Способ выращивания монокристаллов карбида кремния

Номер патента: 331607

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...относится к металлургии полупроводников.Известен слособ выращивания моно- кристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей Форму четырехгран- б ной призма, ориентированной в направлении 100,Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю щими с кристаллографическими плоскостями100 ).Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. 18По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью ЗхЗ мм, вырезанной иэ монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях 1111 и 11003 . Вытягивание производят обычным путем. Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на...

Номер патента: 1228526

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Дубовик, Назаренко

МПК: C30B 15/14, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, расплава, сложных

...1 б в керамическом диске 15, после че.о привод вытягивающего механизма отключают. В камере 7 охлаждения монокристалл 20 выдерживают 2 ч, затем охлаждают до комнатной температуры со скоростью 50 Кч, а в области температур, в которой существует аномалия термического расширения кристаллов лантангаллиевого силиката (850- 700 К), со скоростью ЭО К/ч.При этом платиновый экран 10,крышка 17 и керамические экраны 8, 9 прорези 11, выполненные в экране 8, а также удаленный верхний виток, на указанное расстояние обеспечивают выравнивание теплового поля в камере 7 охлаждения, повышают ее инерционность при охлажчденни и обеспечивают линейный температурный градиент по длине кристалла в области аномалии термического расширения 3 град/см.Для...

Номер патента: 1824958

Опубликовано: 10.10.1995

Автор: Худицын

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...внутри кварцевую ловушку 5. На фиг. 2 и 3 дан вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью в виде полукольца (вид сбнку и в плане); на 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 фиг. 4 и 5 - другой вариант выполнения ловушки с боковой поверхностью виде двух пересекающихся кварцевую прутков. Дно одного и другого варианта выполнено с отверстиями для стекания расплава при подьеме ловушки. Для упрощения вылавливания частичек кварца в первом варианте(фиг, 2 и 3) полукольцо выполнено усеченным, во втором варианте (фиг. 4 и 5) один из прутков расположен по горизонтали, а другой небольшим углом к горизонтали.Далее загружается тигель, Сначала проводится загрузка остатков кремния в тигле, затем оборотный кремний, После расплавления загрузки тигель с...

Номер патента: 137107

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Костенко

МПК: C30B 15/22, G01D 5/24

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...регулятора, применяемого для осуществления способа,Изменение скорости роста мдатчика Д, представляющего со137107 двух полуцилиндрических обкладок, между которыми опускается кварцевая или стеклянная ампула. Перемещение границы расплав- кристалл, находящейся посередине конденсатора, вызывает изменение суммарной емкости его вследствие перераспределения диэлектриков с разными диэлектрическими постоянными (в кр Ф в распл.), Величина емкости конденсатора влияет на резонансную частоту двухтактного генератора, обозначенного в виде преобразователя При Напряжение частоты с преобразователя Пр, и напряжение частоты задатчика 3 подаются на смесительный каскад (преобразователь Пр), с которого снимается напряжение промежуточной частоты, Это...

Номер патента: 331608

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных

...(111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани...