Способ изготовления полупроводниковых первичных преобразователей холла

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 01 51)5 ТЕН ЗОБ ДЕТЕЛЬСТВУ с на оба являются вязи с необходуальной разо величине чрезвычайно ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИ К АВТОРСКОМУ СВ(71) Центральный научно-исследовательский институт измерительной аппаратуры (72) В.В. Перинский и Л.Э, Школьников (56) Технический отчет. Исследование путей создания и разработке конструкции преобразователей Холла на основе структур п.ЯЬ-феррит, 1987, гл, 5, с, 28.Авторское свидетельство СССР И. 1290215, кл. 6 01 В 33/06, 1985, (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРВИЧНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ХОЛЛА(57) Использование; в микроэлектронике, а точнее в технологии изготовления полупроИзобретение относится к микроэлектронике, а точнее к технологии изготовления полупроводниковых первичных преобразователей магнитного поля - преобразователей Холла (ПХ).Известен способ изготовления полупроводниковых ПХ (технологический маршрут которого не содержит операции снижения величины остаточного напряжения преобразователей), в котором получение ПХ с заданным уровнем величины остаточного напряжения может достигаться индивидуальной разбраковкой преобразователей по этому параметру 1. Недостатками этого споповышенная трудоемкость в сдимостью выполнения индивбраковки структур ПХостаточного напряжения и 760480 А 1 водниковых первичных преобразователе магнитного поля - преобразователей Холла Цель изобретения - снижение трудоемко сти. Сущность изобретения заключается том, что структуры полупроводниковых пер вичных преобразователей Холла изготавли вают на пластине ориентированными направлении 110 до разделения пластин на дискретные преобразователи Холла н одном, произвольно выбранном преобразо вателе(тестовом образце), определяют пле чо с минимальным сопротивлением последующим одновременным локальны ионным облучением аналогичного плеч всех датчиков на пластине до достижени минимального значения величины остаточ ного напряжения, которое контролируют тестовом образце, 1 3. и. ф-лы, 3 ил. низкий выход годных при изготовлении ПХ с пониженным остаточнь 1 м напряжением.Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ изготовления датчиков Холла (включающий традиционные технологические процессы изготовления полупроводниковых датчиков Холла), в котором снижение ("подгонка") величины остаточного напряжения осуществляется путем изменения геометрии рабочего тела датчика с помощью локального выжигания полупроводникового материала в области планарных холловских контактов сфокусированным лучом оптического квантового генератора (2.Недостатком способа является его практическая непригодность(высокая себестоимость, низкая технологичность) при изготовлении полупроводниковых первичных ПХ методом групповой технологии.Целью изобретения является улучшение технологичности при изготовлении полупроводниковых первичных ПХ методом групповой технологии.Цель достигается тем, что по способу, включающему формирование полупроводниковых первичных ПХ на пластине, определение плеча преобразователя с минимальным сопротивлением, снижение остаточного напряжения, разделение пластины на дискретные элементы, ПХ формируют на пластине ориентированными в направлении 110.Кроме того, до разделения пластины на кристаллы на одном, произвольно выбранном ПХ (тестовом образце) определяют плечо с минимальным сопротивлением с последующим локальным ионным облучением аналогичного плеча одновременно всех ПХ на пластине до достижения минимального значения величины остаточного напряжения, которое контролируют на тестовом образце.Локальность обработки достигается созданием маски фоторезистэ на поверхности ПХ.Величина остаточного напряжения полупроводниковых ПХ определяется несколькими составляющими, одна из которых - неконтролируемый "подтрав" боковой поверхности преобразователей при формировании топологии рабочего тела методом химического травления. Причем величина, этого "подтрава" формируемых структур ПХ имеет существенный разброс по площади полулроводниковой пластины. Экспериментально установлено, что изготовление ПХ ориентированными в направлении 110 позволяет исключить указанный разброс, что, в свою очередь, обеспечивает возможность применения групповой (одновременно для всех ПХ на пластине) корректировки одной из составляющей остаточного напряжения (в частности, методом ионно-лучевой обработки).