Способ получения монокристаллов сцинтилляционных материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
)5 С 30 В 11/02 29/12 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ИЯ предварительной дегид материала в вакууме, о тем, что, с целью повыш прочности счетных хар ных монокристаллов, в после дегидратации вв одноименного щелочно2. Способ по и. 1, о тем, что добавку йодата до 0,5 мол. . ратациеи исходного тличающийся ения радиационной актеристик получен- исходный материал одят добавку йодата го металла.тличающийся вводят в количестве и Я МОНО- ИОННЫХ в щелочавкой на 1 сплава с Осуществление выращивания при таких условиях дает возможность повысить радиационную прочность счетных характери, стик монокристаллов, что позволяет использовать их при работе в сильных переменных полях ядерной радиации, ЬП р и м е р, Предварительно дегидрати- д рованную соль Йа при постоянном вакуу- ц мировании нагревают до расплавления.Затем в расплав добавляют 0,1 мол.ТП и 0,4 мол.ИаЮЭ и производят выращивание в вакуумированной герметичной ампуле при ее опускании в печи со скоростью -2 мм/ч, Получены монокристаллы 6 40 мм, Счетные характеристики счетчиков, изго- а товленных их этих кристаллов, после облучения в течение 1 ч гамма-радиацией мощностью 50 рад/ч не изменяются. к технологии интилляционй кристаллиГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИКРИСТАЛЛОВ СЦИНТИЛЛЯЦМАТЕРИАЛОВ на основе йодидо.: ных металлов с активирующей добправленной кристаллизацией ра Изобретение относится. получения монокристаллов сц.зацией расплава.Известен способ выращивания моно- кристаллов на основе йодидов щелочных металлов с активирующей добавкЬй направленной кристаллизацией расплава предварительно дегидратированного сырья в вакууме. Кристаллы, выращенные этим способом, запасают светосумму при облучении ионизирующим излучением, что приводит к значительному ухудшению их счетных характеристик.Отличие предлагаемого способа состоит в том, что в исходный материал после дегидратации вводят добавку йодата одноименного щелочного металла в количестве до 0,5 мол, . Ы 415916 А
СмотретьЗаявка
1756815, 07.03.1972
ГУРЕВИЧ Н. Ю, МУСТАФИНА Р. Х, ПАНОВА А. Н
МПК / Метки
МПК: C30B 11/02, C30B 29/12
Метки: монокристаллов, сцинтилляционных
Опубликовано: 23.03.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-415916-sposob-polucheniya-monokristallov-scintillyacionnykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов сцинтилляционных материалов</a>
Предыдущий патент: Устройство для вытягивания из расплава монокристаллической нити
Следующий патент: Устройство для измерения уровня жидкости
Случайный патент: Способ отделения окисной пленки с анодированного алюминия