памяти.Для опробования предложенного сплава были изготовлены композиции, химический состав которых приведен в...

Номер патента: 1761120

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Кузьмин, Сидоренко, Шило

МПК: A61B 5/16

Метки: исследования, памяти, человека-оператора

...испытуемым с ц 8 лью их ид 8 нтификации. СОстОит из пяти схем сравнения, выполненных по транзисторно-тиристорной логической схеме И, каждая из которых имеет число входов, равное числу элементов табло, загорающихся одновременно.Подача сигналов на входы схемы И выполняется путем воздействия испытуемым на клавиатуру ответов. В случае совпадения состояний программного и введенного испытуемым при ответе, формируется сигнал на период блока индикации в следующее поограммное состояние.Блок 4 индикации позволяет выбирать в той или иной последовательности программные состояния при контроле и обучении испытуемого путем нажатия соответствующих кнопок. Кроме того, блок управления коммутирует цепи питания, обучения, контроля обнуления шкал таймера,...

Номер патента: 1762320

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Боженко, Мешков

МПК: G11C 21/00

Метки: динамической, зонами, памяти, регенерацией, свободными

...поступает сигнал Е запроса внешнего обмена. По первому синхровходу 10 поступают синхроимпульсы СИкег выборки зон при регенерации, по второму 11 - синхроимпульсы СИво внеш него обращения. С выхода 12 поступают адреса Ай выбираемых зон памяти, на вход 13 - старшие разряды строчных адресов внешнего обращения Арво, являющиеся адресами выбираемых зон памяти, По входу 14 поступает сигнал ВЕР режима регенерации, по входу 15 - сигнал начальной установки НУ,Реализованный вариант устройства предназначен для управления регенерацией динамической памяти, разделенной на 8 зон. Дешифратор 1 выполнен на К 555 ИД 7, регистр 2 - на К 555 ТМ 8, регистр 3 совместно с коммутатором 4 - на основе К 555 КП 13, шифратор - на К 555 ИВ 1, элементы 6, 7 -...

Номер патента: 1600552

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...для нулевого состоянняаРабота элемента памяти заключает"ся в следующем,5При подаче относительно истоканизкого положительного напряжения(+5 В) ца область 3, на сток - болеенизкого положительного напряжения1-2 В) череэ него протекает ток, обратно пропорциональный эФФективнойдлине канала. С помощью усилителясчитывания величина тока (больйаяили малая) преобразуется в двоичнуюинформацию (единичную или нулевую).При подаче нулевого напряженияца область 3 элементы памяти (Фиг.1,2) находятся в закрытом состоянии,ток через нцх пе протекает,В элементе памяти (Фиг.З) за счет 20размещения области 6 второго типапроводимости обеспечивается наименьщая эФФективная длина канала, наиболь- .шая крутизна вольт-амперной характеристики ив, чем для элементов...

Номер патента: 1655242

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Овчаренко

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...за счетвысокой напряженности стокового электрического поля выбранных запоминаю "щнх транзисторов "горячие" электроныинжектируются из каналов этих транзисторов, захпзтьгваются поликремнггевыми областями, чТо приводит к повьппению их пороговых напряжений. Этоэквивалентно нулевому непроводящемусостоянию в режнгге считывания информации,Состояния остальных невыбраниыхзапоминающих транзисторов сохраняются неггзлгенными из-за нулевого напряжеггия на адресных поликремниевыхплглах илп низкого напряжения на разрядных диффузионных шинах, в результате чего отсутствует инжекция "горячих" электронов в их каналах.В режиме считьвания информации иа,адресные поликремниевые шины и разрядные диффузионные гпины подают более низкое (5 В) напряжение...

Номер патента: 1496524

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Гладких, Муравский, Сайбель, Титов

МПК: G11C 17/14

Метки: памяти, перепрограммируемого, элемента

...ОЗМОжОСЬ ДБ за тв орое ) на соседив участки в частности участок кдцдлд МОП-транзистора, через Окруждощуо атмосферу), тдк как участок будупего кдцаля МНОП-транзистора защищен слоем 6 целегированцого поликремния, Это снижает дисперсию порогового цапрякения МНОП-транзистора.Слой 7 окисла кремния, получеццьп в результате окисления поликремция, удаляют анизотропным птдзмохимическим травлением с горизонтальных учдсткотз структуры, оставляя его нд вертикальных стенках затворов (фиг,5). Затея проводят химическуо обработку, наносят туннельно-прозрачный четве 1)тый слОЙ Окисла креме 1 ияотолщиной 16.1,5 Л и слой нитридао кремния толщиной 200+15 Л. В совокупности эти два слоя представляот собой здпоминдощую среду слоя 9 )цт.6)...