Сопоставительный анализ с прототипом и другими известными техническими решениями показывает, что предлагаемое техническое решение соответствует критериям "новизна" и "существенные отличия".На фиг, 1 представлена сформированная структура ПХ, где 1 - полуизолирующая подложка, 2 - эпитаксиальный слой (рабочее тело преобразователя),3 - контактные площадки.На фиг. 2 показана схема проведения операции имплантации протонов, где 4 - маска фоторезиста,5 - поток распространения протонов Н .На фиг, 3 изображена структура ПХ после проведения имплантации протонов и удаления фоторезиста, где 6 - локально обработанный протонами участок поверхности ПХ,Предлагаемый способ изготовления полупроводниковых ПХ реализован следующим образом.На пластине с эпитаксиальной пленкой формируют ПХ с заданной топологией рабочего тела и контактных площадок (фиг, 1) 10 методом фотолитографии и вакуумного напыления по стандартной групповой технологии, ПХ формируют ориентированными в направлении 110 относительно базового среза пластины. (Ось, проходящую через то 15 ковые контакты ПХ, ориентируют на пластине параллельно кристаллографическому направлению 110),С помощью зондовой установки "Зонд А" и измерительного прибора ЦУИП на 20 одном из сформированных на пластине преобразователе (тестовом) определяют и мэркируют участок рабочего. тела с минимальным значением сопротивления,25 На пластине формируют масу фоторезиста, оставляющую на всех преобразователях открытым только необходимый участок паверхности рабочего тела (аналогичный маркированному участку тестового преоб 30 разователя), На ионно.лучевой установке "Везувий" проводят имплэнтацию протовом преобразователе зондовым устройством, установленным в камере установки "Везувий" с выводом информации нэ ЦУИП.Контроль величины остаточного напряжения ведут непрерывно,40 Процесс имплантации протонов прекращают по достижении минимального значения остаточного напряжения,45 Фоторезист удаляют в установке плазмо-химической очистки 08 ПХОТ(фиг. 3),Пластину разделяют на дискретные кристаллы ПХ.В качестве исходного материала ис 50 пользовали пленку эпитэксиальной структуры арсенида галлия с толщинойэпитаксиального слоя 0,3 мкм и концентрацией электронов 5 10 см з, Толщина маскиифоторезиста ФП- 1 мкм. Энергия имп 55 лантаций протонов 50 кэВ,В результате на пластине в одном процессе (групповым способом) получены 400шт. кристаллов ПХ с величиной остаточногонапряжения ( 0,05 мВ,нов. Активный контроль величины остаточ 35 ного напряжения осуществляют нэ тесто 1760480Выход годных на пластине составил 86%,Выход годных в случае, когда ориентирование ПХ в направлении 110 на пластине не проводилось, составил величину - 5%, 5Реализация предлагаемого технического решения по сравнению с известными способами обеспечивает следующие технико-экономические преимущества, В три и 10 более раз (в зависимости от размеров кристаллов ПХ) сокращаются трудоемкость и себестоимость их изготовления в связи с заменой индивидуальной корректировки остаточного напряжения на групповую, 15Улучшаются условия труда вследствие исключения утомительной и трудоемкой операции индивидуальной подгонки, требующей напряженной работы оператора с 20 микроскопом. Формула изобретения 1. Способ изготовления полупроводниковых первичных преобразователей Холла, заключающийся в том, что изготавливают пластины Холла, определяют плечо полупроводникового первичного преобразователя с минимальным сопротивлением. снижают величину остаточного напряжения, разделяют пластину на дискретные полупроводниковые первичные преобразователи Холла, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения технологичности, ось преобразователя, проходящую через токовые контакты, ориентируют на пластине в направлении 110,2. Способ по и. 1, отл ич а ю щи й с я тем, что снижение величины остаточного напряжения осуществляют путем локального ионного облучения плеч с минимальным сопротивлением всех полупроводниковых первичных преобразователей, расположенных на пластине.