Способ получения кристаллов соединений а в

Номер патента: 1478680

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

ZIP архив

Текст

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИДИНЕНИЙ А 1 В"- (57) Изобретение касается кристаллов соединений Ал- В улучшение оптических хара кристаллов за счет снижен ТАЛЛОВ СОЕ выращиванияЦель -теристнкщ содержаращивания и можетской проулучшение оп кристаллов эа ния примеси спектры проида цинкагде кривыелуче нных- спектрыдезоксилиэуе- гаэообП р .и м е р 1 кристаллов с. од дацией кристалл 1 осуществляют сле Навеску селе ве 480 г, в кото кому анализу содСпособ выращ овремепцой дез зируемого соед дующим образом.ида цинка в ко рой согласно х ержится 0,38 м аанияоксииненияличестимичесас. 3 мещенигиваядиента ГООУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГИНТ ССОР Изобретение касаетсякристаллов соединений А.найти применение в химичмышленности,Цель изобретения -ческих характеристиксчет снижения содержакислорода.На фиг.1 и 2 покаэаньпускания кристаллов сульи кадмия соответственно,1 - спектры кристаллов, пбез дезоксидации, кривыекристалллов, полученных,цацией. ния примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Вкаочают нагрев, посл дезоксидации проводят вакуумировани и заполнение ростовой камеры инерт ным газом, После расплавления соединения проводят кристаллизацию направлепной кристаллизацией. Дезоксидация позволяет уменьшить содержание приме" си кислорода па 2 - 3 порядка и повысить коэффициент пропускания. 2 вл,Ф оксида цинка, смешивают в полиэтиленовой банке с 4.,6 г селенокарбамида См и загружают в графитовый тигель, кото" рый устанавливают в ростовой камерена штоке механизма возвратно-поступательного перемещения, Печь гермети- ыфф зируют, вакуумируют и объем печи .-; 4 Ь заполняют агроном. Включают нагрев и ьф ,сплавляют исходную шнхту в тигле, 1 (,ф протягнаа его через зону температурного градиента со скоростью . рф) 30 - 50 мм/ч. При повышении темпера- а туры происходит разложение селенокарбамида и деэоксидация кристалмого соединения выделяющимисяразными продуктами. Затеи камерувакуумнруют и напускают необходимое давление инертного газа. Сплавленную щ в тигле исходную шихту крнсталлизуют, установив тигель механизмом нере- .я в исходное положение и протячерез. зону температурного грасо скоростью 5 мм/ч.

Смотреть

Заявка

4236728, 29.04.1987

ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6496

КОБЗАРЬ-ЗЛЕНКО В. А, КУЛИК В. Н, КОМАРЬ В. К

МПК / Метки

МПК: C30B 11/00, C30B 29/48

Метки: кристаллов, соединений

Опубликовано: 07.02.1993

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1478680-sposob-polucheniya-kristallov-soedinenijj-a-v.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллов соединений а в</a>

Похожие патенты