Способ получения монокристаллов сцинтилляционных материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
)5 С 30 В 11/02 29/12 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ИЯ предварительной дегид материала в вакууме, о тем, что, с целью повыш прочности счетных хар ных монокристаллов, в после дегидратации вв одноименного щелочно2. Способ по и. 1, о тем, что добавку йодата до 0,5 мол. . ратациеи исходного тличающийся ения радиационной актеристик получен- исходный материал одят добавку йодата го металла.тличающийся вводят в количестве и Я МОНО- ИОННЫХ в щелочавкой на 1 сплава с Осуществление выращивания при таких условиях дает возможность повысить радиационную прочность счетных характери, стик монокристаллов, что позволяет использовать их при работе в сильных переменных полях ядерной радиации, ЬП р и м е р, Предварительно дегидрати- д рованную соль Йа при постоянном вакуу- ц мировании нагревают до расплавления.Затем в расплав добавляют 0,1 мол.ТП и 0,4 мол.ИаЮЭ и производят выращивание в вакуумированной герметичной ампуле при ее опускании в печи со скоростью -2 мм/ч, Получены монокристаллы 6 40 мм, Счетные характеристики счетчиков, изго- а товленных их этих кристаллов, после облучения в течение 1 ч гамма-радиацией мощностью 50 рад/ч не изменяются. к технологии интилляционй кристаллиГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИКРИСТАЛЛОВ СЦИНТИЛЛЯЦМАТЕРИАЛОВ на основе йодидо.: ных металлов с активирующей добправленной кристаллизацией ра Изобретение относится. получения монокристаллов сц.зацией расплава.Известен способ выращивания моно- кристаллов на основе йодидов щелочных металлов с активирующей добавкЬй направленной кристаллизацией расплава предварительно дегидратированного сырья в вакууме. Кристаллы, выращенные этим способом, запасают светосумму при облучении ионизирующим излучением, что приводит к значительному ухудшению их счетных характеристик.Отличие предлагаемого способа состоит в том, что в исходный материал после дегидратации вводят добавку йодата одноименного щелочного металла в количестве до 0,5 мол, . Ы 415916 А
СмотретьЗаявка
1756815, 07.03.1972
ГУРЕВИЧ Н. Ю, МУСТАФИНА Р. Х, ПАНОВА А. Н
МПК / Метки
МПК: C30B 11/02, C30B 29/12
Метки: монокристаллов, сцинтилляционных
Опубликовано: 23.03.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-415916-sposob-polucheniya-monokristallov-scintillyacionnykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов сцинтилляционных материалов</a>
Способ выращивания монокристаллов йодата лития гексагональной модификации
Номер патента: 1605584
Опубликовано: 27.04.1996
Авторы: Блистанов, Гераскин, Ермаков, Козлова, Мосиевский, Портнов, Розин
МПК: C30B 29/22, C30B 7/02
Метки: выращивания, гексагональной, йодата, лития, модификации, монокристаллов
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ по авт. св. N 1503346, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов, размер грани затравки выбирают равной не менее 2d, где d толщина элемента.
Способ получения монокристаллов тугоплавких металлов и сплавов
Номер патента: 232214
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Баранов, Бурханов, Раскатов, Савицкий
МПК: C30B 11/10, C30B 29/52
Метки: металлов, монокристаллов, сплавов, тугоплавких
...затравку 1 из вольфрама или другоо тугоплавкого металла укрепляют на медном водоохлаждаемом штоке2, соединенном с приводом вращения и возвратно-поступательного перемещения по вертикали, В качестве источника нагрева используется плазменная струя, создаваема при помощи плазменной дуговой горелки 3, В качестве плазмообразующего газа - аргон, 1 елий, азот и другие газы, неактивные по от. ношени 10 1 перекристаллизуемому металлу, 11 сходный материал, например, в виде прутка 1, равномерно подают в процессе выращивапы в горячую зону плазменной струи, где он расплавляется и стекает в образующуюся на )Ор 110 затравки жидку 10 Ванну, удерживаезук 1 слами поверхностноо натяжения. Б качестве исходного материала может быть использоВа Также...
Устройство для выращивания монокристаллов из расплава
Номер патента: 988008
Опубликовано: 10.07.1999
Авторы: Березин, Васильев, Дранкин, Жвирблянский
МПК: C30B 15/02
Метки: выращивания, монокристаллов, расплава
1. Устройство для выращивания монокристаллов из расплава, включающее герметичную камеру роста, тигель для исходного материала, размещенный в нижней части камеры, расположенный над ним затравкодержатель и средство для дозагрузки тигля исходным материалом, выполненное в виде лотка и питателя с приводом, установленным с внешней стороны камеры, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов за счет снижения загрязнения расплава, лоток снабжен механизмом перемещения, а питатель размещен в камере и снабжен стержнем, соединенным с приводом через мембрану.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что механизм перемещения лотка выполнен в виде шарнирной тяги, соединенной с одной...
Способ получения производных 1, 2-бензотиазин-3-карбоксамида
Номер патента: 552030
Опубликовано: 25.03.1977
Автор: Джозеф
МПК: C07D 279/02
Метки: 2-бензотиазин-3-карбоксамида, производных
...до смолы, Обработка холодным ацетонитрилом с последующей фильтрацией дает озаглавленный продукт,П р и м е р 4. 3 - Хлоро 3,4 - дигидро - 2 - ме.тил - 4- оксо2 Н 1,2- бензотиазин - 3. карбсксаиилид. 1,1. двуокись.Операции примера 1 повторяют с 4,1 1 г (0,01 моля)й - (3. хлорофенил) й . метилй -(2 -метоксикарбонилбензолсульфоиил) глицинамидом вкачестве исходного материала и 800 мг (0,02 ммоля) 50%-ной суспензии гидрида калия в 40 млдиметилсульфоксида с получением озаглавленногосырого продукта, Дальнейшую очистку проводятперекристаллизацией из уксусной кислоты,Пр и м е р 5. Операции примера 1 повторяют сй-арил- й. алкил -й- (2 метоксйсарбонилбен.эолсульфонил) глицинамидом в качестве исходногоматериала с получением соединений формулы...
Способ получения смеси бензолдисульфокислоты и бензолмоносульфокислоты или толуолмоносульфокислоты”
Номер патента: 556725
Опубликовано: 30.04.1977
Авторы: Масао, Минору, Риозон, Такамаса, Такахо, Хироси, Ясуаки
МПК: C07C 143/26
Метки: бензолдисульфокислоты, бензолмоносульфокислоты, смеси, толуолмоносульфокислоты
...гидрата окиси щелочного металла по сравнению с теоретически необходимым количеством приводит к повышенной текучести расплавленной реакционной смеси, поэтому реакция может протекать плавно, и резорцин и фенол получаются с хорошим выходом. В случае использования в качестве исходного материала бензолдисульфокислоты общее теоретическое количество гидрата окиси щелочного металла составляет 6 моль на 1 моль исходного материала - бензолдисульфокислоты, т. е. 2 моль гидрата окиси щелочного металла употребляются при образовании резорцинолята щелочного металла и 4 моль гидрата окиси щелочного металла употребляются при образовании побочного продукта - сульфита щелочного металла. В противоположность этому при использовании в качестве исходного...
Предыдущий патент: Устройство для вытягивания из расплава монокристаллической нити
Следующий патент: Устройство для измерения уровня жидкости
Случайный патент: Способ отделения окисной пленки с анодированного алюминия