Способ получения монокристаллов арсенида галлия

. %15научно-исследовательский лов электронной техники н, С.Ю,Курочкин, О.А.Кизяинидетельство СССР30 В 15/00, 1985 (непубИзобретение относится к технологии получения монокристаллов полупроводниковых соединений и может быть использовано в цветной металлургии и электронной промышленности.Цель изобретения - уменьшение в монокристаллах малоугловых границ, полос роста и дислокационных ячеек,Поставленная цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов арсенида галлия на затравку при постоянной скорости вытягивания и воздействия на расплав ультразвуковыми колебаниями вдоль оси роста, выращивание ведут при увеличении частоты ультразвуковых колебаний от 5 10 кГц со скоростью 8-10 кГцэна 1 см длины выращиваемого слитка. Выбор средств скорости изменения частоты обьясняется тем, что при скорости повышения частотц менее 8 кГц на 1 см длины монокристалла не достигается существенного увеличения выхода годного, при повышении частоты ультразвука выше 10 кГц на 1 см длины слитка экспериментально не от(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ(57) Использование: получение монокри. сталлов для электронной промышленности, Сущность изобретения; кристаллы выращивают методом Чохральского. После разращивания на расплав накладывают ультразвук частотой 5 10 кГц и увеличивают затем со скоростью 8 - 10 кГц на 1 см вы ра шиваемого кристалла. Увеличивают выход кристаллов без полос роста, дислокационных ячеек, 1 табл. но повышения выхода монокристалла олос роста, а работа генератора ультковых колебаний при быстром изменеастоты становится менее устойчивой, ри более медленном изменении частоСпособ осуществляется следующим образом,В тигель установки выращивания моно- кристаллов загружают твердый арсенид галаааеЪ лия и флюс-оксид бора, на верхнем штоке закрепляют затравку, Камеру установки, в-Ъ которой проводят выращивание монокри- (,.) сталла путем вытягивания его на затравку, С) герметизируют, откачивают атмосферный воздух и наполняют газообразным азотом до давления 1 атм, Загруженные в тигель арсенид галлия и флюс оасплавляют, опувювЪ скают в расплав затравку, проводят затравливание, включают ультразвуковой генератор с частотой 5 10 кГц и вытягива.зют на затравку монокристалл при постоян ной скорости вытягивания при увеличении частоты ультразвуковых колебаний в предеказ 1422 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 КНТ Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 лах 8 - 10 кГц на 1 см длины выращиваемого монокристалла. После исчерпания расплава в тигле монокристалл охлаждают и после остывания извлекают из камеры установки,Выращивали монокристаллы арсенида галлия полуизолирующего по технологии 012000.00005 на установке "Астра",В тигель установки загружали поликристаллический арсенид галлия массой 3000 г, флюс-оксид бора - 400 г, на верхнем штоке закрепляли затравку. Камеру закрывали, откачивали до 10 мм рт,ст, и заполняли газообразным азотом до давления 1 атм. Загрузку в тигле расплавляли, опускали в расплав затравку, проводили эатравливание и разращивание монокристалла до заданного диаметра после чего включали ультразвуковой генератор и дальнейшее выращивание вели при увеличении частоты ультразвуковых колебаний со скоростью 8 - 10 кГц на 1 см длины монокристалла,Если ультразвук включали до затравливания, то годных кристаллов не получалось, так как они содержали малоугловые границы и имели более высокую плотность дислокаций (более 1 10 см ) по сравнению с допустимой техническими условиями, Включение ультразвука после эатравливания и разращивания слитка обеспечивало высокое структурное совершенство слитков(плотность дислокаций менее 1 10 см бозлее высокий выход годных кристаллов посравнению с прототипом),Данные по примерам сведены в табли 5 цуИз приведенных данных видно, что врежимах, опредеЛяемых изобретением выход части монокристалла без полос ростаувеличивается более чем в два раза по срав"0 нению со способом авторов прототипа.Изобретение позволяет увеличить выход годных монокристаллов за счет увеличения частоты ультразвуковых колебаний.соскоростью 8 - 10 кГц на 1 см длины вытягиваемого слитка,Формула изобретения Способ получения монокристалловарсенида галлия, включающий затравливание, разращивание до заданного диаметра и вытягивание кристалла из расплава на затравку при воздействии на расплав ультразвуковыми колебаниями вдоль оси выращивания, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с 25 целью уменьшения в монокристаллах малоугловых границ, полос роста и дислокационных ячеек, ультразвуковые колебания на расплав подают после разращивания частотой 5 10 кГц и при вытягивании увеличиваз30 ют частоту со скоростью 8-10 кГц на 1 смдлины выращиваемого кристалла,