Номер патента: 1612802

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Канакин, Мануйлова, Наймарк, Соломенников

МПК: G11C 19/28

Метки: мдп-транзисторах, памяти, регистра, сдвига, ячейка

...выводе.варактора 5 остается и передаОщцй транзистор 3 остается открытым. Затем напряжение па входе 8 (сток ключевого транзистора 2) умецьшаетсн до нуля, Па второй так- тоный вход 7 подается высокое ца" 1 ряжение, которое поступает ца сток передающего транзистора 3, па затвор цагруэочного транзистора А и ца эатвоР ключевого тРаизцстоуа 2 после дд дующей ячейки памяти, так как отно1 Д шецие - цагруэочного транзистора 41.меньше, чем у передающего транзистора 3, то напряжение на выходе первой ячейки близко к напряжению навтором тактовом входе 7. Это напряжение через открытый ключевой транзистор 2 последующей ячейки регистрапередается ца первый вывод варактораэтой ячейки и открывает передающийтранзистор 3 точно так же, как впредыдущей...

Номер патента: 1667537

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Голод, Девятова, Ерков, Лихачев

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...случая полупроводниковой подложки р-типа. Исходное пороговое напряжение элемента памяти близко к нулю. Запись 15 информации осуществляют подачей на электрод затвора (слой 9) элемента памяти относитеяьноподложки 1 импульса положительного напряжения. Амплитуда импульса такова,что с учетом толщины и диэлектрических проницаемостей диэлектрических слоев 4-8 затворной Структуры электрические поля в сверх- тонком слое 4 окисла и нитридно-оксинитридной структуре имеют величины 25 не менее 1 б и 5-8 мВ/см соответственно. Электронный ток через сверхтонкий окионый слой 4 в этих условиях преобладает ад током электронов в нитрид но-оксинитридной структуре и часть ЗО электронов захватывается ловушками этой структуры, что переводит элемент памяти в...

Номер патента: 1582890

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Багинский, Егоров, Ерков, Косцов, Лихачев

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...5 и на границах второго ди- весьма желательно, так как он позвозлектрического слоя 5 с третьим б и ляет в этом случае повысить злектритретьего 6 с сегнетозлектрическим ческую прочность диэлектрической сисслоем 7. содержащих высокую плотность темы и создать дополнительную концепт" глубоких ловушечных центров, происхо- Зр рацию глубоких ловушечных центрон и, дит накопление заряда электронов что таким образом, способстнует улучшепереводит транзистор памяти в непро- нию эффективности записи информацион" водящее состояние с высоким пороговым ных зарядов и их хранению. Однако напряжением. т 1)етий диэлектрический слой б не долСтирание заряда осуществляется при.з 5 жен быть сколь угодно толстым, так ложением к затвору относительно под- как...

Номер патента: 1641145

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Гольд, Девятова, Ерков, Лихачев

МПК: H01L 21/318

Метки: затвора, мноп-элементов, памяти

...0,001 1-2 2-4 4-6 10"12 Разбростолщины попластиеее,7. л 5 2 8 12 +15 л 200 Время форииронакилоксинитридного слоя, иинСкорость растекания инфориационного зарода, ВЫек 150 120 бО увеличениевреиенн проО, 15-0,25 О, 15-0,25 О, 15-0,2 О,15-0,2 граииированняДо 1 с 0,3-0,4 1+100:1 1; 50: 1 1; 2: 20 1:150:0 01 Образование81 О Температурньпе интервал синтезаЬ 55 слоя оксинитрида определяется способностью к записи информационного зарядае при температуре, превышающей Соотношениескоростейпотоков 8 С 1:80:ИН Скорость растекания инФорелациоееееого заряда, В/дек 4толщиной 300 А. Затем в случае необходимом Формируют слой блокирующего окисла из смеси моносилана и эакиси азота. Электроды Формируют с помощью Фотолитографии из легированного фосФором...

