Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 132613
Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь
Текст
А, Василье ЫРАЩИВАНАВА УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСКОРЕНИОГО КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСИ 45071/23 в Комитет по делам изобретений нвете Министров СССР 5 о 25 ноября 1959 г. за М открытий при.5 д 5 55,бликовано в Б 5 оллетене изобретений М 20 за 1960 г. Известны разнообразные конструкции кристаллизационных установок для скоростного выращивания монокристаллов из расплава методом опускания тигля. Например, описана трубчатая вертикальная печь с узким металлическим кольцом-диафрагмой, расположенным в нижней части печи и нагреваемым до высокой температуры.Предлагаемое устройство позволяет производить сильное локальное охлаждение расплава, что улучшает и ускоряет процесс выращивания кристаллов. Это достигается наличием в нижней части трубчатой вертикальной печи охлаждаемого сосуда с легкоплавким металлом, в который погружается тигель с кристаллизуемым веществом.На чертеже представлено устройство в разрезе.Тигель 1 с расплавом на креплении, устроенном сверху, перемещается из обогреваемой верхней части трубчатой вертикальной печи в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда),Стенки сосуда охлаждаются током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа, Сосуд имеет широкий слив 3, рас. положенный немного ниже его верхнего края, и приемник 4 для вытекающего из слива металла,Для успешного действия устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200 и более. Горячий тигель с расплавом опускается в охлаждяемый сосуд с легкоплав. ким металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла прп одновременном перегреве расплава. Вытекающий из слива металл собирается в приемник.Устройство значительно повышает чистоту (однородность) и скорость выращивания монокристаллов.Очистка кристалла от нерастворимых частиц коллоидных Размеров и молекулярных примесей с применением охладителя намйого выше, чем без него. Предмет изобретения актор Н. И. Мосин Текред А. Л. Камышникова Корректор В П, Фомин формат бу00Объев5 коп,; с 1,1.6 ги открытий 17 и. л Цена изобретений тров СССР асский пер ко гг митете по делан ри Совете Мини Центр, М. Черк Моск 2/6. пография ЦБТИ Комитетапри Совете Минис делам изобретений и отв СССР, Москва, Петров ий 14,Устройство для выращивания кристаллов из расплава методом опускания тигля, нагреваемого в трубчатой вертикальной печи с обогреваемой верхней частью и не нагреваемой нижней частью, о т л ичающееся тем, что в нижней не нагреваемой части печи помещен охлаждаемый сосуд с легкоплавким металлом, снабженный сливом и приемником для метала, вытекающего из сосуда при погружении в него тигля с кристаллизуемым веществом.
СмотретьЗаявка
645071, 25.11.1959
Васильева М. А, Степанов И. В, Хаимов-Мальков В. Я, Шефталь Н. Н
МПК / Метки
МПК: C30B 11/00
Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного
Опубликовано: 01.01.1960
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-132613-ustrojjstvo-dlya-uskorennogo-vyrashhivaniya-kristallov-iz-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава</a>
Предыдущий патент: Машина для спирального крепления, например, книжных блоков
Следующий патент: Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава
Случайный патент: Устройство для регистрации фотоиндуцированного послесвечения