Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов

Номер патента: 129338

Автор: Нашельский

ZIP архив

Текст

, (ь 5 асс 4 Сд. 5,ГУ Нашел ьский ПОСОБ ПОЛУ 1 ЕНИЧ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ,СОДЕРЖАИ.ИХ НЕСКОЛЬКО ЛЕТЪттИХ КОРЛПОНЕНОВЗоб 50:0,55 11900,22 в Ко.;5 итет по лслвковете М 55 иист 15 ов СССРе ивов 1;степин.1 Гв 19 3 нояб)5 1909 Г. Зв Л и отк 15 ыт 5 й пр3 явлено публГковпио и Болле 1 В полупроводгиковых прпбор 2 х разлпчиОГО назначсния используются разнообразныс полупроводниковые матсрпалы, прсдставляюшиссобой твердые растворы сосдпнсний, содержащих один и Несколько летучих коъ 1 понснтОВ, К 2 К, наприьср: П.в - 11 Р; 4 С 2.13 - ЛИс.Описывасмыи способ изготоьлсния полупроводн 5 И сьых матсрпалов,содсржащих несколько летчих коъ 1 понснтОВ, пОБыПаст чистоу полмчасмОГО материала и уВслпчиваст с 1 Орость п)оцссса с 11 сзнроваП 51 и,сравнению с извсстным способом пспосрсдстьснного 5 лалсп 1 я псход 5- ных соединений,Сушность сГ 10 соба закл 10 чае 1 ся В тов 1, что псходпь 1 с;всталл. Сскн 1КОМПОНЕНТЫ, Н 2 ПРИМЕР ПНДИй ИЛИ Г 2 ЛЛПй 1 И Цинк П ДР 5 ГПС, По "ЛСДОВНтсльно ОбраоатыВ 210 т исходны:5 и гстучи Компонс 11 Га.51 И Срс. 15 Г 1 роБую фазу, начиная От ко ГОнснта, Оолада 01 цсГО паи 00.1 Пс 5 пГ 51 стыОпара, и, кончая компонентом, ооладаюшпм наимсныпсй упругосты.)пара.На чертеже схе атичсскп изобэажсна устапОВка ДЛЯ Оснсствлсн.Яописываемого способа.ерметическп закры 1 у 10 КВарцсВу 10 амп 5.1 у 1 Г 50.,ОшаОт в дв 5 ххаМСРНУО ПСЧЬ 2.,550 ДОЧКУ 3 С 5 Сталгн 5 ССКИ.5 П КОМПОПСНТамн ИИКТЫСтаН 2 ВЛИВ 2 ОТ В ОДНОМ КОНЦЕ 2 МПУЛЫ, ЛСТУЧИС КОМПОНСНТЫННХТЫ - 15ДРУГОМПроцесс синтезироВания полупрОБОдникОБОГО Всщсства НаИнГО снаГреВ 2 лодокп с мсталлпсскими 1(03 попсптами Б Отдслсн 1 и 5 псчп ДОТСЫПСР 2 ТУРЫ, НССКОЛЫ 0 ПРЕВЫШВЮЩСИ ТОЧКУ,5 ПКБИД 502 Синтсзпд 5 СМО.систсмы. Затем нагреваОт Отдслспис д псчи до полу 1 сния В ампуле даВления паров нсметаллического компонента, равного 5 аг,. При этомпроисходит синтез дашого летучего компонента с компонентам 1, находяшимися в лодочке. После некоторой выдержки времени нагрев отделения 6 печи дОВОдят до уровня, ОосспсчиВаюцс 0 давлсн 51 с паГОВ ьтОрого лстучсГО компопспта до 5 Гт 1, и снОБ 2 д 216 т Был.ргк 1 й ьрсм,51 И.о 19 Зд 8л Предмет изобретения Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что основной компонент последовательно обрабатывают парообразными летучими примесями, с цельо получения многокомпонснтпых полупроводников. оЬ Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Л. М. Струве ГРЛ 61Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 5127 Типография Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14Ч зкик 1 Ооразом БВОд 5 тс 51 В металлический р 11 сплаВ лодоен н Оста.1 ьные летучие ко 1 поненты, После Введения В расплав последнего лет"5 чего компонента температуру ОтдсленР 51 б пси дОВОдят ДО уроВня тсмгературы отделения б печи и дают выдержку времени для полной гомогенизацип расплава. После этого отделение 5 печи выключают, и расплав В лодочке кристаллизуется под давлением паров летучих компонентов. После охлаждения отделения 5 до температуры, несколько меньшей точки солидуса синтсзируемой системы, выключают отделение 6 и печь охлаждают до комнатной температуры.

Смотреть

Заявка

644906, 23.11.1959

Нашельский А. Я

МПК / Метки

МПК: C30B 11/12, C30B 29/40

Метки: компонентов, летучих, полупроводниковых, содержащих

Опубликовано: 01.01.1960

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-129338-sposob-polucheniya-poluprovodnikovykh-materialov-soderzhashhikh-neskolko-letuchikh-komponentov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов</a>

Похожие патенты