Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов

(51)50 30 В 15/10 29/2 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕИ А ВТОРИЧНОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ оя граннои п рани п ы ы иэ нескольких пПоследние устансоединены послед ельных пластин. влены с ователь бжена д зазором ио. КаждаяполнительЛ,Л. Коваленко грань призмыной пластиной установленной в м(56) Лвторское свид д 125332, кл. С 30 1984. тельство СССР В 15/10, 29/2 сте соединения внутренцеи пластиныс последующей. Расплав доводят дотемпературы эатравления за счет теплоотдачи от тигля и выделения мощности в расплаве в зазорах междудополнительными пластинами. Необходимую температуру получаютприменьшей величине тока, протекающегов тигле. Срок службы тигля увеличенв 1,25 раза. Снижена потребляемаямощность в 1,2 раза. Э ил. ЙСТВО ДЛЯОВ ТУГОППЛетецие отщивания млектроци 54) УСТРО ОКГИСТАЛЛ 57) Иэобр огии выра ЫРАЩИВЛНИЯ 1 О(ИХ ОКИСЛОВ осится к техноонокристаллов дляки, Цель - увеы тигля. Устройь в виде многоквантовой личение с лужб игел во содерж 5 очником 6гель 7, ра единенный с го нагрева цдук ивация высокот ературнь хой элецион ложе сы 8 и в п ный внутри прикрепле ль 7 зафик енин), гер монок ван ллов верня 7 индук тора 5, т ные к кромке т ктроики, Целью т бретения являе ижом9,ув тиг ован в непод ичный бункер амере 1, сна лич ение ср ок Иа фиг. 1 и енуст ный овле нныи ырашивх окисл ва для тугоплавкиизображенРазрез, цафиг. 2,Устройс о ге фиг Т ель олн вид которо тин 13 ралле.п льких и зазором амеру 1.оцокрист ательослецсоедиследуютигл но соедвнутрен тй прина 14, стие,репленонная ас т сть тигля имее ГОСУДЛРСТНЕННЬЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР 46) 3002.93 Вюл,61) 125318221) 4287554/2622) 21.07,8772) В. А. Асланов,Л.И. Промоскаль Изобретение относится к техноложбы тигля,эана схема устройция монокристаллов ов, на фиг. 2 горизонтальный - разрез А-А на во включает герметичнуюток 2 для вытягиваниялов, имеющий возможност вертикального вращения и перемеще ния (механизмы вращения и перемещ нйя не показаны), затравку Э, пр соединенную к штоку, иа которую в тягивают монокристалл 4, ицдуктор ехацизмом 10 подачи сырьщую трубу 11 . 2 (фиг. 2) вь гогранной призмь состоят из неско установленных с о друг другу и п иненных. К месту ей пластины с по й в каждой гран дополнительная149Устройство работает следующим образом.В герметичной камере 1 внутри ицдуктора 5 неподвижно устанавливают тигель 7 с помощью траверс 8. Объем тигля 7 и дополнительный объем между тиглем и ицдуктором 5 заполняют исходным сырьем, порошкообразным (например, шихтой иттрий-алюминиевого граната, активированного цеодимом - Т А 1 О -ИЙ) . Увеличением мощности, подводимой от источника б.индукционного нагрева к индуктору 5, повышают температуру тигля 7 до расплавления загруженного в него сырья и сырья, находящегося в дополнительном объеме. Полученный расплав при дальнейшем увеличении мощности, подводимой от источника 6 индукционного нагрева к индуктору 5, за счет теплаотдачи от тигля 7 и непосредственного выделения мощности в расплаве в зазорах между дополнительными паастинами 14, доводят до температуры затравле" 6332ия, проводят процесс затравленияца затравку 3 и осуществляют выращивание монокрцсталла 4.При этом получают необходимую темпаратуру расплава при меньшей величине тока, протекающего в тигле, чтопредотвращает его преждевременное разрушение.10 Срок службы предлагаемого тигляпо сравнению с известным увеличен в1,25 раза. Использование предлагаемого устройства обеспечивает снижениепотребляемой мощности в 1,2 раза15Формула изобретенияоУстройство для выращивания монокристаллов тугоплавких окислов поавт,св. У 1253182, о т л и ч а ю 1 ц е е с я тем, что, с целью увеличениясрока службы тигля, каждая граньпризмы снабжена дополнительной пластиной, установленной в месте соединеция двух соседних внутренних 25 пластин.1496332 Коррек едакто Козорцз ащк ов аказ 1092 одписцое а оизводственио-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 1осударстве11 ого ко35, Мо Составитель Н . ДавыдовТехред М.Дидцк тета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССРва, Ж, Раушская наб., д. 4/5