Способ резки полупроводниковых слитков

44 б 7 А 1 ОЮЗ СОВЕТСКИХОЦИАЛИСТИЧЕСКИЕСПУ БЛ И К 9) (11)(51)5 В 28 0 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТВЕДОМСТВО СССР(54) СПОСОБ РЕЗКИ ПОЛУПРВЫХ СЛИТКОВ: никовьгхматериалов в элект Изобретение относится к области обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано при резке полупроводниковых материалов в электронной промышленности.Известен способ резки цилиндрических слитков на пластины; включающий перемещение режущегО инструмента относительйо слитка, заключающийся в том, что поверхность Слитка смазывают мастикой, формируя по длине слитка параллелепипед со сторонами, в поперечном сечении на 5-200, превышающими диаметр разрезаемого слитка. При этом нанесение покрытия на режущую кромку осуществляют путем подачи на нее посТоянно смазки (11.Недостатком данного способа резки является то, что при высоких скоростях резки (частота вращения кругов 1600 - 2200 . об/мин при резке слитков и 15000- 45000 об/мин при резке пластин) пространство между разрушающимися алмазными зернами на режущей кромке забивается мастикой и продуктами реза, йри этом подача смазки в зону реза ограничена,2:г" .Кмышленности. СущноСть изобретения; спо- соб резки полупроводниковыхслитков напластины осуществляется прямолинейным йеремещением слиткаотносительно враща- ющегося круга. Перед отрезанием пластины производится нанесение покрытия на осно" ветрафита на обрабатываемую поверхностьслитка и режущей кромки алмазного круга, йричем нанесение "пбкрытия -нарежущую крЬмку алмазного .круга осуществляют на протяжении процесса резки в виде смазки.2 ил.1.что приводйт к ухудшению геометрии отре- Ф . заемых пластин и снй)кейию производительности резка;Наиболее близким к предлагаемомуспособу является способ резки слитков полупроводниковых материалов,заключающийся в том, что слиток в момент врезания подают со скоростью, не превышающей 0,15 Чр с последующим увеличением скорости подачи к средине слитка й уменьшением ее к концу обработки, йричем текущее значение скорости подачи Ч в заданной зоне слитка определяется пб заданной формуле += с текущими размерами зоны слитка в на- О правлении резания (21,4Недостатком данного способа является эйачительное изменение скорости подачи алмазного круга в процессе резки из-за сколов, возникаЮщих во время врезания круга в слиток и во время окончания реза. а также заполнение пространства между разрушившимися алмазными зернами на поверхности режущей кромки продуктами реза.Цель изобретения - увеличение производительности резки и повышение качестваотрезаемых пластин путем уменьшения радиального биения режущей кромки,Указанная цель достигается тем, что перед отрезанием пластины производят нанесение покрытия на основе графита наоб рабаты ваемую поверхность слитка и режущей кромки алмазного круга, причем йанесение покрытия на режущую кромкуалмазного круга осуществляют на протякении процесса"резки в" виде смазки,Способ заключается в том, чтопри рез ке полупроводниковых слитков (отрезаниипластин от слитка) производят йанесениепокрытия на основе графита, йри этом.- на обрабатываемую поверхностьСлитка в виде слоя смазки, заполняющеймикронеровности, царапины и придающейслитку форму (цилиндра, приэмы "и т,п; взависимости от расположения базового идополнитЕльных срезов Ориентации слитка), обеспечивающую образование ограницйтельных стенок в нанесенном слое дляалмазного. круга в момент врезания и выхода его из полупроводниковою слитка;- на рабочую поверхность режущейкромки осуществляют на протяжении всегопроцесса резки ввиде смазки"захватываемой абразивными зернами режущей кромкйдля подачи ее в зону резки.Способ резкиполупроводниковых слитков осуществляется следующим образом йпоясняется чертежами,На фиг, 1 схематическипоказано ради альное сечение слитка после покрытия.На фиг, 2 представленасхема резкислитка алмазным кругом,На йолупроводниковый слиток 1 (фиг. 1)перед отрезанием пластины, вокруг обрабатываемойповерхности по контуру 2, наносят покрытие на основе графита 3 в видеслоя; заполняющего микронеровности, царапинь 1 и придающего слитку форму(цилиндра,призмы и др.) в зависимости отрасположения его базового и дополнительных срезов,Затем производят установку алмазйого .круга (диска) 4, проведя ориентацию слитка1 и его фиксацию в оправке 5 клеящей мастикой 6 (фиг, 2).5 После этого в зону резки подают смазочно-охлаждающую жидкость и осуществляют прямолинейное перемещение слитка 1относительно вращающегося круга 4 и производят его резку режущей кромкой 7, на10 которую стержнями на основе графита 8 че"рез направляющие 9 наносят покрытие наоснове графита на протяжении всего процесса резки, Отрезав пластину, слиток перемещают на заданный шаг и цикл повторяют.15 Изобретение обеспечивает уменьшение радиального биения режущей кромки,увеличение производительности и качествапорезки, при этом также повышается стой- .кость режущей кромки круга за счет умень 20 щения трения, и постоянногб заполненияпустот (образующихся в результате разрушения алмазных зерен) графитовой смазкой,Особенно важно, что данный способ25 широко применим при разделении полупроводниковых пластин на кристаллы.Формула изобретенияСпособ резки полупроводниковых слитков на пластины алмазным кругом, включа 30 ющий закрепление слитка, его ориентациюи последующее отрезание пластины прямолинейным перемещением слитка относительно вращающегося круга, о т л и ч а ющ и й с я тем, что, с цельюповышения35 производительности резки икачества отрезаемых пластин путем радиального умень шения радиального биения режущейкромки, перед отрезанием пластины производят нанесения покрытия на основе графи 40 та на обрабатываемую поверхность слиткаи режущей кромки алмазного круга, причемнанесение покрытия на режущую кромку алмазного круга осуществляют на протяжениипроцесса резки в виде смазки.451784467 ставитель И, Хоминхред М,Моргентал р ректор укач Егорова Редактор Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина аказ 4340 Тираж . Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб.; 4/5