Тюшевская
Способ получения шихты для выращивания монокристаллов германата висмута в, g, о
Номер патента: 1789577
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Ангерт, Голубович, Кудрявцева, Новопашина, Тюшевская
МПК: C30B 15/00, C30B 29/32
Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов, шихты
...начинается спекание шихты, котороеможет приводить к необратимому захватуеще неудаленных ОН - групп в объеме шихты при закрывании пор при спекании. Винтервале температур 830 в 8 С происходит синтез фазы эвлитина Вцбез 02. По результатам рентгенофазового анализа наэтой стадии наблюдается также присутствие фазы силленита В 46 езОа и Ое 02, При900-950 С достигаются полнота синтеза изначительное (в 1,5-1,6 раза) уплотнениематериала; плотность таблет шихты В ГО после такой термообработки достигает 90%от плотности расплава ВГО.Выше температуры 950 С начинаетсяподплавление шихты (т пл. ВГО = 1050 С).П р и м е р 1, Смесь просушенных порошков оксидов германия ОеОг и висмутаВ 20 з, взятых в стехиометрическом соотношении 2:3, смачивают...