Сулайманкулов

Номер патента: 1808887

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Барсукова, Кузнецов, Набахтиани, Реснянский, Сулайманкулов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: 6ос, кристаллов

...кристалла, Выращивание кристалла методом сниже . ния температуры позволяет более точно регулировать процесс роста. Регулирование температуры осуществляется контактным термометром. Средняя скоровть снижения температуры 0,2 С/сут. 30Выращивание кристалла нэ точечной затравке, укрепленной на вращающейся платформе, создает благоприятные гидро- динамические условия для роста. Вести и роцесс выращивания при скорости вращения 35 платформы меньше чем 40 об/мин нецелесообразно, так как уменьшаются скорости роста кристалла, Увеличение скорости вра. щения платформы выше 60 об/мин ведет к образованию воронки в растворе, распле скиванию раствора, вследствие чего образуются паразитические кристаллы.П р и м е р 1. Для получения Ч=165 мл раствора взято...

Номер патента: 1685351

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Артеменко, Блешинская, Исакова, Сулайманкулов

МПК: A01C 21/00, A01N 59/00

Метки: кукурузы, развития, растений, роста, стимулирования

...жидкого удобрения при предпосевной обработке составила 49-",ь. от внесения ИН 4 ЧОз 33, ацетамида 47, по всходам 41, 19 и 36, соответственно. По сравнению с аммиачной селитрой прибавка урожая от внесения стимулятора роста при предпосевной обработке составила 23 ц/га (130/), а при обработке по всходам 25 ц/га (14).По результатам табл.2 можно рассчитать, что прибавка урожая по сравнению с контролем составила от внесения жидкого удобрения 49 ф, аммиачной селитры 25 и ацетамида 36;4, при обработке по всходам 64, 33 и 45% соответственно,Сравнение двух сроков внесения свидетельствуетт о более высокой урожайности кукурузы в первом случае - предпосевной обработке почвы, Это очевидно, связано с тем, что в критический период роста растения...

Номер патента: 928307

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Высочанский, Мухутдинов, Сулайманкулов, Таранов, Фоминский, Хазбулатов

МПК: G05D 9/00

Метки: бьефа, дистанционного, нижнего, регулятора, уровня, уставкой

...на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1Устройство содержит блок задания 1, затвор 2, кинематически связанный с блоком задания 1, емкость 3, гЮ 928307равлически связанную трубопроводом 4 с верхним бьефом сооружения (магистральным каналом),лопастное колесо 5, укрепленное на бдной из осей . редуктора б, поплавок 7 расположен с возможностью перемещения на винтеоси 8. Все устройство, за исключением поплавка 7, располагается в верхней камере шкафа управления, имеющего сливное отверстие 9.10В общем случае расходы воды в магистральном канале (верхнем бьефе) и в отводящем канале (нижнем бьефе) отличаются друг от друга более чем на порядок. Поэтому уровень воды в верхнем бьефе (УВБ) остается постоянным, так как расход воды, отбираемый в водовыпуск,...

Номер патента: 894687

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Высочанский, Кеменов, Кудяков, Пунгин, Сулайманкулов, Таранов, Хазбулатов

МПК: G05D 9/00

Метки: воды, малыми, перепадами, регулятор, сооружений, уровня

...углом 120 .На чертеже изображен регулятор уровня воды для сооружений с малыми перепадами, принципиальная схема.Рабочий орган с приводом представляет собой обойму 1, закрепленную на соединительном узле в виде трех стержней 2,орасположенных под .углами в 120 и всвою очередь жестко связанных со стен -кой 3, герметично посредством эластич- рной перегородки, разделяющей корпус привода на две изолированные полости 4 и 5.Кроме того, между обоймой 1 и корпусом привода 6 имеется гибкое уплотнение 7 в виде эластичной перегородки.Таким образом, система обойма 1,стержни 2, стенка 3 имеет возможностьгоризонтального перемещения вдоль продольной оси с изменением величины пропускаемого вокруг обоймы 1 через водопропускное отверстие расхода...