Способ получения крупногабаритных монокристаллов ниобата лития

(51) 5 ПАТЕНТН ГОСУДАРСТВЕННОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ЕТЕНИ СВИДЕТЕЛЬСТВ ВТОР евин, А.И.Машков и 7-118087, кл. С 30 В 982.-СИЯ КРУПНОГАБААЛЛОВ НИОБАТА ОПИСАНИЕ И(56) Заявка Японии йг 515/00, 29/30, опублик; 1(57) Изобретение касается получения высокотемпературныхх сегнетоэлектрических монокристаллов ниобата лития, которые, Изобретение касается получения высокотемпературных сегнетоэлектрических монокристаллов. Монокристаллы ниобата лития находят широкое применение в квантовой электронике, акусто- и пьезотехнике. Целью изобретения является повышение выхода кристаллов, свободных от трещин.При применении известных способов получения монокристаллов ниобата лития во время охлаждения в кристалле возникает пироэлектрический заряд, скомпенсированный на поверхности кристалла, После окончания охлакдения пироэлектрический заряд исчезает, а на поверхности монокристалла остается нескомпенсированный электрический заряд, который часто приводит к электрическому пробою по поверхности и возникновению трещин в кристалле.В предлокенном способе нанесения на поверхность монокристалла электроизоляционного лака, имеющего в жидком состояшироко применяются в квантовой электро нике, и позволяет повысить выход кристал лов, свободных от трещин. Способ включает вытягивание монокристалла(М) из расплава на затравку, отжиг и охлаждение до комнатной температуры. После охлаждения на М наносят электроизоляционный лак и извлекают М из ростовой камеры после полного высыхания лака. Нанесенный на М электро- изоляционный лак предотвращает образование трещин и защищает поверхность М от загрязнений. Выход полученных М ниобата лития, свободных от трещин, составил 85. Фнии проводимость 10 - 10Омсм(проводимость жидкого лака близка к проводимости растворителя - основного компонента лака), позволяет компенсировать свободными носителями жидкого лака электрический заряд, образовавшийся на поверхности после охлаждения, и, следовательно, предотвращает электрический пробой и образование трещин.Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционнаго лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.Способ получения состоит из следующей последовательности операций;1468025- вытягивание кристалла из расплава на затравку;- послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей среды;- нанесение электроизоляционного лака,- высыхание электроизоляционного лаСоставитель В.БезбородоваТехред М.Моргентал Корректор И.Шмакова Редактор Т.Иванова Заказ 1959 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ка;- извлечение полученного кристалла из ростовой камеры.П р и )л е р, Монокристаллы изобата лития получали методомЧохральского на высокочастотных установках "Донец" и "Кристалл" иэ расплава конгруэнтоплавящегося состава на воздухе. Скорость вытягивания затравки 3. г 4 м/ч, частота вращения затравки 20 мин 1. После окончания выращивания кристалл отрывали от расплава и 2-3 ч поднимали над расплавом в область с градиентом температуры 5- 10 С/см, Затем кристалл охлаждали до комнатной температуры за 20 г 2 ч. После охлаждения подкристалом, укрепленным на затравкодержателе, устанавливали сосуд с электроизоляционным лаком НЦ, Кристалл погружали в лак и выдерживали 0,5 ч, Затем извлекали из лака и выдерживали 0,5-1 ч до полного высыхания тонкого 5 слоя электроизоляционного лака. После этого кристалл отделяли от затравки и извлекали из ростовой камеры.Выход полученных монокристаллов ниобата лития диаметром 50-60 мм, свобод ных от трещин, составлял 85.Выход монокристаллов, свободных оттрещин, полученных известным способом, ниже 80%.Формула изобретения 15 Способ получения крупногабаритныхглонокристаллов ниобата лития, включающий вытягивание кристалла из расплава на затравку, отжиг, охлаждение до комнатной температуры и извлечение монокристалла 20 из камеры роста, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, что, с целью увеличения выхода кристаллов, свободных от трещин, после охлаждения на монокристалл наносят электроизоляционный лак, извлечение монокристалла из ростовой 25 камеры проводят после высыхания лака.