Устройство для выращивания монокристаллов из расплава
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1143128
Авторы: Даниленко, Заславский, Колоколова
Текст
)5 С 30 В 15/О ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССР(ГОСПАТЕНТ СССР) ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ВТ ЭВ.Даниленко и ьство СССР /00, 1970,льство СССР04, 1978, ДЛЯ ВЫРАЩИВАОВ ИЗ РАСПЛАВА,скую водоохлаждаель для расплава, раз(21) 3582430/26(54) (57) УСТРОЙСТВОНИЯ МОНОКРИСТАЛЛвключающее металличемую камеру роста, тиге Изобретение относится к химии, а именно к технологическим процеЬсам, связанным с обработкой различных агрессивных расплавоа, в частности к устройствам для вытягивания щелочно-галоидных монокристаллов из расплава на затравке. Изобретение может найти применение в химической . промышленности для получения сцинтилляционных, оптических и акустических моно- кристаллов,Цель изобретения - увеличение срока службы устройства и повышение качества выращиваемых монокристаллов.На чертеже представлен. общий вид устройства в разрезе.Устройство включает водоохлаждаемую камеру роста, состоящую из стальным полукорпусов 1 и 2 и крышки 3, Герметичное соединение полукорпусов и крышки друг с другом достигается с помощью фланцев с резиновыми прокладками. В нижнем полукорпусе 2 размещены тигель 4 с расплавом, нагреватели 5 и футеровка 6. Через Ы 21143128 А 1 в камере нагреватель, располовнешней стороны тигля и имеювые экраны, затравкодержатель, ный над тиглем на штоке. приреннюю поверхность камеры и ь штока нанесено защитное поличающееся тем,что,с ичения срока слумкбы устройства ия качества выращиваемых моов, защитное покрытие выполнеове фторопластэ толщиной, - 0,005 толщины стенки камеры. мещенныи женный с щий. тепло установлен чем на внут поверхност крытие, о т целью увел и повышен нокристалл но на осн равной 0,6 центральный штуцер в крышке 3 в обьем камеры введен вращающийся водохлаждаемый шток 7 затравкодержателя. Охлаждающая вода циркулирует между внутренними стальными обечайками 8 полукорпусов 1 и 2 и рубашками 9, а в крышке 3- между нижней плитой 10 и рубашкой 11, Подача охлаждающей воды и вывод ее осуществляется через патрубхи 12 Фторопластовое защитное покрытие 13 нанесено на рабочие поверхности обечаек 8, крышки 3 и на наружную поверхность штока 7.Устройство работает следующим образом. В тигель 4 загружается исходное сырье (йодистый натрий с добавкой йодистого таллия), крепится затрагвка к штоку 7 затравкодержателя, герметизируются все уплотнения, откачивается обьем камеры, напускается инертный газ аргон, если вы. ращивание проводят в инертной атмосфере); включается подача воды для охлаждения палукорпусов 1 и 2, крышки 3 и штока 7, включаются нагреватели 5).1143128 оставитель Б,Заславский .ехред М,Моргентал Корректор А,Обручар Редактор каз 1967 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбин тент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 После расплавления сырья в тигле и вывода камеры на режим затравка соприкасается с . расплавом, температура нагревателей корректируется до достижения начала радиального роста, кристалл разращивается до заданного диаметра, а затем выращиваетсяв высоту, После завершения цикла кристалл выгружается в отжиговую печь,В данном устройстве проведено 22 цикла выращиваний крупногабаритных кристаллов ЙаЗ(Т 1). Продолжительность циклов колебалась от 3 до 12 сут, За время работы фторопластовое покрытие не утратило первоначального внешнего вида и показало высокую химическую устойчивость в атмосфере, содержащей пары йода, Образовавшийся в процессе выращивания конденсат легко смывается с внутренних поверхностей при подготовке печи к очередному выращиванию. В выращенных кристаллах практически отсутствуют механические включения.
СмотретьЗаявка
3582430, 28.02.1983
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6496
ЗАСЛАВСКИЙ Б. Г, ДАНИЛЕНКО Э. В, КОЛОКОЛОВА Т. Г
МПК / Метки
МПК: C30B 15/00
Метки: выращивания, монокристаллов, расплава
Опубликовано: 15.04.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1143128-ustrojjstvo-dlya-vyrashhivaniya-monokristallov-iz-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для выращивания монокристаллов из расплава</a>
Предыдущий патент: Навигационная система
Следующий патент: Способ определения структурной характеристики флуктуаций показателя преломления атмосферы
Случайный патент: Устройство для определения положения кошелькового невода