Ячейка памяти

Номер патента: 1377038

Опубликовано: 28.02.1988

Авторы: Кореневский, Плотников

МПК: A61B 5/16

Метки: автоматизированной, оперативной, оценки, памяти, состояния

...паузы второй генератор 3 меток по своей второй шине (сигнал БУГ)готовит блок 6 управления к новому такту,а сигналом тирад по первому выходу зажигает цифру-инструкцию на цифровом табло 13. Код цифры-инструкции поступает нацифровое табло 13 через вторую схему ИЛИ12 из первого блока 10 памяти. Адрес циф 137703818 импульсов счета, который открывает вторую схему И 19, разрешая прохожде ние тактовых импульсов, кодирующих время латентного периода, от первого генератораметок времени в специализированный вычислитель 20. Реакция испытуемого заключается в нажатии на пульте 16 испытуемого кнопокДа или Нет, что приводит к появлению импульса соответственно на первомили втором выходах указанного пульта. Получив сигнал по своему четвертому или пятому...

Номер патента: 1338024

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Буй, Венгрина, Сидоренко

МПК: H03K 17/687, H03K 5/02

Метки: выборки, мдп-транзисторах, сигнала, формирователь

...шине 11 устанавливается нулевой исходный уровень сигнала. Одновременно закрытый третий транзистор 7 блокирует подачу импульсов с тактовой шины 16 на конденсатор 4. Сигнал "1" с выхода 13 инвертора 9 открывает второй транзистор 6 и разряжает узел 18, образованный затворами нагруэочного 3 и четвертого 8 транзисторов, до потенциала общей шины 15, так что эти транзисторы закрыты и изолируют вы-ходную шину 11 от первой шины питания,Когда на входную шину 14 поступает сигнал "О, на выходной шине 11 за несколько циклов действия тактового сигнала по тактовой шине 17 происходит формирование выходного единичного сигнала.В этот период нагрузочный транзистор 3, а также третий транзистор 7 открыты, а второй транзистор 6 заперт.Сигнал "1" на выходной...

Номер патента: 238614

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Харитонов

МПК: G01R 13/00, G04F 10/04

Метки: временной, диодах, наносекундный, селектор, туннельных

...с корпусом устройства.Схема селектора изображена на чертеже, Четыре туннельных диода (ТД 1, ТД 2, ТДЗ и ТД 4) образуют две последовательно включенные по питанию аналого-пороговые схемы. Такие схемы позволяют получить характернстику с малым туннельным тошает нх помехоустойчивостьспособности.Источником питания Е, служит источник на пряження, которое достаточно велико, чтобысоздавать ток через резистор Я не превышающий предельно допустимого значения прямого тока через стабнлнтрон Д 1. Стаонлнзнрованное стабилнтроном Д 1 напряжение Е, 0 позволяет туннельным диодам ТД 1 н ТД 2 работать в переключательном режиме с двумя устойчнвывш взаимно исключающими состояниями.Диоды ТД 1 и ТД 2 управляются разнонолярными сигналами через...

Номер патента: 439061

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Артюх, Вычислительной, Загурский, Институт

МПК: H03K 3/315

Метки: диоде, релаксатор, туннельном

...подключен эмиттер транзистора 6, коллектор которого соединен с общей шиной непосредственно, а база - через резистор 7,Работает релаксатор следующим образом.Входяой сигнал с,крутым фронтом диффереицируется цепочкой из конденсатора 1,и резистора 2. Продиффервнцированный сигнал запускает туннельный диод 5, который переключается в вьесоковольтное состояние и, запирая диомед 4, переключает ток в цепи тран 5 зистора 6.В силу эффекта модуляции сопротивлениявыходной цепи транзистора 6 амплитуда импульса напряжения на туннельном диоде 5 и наорузочная способность релаксатора по 10 выходу определяются резистором 3, В начальный момент,переключения ответвление тока в цепь транзистора 6 незначительно. Это объясняется большим сопротивлением хронирующей...

Номер патента: 184521

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Галецкий, Любович

МПК: H03K 19/10

Метки: диодах, диоде, заряда, логический, накоплением, не-или, туннельных, элемент

...на ко подаются импульсы установки в ноль. м зг ику итемвост диод мленторо ннельном диодеюй импульс пеИзвестны логические элементы НЕ - ИЛИ на туннельных диодах и диоде с накоплением заряда, содержащие запоминающую ячейку и выходной формирователь,Предложенное устройство отличается от известных тем, что туннельный диод запоминающей ячейки соединен с заземленной шиной через сопротивление, на которое подаются импульсы установки в ноль. Это позволило повысить помехоустойчивость элемента путем устранения паразитного накопления заряда и помехи обратной связи, а также повысить надежность и упростить устройство, применив для обеспечения однонаправленной передачи информации только две последовательности управляющих импульсов.На чертеже...