Печь для выращивания монокристаллов

Номер патента: 273781

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Гуляев, Замятин, Захарин, Кравченко

МПК: B01J 2/00

Метки: выращивания, кристаллов, печь

...получаемого продукта,Цель изобретения заключается втом, чтобы повысить интенсивностьработы печи и повысить качество полу.чаемого продукта. Для этого донный 15нагреватель выполнен в форме подвижной металлической пластины, на,которой помещены керамическая плитка с нагревательной спиралью, футеровка и клеммная коробка. 20На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 " донныйнагреватель.Шахтная электрическая печь состоит из корпуса 1, бокового нагрева- . 25теля 2, донного нагревателя 3, смонтированного на металлической пластине 4, легко вводимой в печь черезокно 5 в нижней части корпуса печи,регулирующих термопар бокового 6 и ЗОдонного 7 нагревателей, обеспечивающих надежное в заданных пределахрегулирование и стабилизацию...

Номер патента: 116975

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Александер, Действительные, Инофирма, Роберт

МПК: C07C 303/22, C07C 309/28, C07C 309/35

Метки: 4-бензолдисульфокислоты, 58491823, делам, изобретений», комитет, министров, нафталиндисульфокислотызаявлено, октября, открытий, совете, ссср

...конечных продуктов. П р и м е р 1 282 вес. ч. без. водной динатриевой соли 1,3-бензолдисульфокислоты смешивают 43 вес. ч. окиси ртути и полученную смесь нагревают 6 час прн 426 в атмосфере углекислоты под давлением 4 ат,1 ь Реакционную массу экстрагируют водой, полученный экстракт фильтруют и фильтрат пропускают через колонку с активированной катиопообменной смолой для выделения свободной дисульфокислоты Выход тсхписеского продукта до 230 вес, ч,; выход 1,4-изомера - 52",11 теоретического.П р и м е р 2, При нагревании 800 гес. ч динатриепой соли 1,3-оснзолдисульфокислоты в течение 12 час. при 425 в атмосфере углекислоты получают 720 вес, ч. продукта, содержащего 70 - 75% динатриевой соли 1,4-бензолдисульфокислоты, около 5%...

Номер патента: 158272

Опубликовано: 01.01.1963

Авторы: Савицка, Щукина

МПК: C07C 61/20, C25B 3/04

Метки: 79946531-16в, «бюллетене, дела-м, кислотызаявлено, комитет, министров, нзобретеаий, обретсний, октября, опубликовано, открытий, совете, ссср, товарных, циклопентилуксусной

...упрощения синтеза и устранения из процесса дефицитных реагентов, в качестве исходного вещества ИСПОЛЬЗУОТ ЦИКЛОПЕНТа поиКсСНУО КИСЛОТУ, КОТОРО ВОССТанавЛИ Ва 10 т кипячепиез с ГидразГДратоы В среде ВысокоИпя 1 цеГО ОрГ.1158272 нического растворите;)я, не)ирмер, днэтиленг)Иколя, в присутствии щелочного агента - едкого кали.Для получения циклопентилуксусной кислоты в соответствии с предлагаемым способом смесь циклопентанонуксусной кислоты, едко. го кали и гидразингидрата кипятят в среде диэтиленгликоля в течение 1,5 час при 138 - 140 С, избыток гидразингидрата и воды отгоняог и кипятят смесь в течение 3 час. После охлаждения реакционную ма.- су выливают в воду, подкисляют соляной кислотой и извлекан)т циклоиеитилуксусГую кислоту...

Номер патента: 1768675

Опубликовано: 15.10.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Варгулевич, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/08, C30B 25/12

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...в виде диска, размещенного в основании и имеющего сателлиты, под которыми в диске и в основании выполнены газотранспортные и сбросные канавки, и средства ввода и вывода газов, в нем в сателлитах на стороне, обращенной к диску, выполнены газотранспортные канавки, имеющие форму и угловое расположение газотранспортных канавок в диске и направленные навстречу им.На фиг.1 изображен общий вид устройства; на фиг.2 - сечение А - А на фиг.1; на фиг.3 - сечение Б - Б на фиг.1,Устройство содержит реактор, включающий корпус 1 с крышкой 2 и основанием 3, внутри которого установлены два экрана 4 и 5, средстьо ввода ПГС, выполненное в виде трубки 6 для ввода компонентов 3-ей группы с водородом и трубки 7 для ввода компонентов 5 группы...

Номер патента: 1784668

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Арендаренко, Барышев, Буравцев, Волынкин, Жигунов, Лобызов, Чариков

МПК: C30B 25/12, C30B 25/14

Метки: выращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...В теле основания 2 и теле диска 3 выполнены соответственно газотранспортные канавки 13 и 14, соединенные со средством ввода 15 транспортного газа(водорода).В диске 3 выполнены соосно сателлитам 4 кольцевые проточки 16 и 17, соединенные с началом газотранспортных канавок 14. Глубина внут 2 оенней проточки 17 составляет (1,3-1,5) 10 наружного диаметра проточки 16, В диске 3 выполнены сбросные канавки 18, соединенные с отверстиями 19 и 20 диска 3, отверстиями 21 и 22 основания 2 и выводным патрубком 11. Каждый сателлит 4 выполнен в виде двух соединенных между собой круглых дисков 23 и 24, при этом диаметр верхнего диска 24 больше диаметра нижнего диска 23, а нижний торец 25 верхнего диска 24 выполнен со скосом кромки,Устройство работает...