Номер патента: 1642888

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Овчаренко, Сущева

МПК: G11C 17/00

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент

...полупроводниковой подложки 1. Под дейст-вием высокой напряженности электричес-. кого поля во втором диэлектрическомслое 8 электроны инжектируются с ниж- ней поверхности по 3 икремнневых областей 9, туннелируют через Второй диэлектрический слой 8 и удаляются через области 5, 12 В результате .этого пороговые напряжения запоминающихтранзисторов становятся отрицательными, что эквивалентно единичному про водящему состоянию в режиме считыва" ния информации.3 режиме программирования информа" ции на Выбранную адресную поликремпиевую шину и выбранные разрядные диффузионные шины подают высокое положительное импульсное напряжение(12 В, 1 мс), На соседние разрядныедиффузионные шины и остальные адресные шниы подают нулевое напряжение,на...

Номер патента: 1540563

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Голод, Девятова, Ерков, Лихачев, Талдонов

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...заряда. 11 аличие же второгопроводящего слоя 9 из тугоплавкогометалла или его силицида снижаетинжекцию носителей заряда из электрода затвора, что уменьшает компен 50сапию зарядов противоположного знака;иисктированных иэ подложки 1 и электрода затвора. Таким образом, в треть.ем диэлектрическом слое б. и вблизиего границ происходит накопление55преимущественно электронов, что переводит элемент памяти в непроводящее состояние с высоким пороговым напряженим, величина которого существенно превышает величину порогового напряжения в случае высокой цнжекцйон ной способности электрода затвора Энергетическое положение ловушек обеспечивает длительное хранение захваченного заряда, в том числе и при повышенных температурах.Стирание заряда...

Номер патента: 1765227

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Коваль, Неганов

МПК: C22C 9/01

Метки: меди, основе, памяти, сплав, формы, эффектом

...15 20 30Пео вкпо. чений П 333 Д" 80 От (тыс.)Вес ТЧЭ (г) Химические эюненти (е ат.г нас) Температуры иэивнеиип и восстаюегенил исходнойОорны ТЧЭ ( С) вупlп Примечание ИЬ С Те Тх Ст Сп Дэ установки вГРИС Послевскрытиен1 8,02 9,53 11,04 8,05 11,0б 8,07 11,08 9,59 951 О 8,01 7,812 11,213 8,04 9,215 10,636 8,017 10,618 8,09 10,620 9,221 9,222 8,023 7,824 10,8 346 177 128 165 92 324 100 ЭО 115, 149 137 182 105 133 1 16 141 1 О 127 135 160 164 238, 1 3 06 536561464 492 347 368 525 550 330 386 455 489 283 Э 10 401 436 438 470 497 556 56 Э 604 204 230 606,0 6,0 6,0 6,0 6,0 6,0 6,0 6,0 6,0 0,038 0,071 2,1 2,2 г,1 2,0 23 г,4 2,2 2,2 2,0 2,1 0,015 О,033 0,5 0,24,0 3,08,0 5,08,0 5,00,5 0,24,0 3,04,0 3,08,0 0,24,0 3,05,00,4 0,18,2...

Номер патента: 1767533

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Горохов, Драчук

МПК: G11C 11/14

Метки: доменной, памяти, формирователь

...режиме иллюстрируется векторнойдиаграммой фиг,2.Векторная диаграмма построена для ну"левой фазы входного сигнала Ох (неинвертированный вход операционного усилителя2), так как вектор О (вектор ОА) направленпо действительной оси диаграммы, Вектортока катушки 4 (вектор ОЕ) также направлен по действительной оси, поскольку токнагрузки в усилителе с глубокой отрицательной обратной связью по току в точностисовпадает по форме и фазе с его входнымнапряжением. Вектор напряжения на катушке 4 О, (вектор ОН) складывается из век50 55 тора ее индуктивной составляющей А (вектор ОО), опережающей вектор тока катушки , на 90, и вектора ее активной составляющей Ок (вектор ОН), совпадающей по направлению с вектором тока катушки, Пренебрегая падением...

