Способ выращивания кристаллов из расплава

Номер патента: 1591743

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Лившиц, Линецкий, Майоров, Нерсесян, Рохгендлер, Эзакели

МПК: B23K 9/10, H04N 5/30

Метки: ванны, зоны, кристаллизации, сварочной

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЗОНЫ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ СВАРОЧНОЙ ВАННЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ.1. Способ определения зоны кристаллизации сварочной ванны путем контроля яркости изображения сварочной ванны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, яркость изображения контролируют в двух зонах спектра, расположенных по обе стороны длины волны максимального излучения, при температуре кристаллизации свариваемого материала, а зону кристаллизации определяют по совпадению яркости изображения в этих зонах спектра.2. Устройство для определения зоны кристаллизации сварочной ванны, содержащее телевизионную камеру с двумя передающими трубками, выходы которых через смеситель подключены к видеоконтрольному устройству,...

Номер патента: 163759

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Юбретеии

МПК: C30B 11/00

Метки: аппарат, выращивания, высокотемпературных, зонной, монокристаллов, разлагающихсясоединений

...регулируется путел 1 отпускания натянутой струны. 25 ддлов рЬлд- давлеуса, в ель ц оцокрис атурных ава под и из кор нагреваля выращивания л стки высокотемпер единений из расплго газа, состоящн рого установлен Аппарат д и зонной оч гающихся со ннем инертно полости кото В известных аппаратах для выращивания монокристаллов и зониой очистки высокотемпературных разлагающихся соединений з расплава под давлением инертного газа контейнер связан с внешним электродвигателем штоком, проходящим через уплотнение,Отличие предлагаемого аппарата состоит в том, что его корпус снабжен направляющей полостью, в которой установлены спиральная пружина и совершающий возвратно-поступательное движение поршень, связанный с контейнером штоком, а с внешним...

Номер патента: 473514

Опубликовано: 15.06.1975

Авторы: Клешко, Неймарк, Осовский, Самелюк

МПК: B01J 17/10

Метки: бестигельной, выращивания, зонной, монокристаллов, плавкой

...зонной плавкой на затравке с поперечным сечением, меньшим сечения перекристаллизуемого образца, с вращением образца вокруг оси для обеспечения хороших условий проплавления, Нагрев затравки осу ществляют электромагнитным полем вытянутой осесимметричной формы. Для создания необходимого электромагнитного поля используют индукционную систему цз двух индукторов, которые в процессе плавки переме щают один относительно другого в горизонтальной плоскости. Однако процесс плавки с использованием такой системы сложен в конструктивном оформлении.Целью изобретения является значительное 20 упрощение конструктивного оформления процесса. Это достигается тем, что нагрев осуществляют индуктором с овальным витком, поперечный размер которого...

Номер патента: 1332886

Опубликовано: 27.01.1997

Авторы: Белевич, Груцо, Маковецкая

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикально, выращивания, кристаллизации, кристаллов, методом, направленной

Устройство для выращивания кристаллов методом вертикально направленной кристаллизации, содержащее печь, имеющую две зоны, разделенные диафрагмой, и установленную в ней с возможностью перемещения цилиндрическую ампулу с коническим концом, отличающееся тем, что, с целью исключения перегрева ампулы в верхней зоне печи и снижения температурного градиента в расплаве, нижняя часть ампулы снабжена экраном, диаметр которого равен диаметру ампулы, а его нижний торец расположен в нижней зоне печи.

Номер патента: 1466275

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Гончаров, Дудка, Лисовенко, Нероденко, Оболонский, Осадчий, Рейзлин, Решетько

МПК: C30B 15/00, C30B 15/14

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава, включающее камеру роста с тиглем и коаксиально установленным тепловым узлом, содержащим тепловую трубу с нагревателем, отличающееся тем, что, с целью повышения качества кристаллов и выхода в годную продукцию за счет создания управляемого изотермического температурного поля вокруг кристалла, тепловой узел снабжен дополнительной тепловой трубой с нагревателем, расположенной над основной, между трубами размещена теплоизоляция, а тепловой узел установлен с возможностью вращения и осевого перемещения.