Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений а в

)5 С 30 РЕ реализовано 3 расчета полпример состаГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО . СССР(71) Молдавский государственный университет им, В,И,Ленина(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬ-. НЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ АВБ Изобретение относится к технологии получения материалов твердотельной электроники, а точнее к технологии осаждения тонких полупроводниковых слоев, и может бь 1 ть использовано при изготовлении приборов и устройств полупроводниковой, оптоэлектронной и интегральной оптики.Целью изобретения является расширение диапазона получаемь 1 х соединений и их твердых растворов и упрощение процесса,На чертеке представлен температурный цикл осаждения слоев по предлагаемому способу,Областьпоказывает процесс синтеза выращиваемого соединения из отдельных компонентов в растворителе и растворение синтезированного соединения в растворителе. Область : в печь помещают ампулу с синтезированным и диспергированным соединением и лодочой с подложками. Осу 2(57) Использование: твердотельная электроника. Способ включает синтез полупроводникового соединения из исходных элементов в присутствии соли растворителя при их нагреве в двухсекционной запаянной ампуле (А). После синтеза А разгерметизируют, во вторую секцию загружают подложку, снова запаивают А и проводят вь 1 ращивание эпитаксиального слоя путем поворота А, заливки раствора-расплава на подложку и его охлаждения. Получают слои соединений А В и их твердых растворов широкого диапазона составов. Отпадает необходимость предварительного синтеза. 1 ил. агрев до температуры синтеза. дение до температуры эпи 1 акьпоказывает сам процесс Раствор приводят в контакт с и одновременно начинают охчи со скоростью 0,5-1,0 ОС/мин С, В конце цикла (область И) щают в первоначальное положем расплав сливают с подложки, екают из печи. После охлаждедо комнатной температуры, осажденным слоем извлекают промывают дистиллированной пиртом для удаления с поверхенного слоя остатков раствориществляют нзатем охлаксии, Областэпитаксии.подложкамилаждение пена 100-150печь возврание, при этоампулу извлния ампулыподложку сиз ампулы иводой или сности выращтеля.Изобретение может бьследующим образом,Берут навески Еп, Те, 5учения твердого раствора,.Милюков Тираж Подписное сударственного комитета по изобретениям и открытиям 113035, Москва, Ж. Раушская наб., 4/5КНТ СССР роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул,Гагарин ва ЕпЯео,яТео,1, Количество соли хлорида-4цинк. Ампулу откачивают до 10, тор и отпатвердого раствора и 95 мол.хлоридэ цинка, Навески: Р(Еп С 2) = 4,68 (г); Р(Еп) = 0,0118 + 0,1063-0,11811(г); Р(Те) = 0,0231(г); Р(Зе)= = 1,285 (г).В чистую кварцевую ампулу загружают обезвоженную соль ЕпС 2, селен, теллур, цинк. Ампулу откачивают до 10 тор и отпао ивают, затем помещают в печь при 780 С и оставляют на сутки при этой температуре.Извлекают ампулу из печи, охлаждают на воздухе до комнатной температуры и разрезают верхнюю часть ампулы, помещают в нее кварцевую лодочку с двумя подложками; кристаллом ЕпТе (110) и кристаллом Упыре (111). Затем ампулу откачивают и отпаивают, Помещают в печь и устанавливают в начале температуру синтеза на 10 мин, а затем снижают ее до температуры эпитэксии, Через 10 мин после установления температуры зпитаксии начинают снижение температуры со скоростью 0,5-1,0 С/мин на 100-150 С. Затем извлекают ампулу иэ печи и после охлаждения извлекают подложки со слоем. Таким образом, из элементов Зе, Те, Еп получен монокристаллический слой 7 пЯео,9 Тю 1 в процессе жидкостной эпитаксии из рэс 1 вора хлорида цинка.йР Новый способ позволяет получить более широкий спектр слоев различных соеди 2 6 нений и твердых растворов группы А В, Способ отличается тем, что стало возмож ным получение качественных слоев непосредственно из высокочистых отдельных компонентов (химических элементов 2-й и 6-й групп). Отпадает необходимость предварительного получения материала источника "0 для выращивания слоев, Качественный материал получают в диспергированном (растворенном) виде непосредственно в растворе, из которого осуществляют процесс жидкостной эпитаксии, 15 Формула изобретения Способ получения эпитаксиальных сло 2 б ев полупроводниковых соединений А В, включающий растворение синтезированного соединения в соли-растворителе при их 20 нагреве в первой секции запаянной двух- секционной ампуле, заливку полученного раствора-расплава на подложку во второй секции ампулы и выращивание слоя путем охлаждения, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения диапазона получаемых соединений и их твердых растворов и упро;цения процесса, синтез ведут из исходных элементов в присутствии соли растворителя в той же ампуле, что и выращивание, с ее 30 разгерметизацией после синтеза и загрузкой в нее подложки,