Способ химического травления кристаллов титания фосфата калия (кт оро )

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1)5 С 30 В 33/10, 29/14 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОВЕДОМСТВО СССРГОСПАТЕНТ СССР) ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 21) 4917102/2622) 05.03.9146) 15,03,93. Бюл, М 1071) Институт геологии и геофизики СО А(56) Язеп Оег)топц апс Ноапд СЬаоеп "А пеапоппеаг сгувта КТР" Рго 9, Сгузта ОгоютЬапс СЬагаст 1985, 11, 269-270,(54) СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯКРИСТАЛЛОВ ТИТАН ИЛ-ФОСФАТАКАЛИЙ (КТ)ОР 04) Изобретение относится к исследованиям реальной структуры кристаллов, а именно кристаллов титанил-фосфата калия (КТР),методом химического травления.Цель изобретения - выявление дефектов структуры на поверхностях любых кристалл ографических направлений ихарактера, их объемного распространения.а также получения картин селективноготравленияПолученный результат травлениякристаллов КТР, по многим параметрампревосходящий результат травления известным способом,На фиг.1 изображен фрагмент кристалла, выращенного по 100). Образец описан впримере М 1, Морфология образца: 1,2 -пиленные поверхности (001): 3 - спайныйскол по 100); 4 - пиленная поверхность(010); 5 - округлая ростовая поверхность; нафиг,2 - структуры травления на поверхности(001) - 1; на фиг,З - структуры травления наповерхности (001), параллельной поверхности 1 - 2. Ростовая полосчатость; 1 - в секто.,Ж 1801993 А 1(57) Использование: в квантовой оптике. Сущность изобретения: монокристаллы КТОР 04 травят в смеси состава 2 Н 2504:ЗНГ при 160 - 180 С в течение 5 - 15 мин, Способ позволяет выявлять дефекты структуры на поверхностях любых кристаллографических направлений и характер их объемного распространения, а также получать картины селективного травления независимо от характера предварительной обработки поверхностей кристалла. 1 табл 5 ил. ре роста грани (110); в секторе роста грани Л (100); А. - редкие полосы или их отсутствие;Б. - штриховка; на фиг.4 - секториальная граница, ростовая полосчатость, ямки травления (поверхность (001). Увеличение 500;на фиг,5 - морфология ямок травления на поверхностях разных кристаллографических ориентаций: (100). (201) (110), (011), (010) (001). )СЭП р и м е р 1, Образец выращенного по д 1001 кристалла КТР с пиленными поверхно- С) стями (001), (010). спайным сколом по 100 и сО округлой ростовой поверхностью (см,фиг.1) ( ) помещался на фторопластовую подставку.Травящая смесь (2 Н 2504:ЗНР) нагревалась во фторопластовом стакане до 170 С Подставка с образцом опускалась внутри стака на, Через 10 мин протравленный образец извлекался из раствора и промывался в воде.На пиленных поверхностях (001) после травления проявились ростовые полосы и секториальная граница (см, фиг,1). На обоих рисунках (см. фиг.2 и фиг.З) область 11 относится к сектору роста грани (110), о чем говорит расположение ростовых полос, параллельных этой грани. Таким же образом определяется, что область 1 - сектор роста грани (10). Помимо этого, поверхности делятся на два участка, между которыми обозначивается довольно четкая граница (А и Б). Один из них (Б) покрыт частыми и тонкими полосками(штриховкой). На другом (А) ростовые полосы шире и расположены с большими промежутками либо совсем отсутствуют. Поверхность 11,Б кроме того имеет ямки и борозды травления (фиг,4). Бороздки и направление, трассируемое ямками, параллельны полосам. Приурочен- ность борозд и ямок травления к ростовым полосам свидетельствует, что они являются источником напряжений в кристаллах.Протравленная поверхность (010) делится на два участка по характеру расположения на ней холмиков травления. На участке 11 они расположены плотнее, Граница между участками на (010) продолжает аналогичную границу на (001),Поверхность (100) после травления стала равномерно шероховатой. Тогда как один участок на ней покрыт плотно расположенными ромбовидными ямками. Граница участка по ребру стыкуется с секториальной границей на (001).На округлой ростовой поверхности вытравились ямки четко ограниченной широкой полосой, которая соприкасается с областью Б других поверхностей,Таким образом, травление позволило выявить в образце 4 отличные одна от другой области (по 2 в каждом секторе роста).П р и м е р 2, Указанным выше способом травилась пластинка, выпиленная по (001 из кристалла, выращенного по(010). Температура травления 164 С, время 15 мин. Пластинка закреплялась платиновой проволочкой для того, чтобы обеспечить смачиваемость раствором обеих пиленныхповерхностей. На обеих поверхностях вы 5 травились секториальные границы и участки визуально отличающиеся разнойотражательной способностью. Поверхностьна участках, лишенных полосчатости, отполирована. Местами бороздки переходят в10 борозды с острым дном. Кроме того, имеются ямки травления чечевицеобразной формы.По направлению ростовой штриховкиповерхности делятся на три области: два15 сектора роста граней (110) и между нимивыклинивающийся сектор роста поверхности, перпендикулярной направлению вытягивания и не соответствующей какой-либоестественной грани,20 Предложенный способ травления является эффективным методом исследованияреальной структуры кристаллов и контроляих качества. По результатам травления можно сделать вывод о пригодности монокри 25 сталла или его частей для изготовленияоптических элементов с нужными генерационными характеристиками, провести отбраковку некачественного материала,З 0 Формула изобретенияСпособ химического травления кристаллов титанил-фосфата калия (КТОРО 4), включающий обработку в кислотном растворе и отмывку, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с З 5 целью выявления дефектов структуры на поверхностях любых кристаллографических направлений и характера их объемного распространения, а также получение картин селективного травления, обработку ведут в 40 смеси состава 2 Н 2304:ЗНР при 160-180 С втечение 5 - 15 мин,;оо 20 у у оставитель Т,Коноваловаехред М,Моргентал Корректор М.Демчи едак ственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина. 101 каз 830 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5