Пьезоэлектрический элемент памяти

Номер патента: 219636

Авторы: Лавриненко, Некрасов, Плахотный

ZIP архив

Текст

Союз Советских Социалистических РеспубликПриорит деламоткрыти омит иаобрете 6(088.8) Опубликовано 14,Ч 1.1968. Бюл,тетзнь19 Дата опубликования описания 27.Ч 111.1968 и Совете Министр СССРавторызобретеция Некрасов, В. В. Лавриненко и Н, В, Плахотный аявитель ЬЕЗОЭЛ ЕК 1 РИЧ ЕСКИ Й ЭЛЕМЕНТ ПАМЯ небольшой индуктивностц 4. Происходит ответвление энергии упругих колебаний.Отличительной особенностью предлагаемогоэлемента является то, что в нем отсутствует 5 непосредственная связь между секцией управления и выходом элсмснта, что зцачцтсльцо упрощает построение различных схем вычислительных устройств на осцове подобных элементов. Работа элемента в режцмс трацсфор- О матора напряжения позволяет получать уровень выходного сигнала, достаточный для записи информации. едмст изобретен Пьезоэл ненный в тоэлектрич О ратора, от,личсния ца развязки и чектричес цая между 5 тора и под тивлеццс кИзвестны пьезоэлектрические элементы памяти, выполненные в виде двух соприкасающихся сегнетоэлектрических пластин возбуждения и генсратора,Предложенный элемент отличается тем, что для увеличения напряжения на нагрузке и улучшения развязки источников в него введена сегнетоэлектрическая пластина управления, помещенная между пластинами возбуждения и генератора и подключенная через реактивное сопротивление к генератору управления.Элемент памяти изображен на чертеже.Элемент памяти представляет собой склеен. ные, покрытые электродами пьезоэлектрические пластины. Генсраторная секция 1 и секция 2 возбуждения жестко поляризованы.При подключении на вход генератора синусоидальных колебаний в образце устанавливаются упругие механические колебания по толщине на основной резонансной частоте, В зависимости от полярности импульса управления, подаваемого на пластину 3 (секция управления), находящейся в максимуме сгоячей волны, в механическую часть системы трансформируется элсктричсский импеданс за счет сктричсскцй элемент памяти, выполвиде двух соприкасающихся с-гнсескцх пластин возбуждения ц гснетичаюи 1 ийся тем, что, с целью увс. пряжения на нагрузке и улучшения сточнцков, в него введена сегнстокая пластина управления, помещен- пластинами возбуждения и генсраключенцая через реактивное сопрогенератору управления.219636сигнал улрабленияСоставитель В. М. ЩегловРедактор Л. А. Утехина Техред Л, К. Малова Корректор А, П. Васильева Заказ 237 Г/19 Тираж 530 Подписное ЦНИ 1 ПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совсте Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4Типографии, пр. Сапунова, 2

Смотреть

Заявка

1081745

М. М. Некрасов, В. В. Лавриненко, Н. В. Плахотный

МПК / Метки

МПК: G11C 11/22

Метки: памяти, пьезоэлектрический, элемент

Опубликовано: 01.01.1968

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-219636-pezoehlektricheskijj-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Пьезоэлектрический элемент памяти</a>

Похожие патенты