Спендиаров

Номер патента: 121438

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Александров, Спендиаров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: антрацена, монокристаллов

...свойствами.С этой целью дополнительную очистку и выращивание кристаллов производят в одной ампуле,Ампула представляет собой стеклянную трубку, переходящую в капилляр, где образуется монокристаллическая затравка, После загрузки очищенного антрацена в ампулу, последняя вакуумируется и заполняется азотом или аргоном. В процессе очистки примеси оттесняются в сторону отпайки шейки ампулы, после чего ампула переворачивается капилляром вниз, очищенное вещество оседает и начинается процесс выращивания монокристалла в зонной печи.Рост монокристалла происходит на границе центрального и нижне. го нагревателей печи, а загрязненная примесями часть антрацена находится в зоне верхнего нагревателя печи и остается в твердом состоянии.По...