Номер патента: 1767535

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Верходанов, Гладких, Евтин, Латышев, Славнова, Эрмантраут

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...область каналатранзистора с переменным пороговым напряжением проводят по маске фоторезиста5 ионную имплантацию мышьяка 6 энергией 100 кэВ, дозой 0,06 мкКл/см до вытравливания отверстий, Затем после снятияфоторезиста и обработки пластин в полученных отверстиях выращивают туннельно-прозрачный диоксид кремния 7реакцией закиси азота с кремнием в РПДреакторе при 700 С, толщиной 18 А, в томже реакторе на всей поверхности пластинывыращивают слой нитрида кремния 8 при700 С, толщиной 600 А разложением тетрахлорида или дихлорсилана кремния в среде аммиака, После формированияконтактов напыляют алюминий 9 и методами фотолитографии формируют металлизированную разводку и затворы транзисторовсхемы, Затем по маске алюминия проводятионную имплантацию...

Номер патента: 1774380

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Дудукин, Рудычев, Сычев, Шарапов

МПК: G11C 29/00

Метки: блоков, многоразрядной, оперативной, памяти

...14 задержки, вход которого соединен с выходом третьего элемента И 4. Выход элемента И - НЕ 30 соединен с входом установки в единицу генератора 7 псевдослучайной последовательности. Выходь 1 первого регистра 31 соединены с первой группой входов коммутатора 8 и группой входов пятого элемента И 6. Информационные входы генератора 7 псевдослучайной последовательности являются информационными входами.24 устройства, Выход блока 15 сравнения соединен с первым входом четвертого элемента И 5, выход которого является сигнальным выходом 20 устройства. Второй вход четвертого элемента И 5 соединен с инверсным выходам второго триггера 12. Входы установки в единицу и ноль второго триггера 12 являются соответственно третьим 18 и четвертым 19...

Номер патента: 1777142

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Кисель, Комлик, Неселовский, Фирсов

МПК: G06F 12/08

Метки: адреса, блока, замещаемого, памяти, формирования

...у которого число строк состав- ляет 4, а число колонок равно 64. На фиг, 1 представлена структурная схема устройства для формирования адреса замещаемого блока памяти; на фиг, 2 - таблица истинности преобразователя кода; на фиг. 3 - функциональная схема блока выбора адреса замещения; на фиг. 4, 5 - таблицы истинности ППЗУ, на которых реалиэован блок выбора адреса замещения. Устройство для формирования адреса замещаемого блока памяти (фиг. 1) содержит блок памяти 1, регистр 2, преобразователь кода 3, блок выбора адреса замещения 4. Введены следующие обозначения: адресный вход 5, синхровход 6, вход кода сравнения 7, вход битов отключения 8, выход 9,информационная связь 10,Блок памяти 1 хранит коды хронологии, отражающие точную...

Номер патента: 1784986

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Кицис, Клейнер, Латышев

МПК: G06F 13/00

Метки: блоку, двух, обращения, общему, памяти, процессоров

...только для первого процессопотейциалом с инверсного выхода триггера ра 23.1, Передний фронт тактового импульса ТИ 1 При его втором обращении к блоку папроцессорного элемента 28 по первой так- мяти 25 процессорный элемент 28 выставиттовой шине устройства 22 устанавливает сигнал ЗП 1 уровня "1", который через оттриггер 2 в состояние "1", благодаря чему на 15 крытый элемент И-НЕ 10 установит триггерпервой шине разрешения обмена устройст- . 12 в исходное состояние "0", переводя уства 22 появляется сигнал Р 01, уровень. "О" . ройство 22 во второй режим работы,которого позволяет процессору 23 продал-, Импульс частоты 1 двухфазного генеражить процедуру обмена. Процессорный эле- тора импульсов 5 через элемент И-НЕ 3 усмент 28 снимает...

Номер патента: 1785042

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Лелькова, Насакин, Погорелов

МПК: G11C 29/00

Метки: диагностирования, оперативной, памяти

...ошибки. Получаем А(7,8) =- О, А(9) = 1, Таким образом сформировался5 10 15 20 25 30 35 40 45 ваются в исходное состояние триггеры 76 -82 через соответствующие им элементыИЛИ 65, 67, 71, 69, 70, 73, 72, счетчик 86логаута устанавливается в состояние "О". С приходом сигнала суммарной корректируемой ошибки на управляющий вход 29 регистра 62 сдвига начинает вырабатывать следующие такты;1 такт - триггер 76 устанавливается в состояние единицы и сигнал управления чтением блока 15 через элемент ИЛИ 68 поступает на выход 32 блока 13;2 такт - вырабатывается сигнал управления переписью содержимого блока 15 на счетчик 16 (выход 37 блока 13);3 такт - сбрасывается триггер 76 через элемент ИЛИ 63 и формируется сигнал "плюс" единица (выход 38 блока...

Номер патента: 1786501

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Долгов, Кирюхин, Кудряшов, Мухортов

МПК: G09B 9/00

Метки: оценки, памяти

...И 33. Блок 8 включает группу светодиодов 341 - 3412, ключ 35 и индикаторы 36 "Конец" и 37 "Стоп".Пульт 9 содержит клавиатуру 38 с числами от 0 до 22, клавиши "П" (" Пуск" ), группу шифраторов 391-392 з, группу элементов ИЛИ 401 - 405, элемент ИЛИ 41 и элемент 42 задержки.Устройство работает следующим образом. Предварительно переключатели 27 и 28 блока 7 устанавливают, например, в пятое положение, обеспечив вероятность опознания Р = 0,5. Включают питание. Реверсивный счетчик 20 блока 6; счетчики 25 и 26 блока 7 устанавливаются в исходное состояние, триггер 21 - в нулевое положение Оператор нажимает клавиши "П" (Пуск) на пульте 9, импульс с выхода которого поступает через элемент ИЛИ 23 блока 6 на вход прямого счета реверсивного счетчика...

Номер патента: 1786508

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Венжик, Рыбалко

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...каким-либопотерям в цикле записи, Так, при запис объектом, (третий ключевой элемент нахоЛог.0 на шину адреса подается высокий, адится в открытом состоянии), как следует из формулы (1) напряжение Лог.О на выходе 0 ячейки памяти будет равно Опор. третьего ключевого транзистора, что затрудняет использование данного выхода ячейки памяти дальше в схеме.. Наиболее близким по технической сущности является схема элемента памяти, содержащая два запоминающих транзистора с каналом М-типа, два нагрузочных транзистора с каналом Р-типа, транзистор связи с каналом М-типа, ключевой транзистор с каналом й-типа, исток которого соединен с истоком первого запоминающего транзистора и подключен к шине нулевого потекциала, затвор подключен к первой...

Номер патента: 1789987

Опубликовано: 23.01.1993

Автор: Тетенкин

МПК: G06F 13/28

Метки: доступа, контроллер, памяти, прямого

...со стороны процессора,На фиг. 1 представлена структурная схема контроллера ПДП; на фиг, 2 - функциональная схема узла фиксации запрОсов; на фиг, 3 - функциональная схема узла управления; на фиг. 4 - функциональная схема узла доступа; на фиг, 5 - временная диаграмма вьиьолнения цикла передачи данных; на фиг. 6 - временная диаграмма замены атрибута блока; на фиг, 7 - временная диаграммазамены атрибутов списка и блока; на фиг, 8 - временная диаграмма окончания работы контроллера ПДП при завершении списка,Контроллер ПДП содержит (см. фиг. 1) узел 1 фиксации запросов, узел 2 управления, узел 3 доступа, запоминающее устройство 4 атрибутов, компаратор 5, регистр 6 текущего атрибута, инкреенатор 7, шину 8 управления, шину 9 адреса, шину 10...

Номер патента: 1791849

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Варламов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...памятиЭВМ,Целью изобретения является увеличение информационной емкости элемента памяти,На чертеже представлена электрическая схема элемента памяти,Элемент памяти содержит два ключевых транзистора 1, 2, два транзистора связи3, 4, два нагрузочных резистора 5, 6, разделительные элементы на диодах 7, адреснуюшину 8, две разрядные шины 9, 10, шинысчитывания 11, шину питания 12, шину нулевого потенциала 13,Устройство работает следующим образом.П ри записи информации работа тратера ничем.не отличается от. работы обычного 20статического триггера, Операция считывания любой информации также ничем не отличается от операции считывания статическоготриггера,Диоды 7 могут быть либо подсоединены 25к шинам 11, либо не подсоединены, в зависимости...