Тигель для вытягивания монокристаллов полупроводниковых материалов

Номер патента: 480029

Опубликовано: 05.08.1975

Авторы: Иванов, Манаенков, Седов, Урывский

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, пластине, полупроводниковой, примесей

...фаз поперечной компоненты отраженной и падающей волны;6- разность фаз параллельной компонентыРаспределение концентрации примеси по толщине полупроводниковой пластины определяют следующим ооразом. Образец с неизвестным распределением примеси помещаюв приставку НПВО и, посылая на образец излучение меняющейся длины волны от мо. нохроматора, регистрируют изменение относительной разности фаз отраженной и падающей волн. Изменение фаз компонент отраженной и падающей волн определяют по форму- лам 25)з 1 п" О, - ии-созе - (2)2 я и 30 б созОпзд 1 яп 6 пд и2 зг иГлубину проникновения излучения можно определить как расстояние от границы раздела двух сред до того уровня, на котором амплитуда электрического поля уменьшается в 1 раз Лггр - (4)2...

Номер патента: 1128202

Опубликовано: 07.12.1984

Автор: Усик

МПК: G01R 31/26

Метки: концентрации, образцах, полупроводниковых, примесей

...усиления регулируемых40 усилителей 2 и 8,.Расстояние Х от металлическогоконтакта связано с емкостью С обедненного слоя полупроводника Форму-лой Х = АС , где А - некоторый коэф 45 Фициент пропорциональности.Устройство работает следующимобразом.1128202 тора 21 через Ос ношением 4Они связаны соотО= С=Х д(2) 55 3Высокочастотный сигнал с частотой от генератора 1 через регулируе мый усилитель 2, фильтр 3, где происходит подавление частоты 2 возникающей в усилителе 2, поступает на вход повторителя 4.С дополнительного выхода фильтра 3 противофазный сигнал поступает через конденсатор 22 на вход повторителя 16. Чисто гармонический сигнал с часто О той Г с выхода фильтра 3 через повторитель 4 поступает на испытываемый образец...

Номер патента: 934320

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Грибников, Козловский, Романов

МПК: G01N 21/59

Метки: концентрации, нескомпенсированной, образце, одномерного, полупроводниковом, примеси, распределения

...ными либо иниектированными через контактили светом. Величина протекающего токадолжна быть такой, чтобы связанное с нимлокальное электрическое поле было значи тельно больше встроенного концентра ционного поля, связанного с неоднородным распределением нескомпенсированной примеси Ж (х), т.е. распределение неравновесных носителей р(х)должно быть дрейфовым. В этом случае З 0 .между локальными концентрациямир(х) и ДЕ (х) существует связь В связи с тем, что функция 2 медленно изменяется с координатой х, из формулы1) вытекает соотношение(3) гдеЬЭЮх) - локальная амплитуда отклонения концентрациинескомпенсированной при.меси от ее усредненнойвеличины,р(х) - усредненная на длиненескольких периодов неоднородности величинаконцентрации...

Номер патента: 1001237

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Перов, Петров, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетеропереходов, концентрации, материалах, полупроводниковых, примесей, эффективной

...1так как д, д 2, а Ес, ДЕч не менЯютсЯ при изменении найряжения смещения,Высокочастотную емкость гетеро- перехода можно записать в виде 1 4 О СС 2вц г. сгде С и С 2 - емкость ОПЗ каждого иэ полупроводников, по определению равные аааа,1Й 1, 02 - величина заряда на включениях последовательно емкостях С 4,С 2. Но при последовательном сбединении емкостейЯ:; а 1=3 й, .Следовательно, из (3-6 ) получаем 5 О 55 1 2 2Ч) Таким образом, зная из эксперименота свц,д 91 и 62Расс:читывают 65Определение эффективной концентрации .примесей (И ) в полупроводниковых 15 материалах гетероперехода производит- ся следующим образом.На гетеропереход подается напряжение смещения 9 и он освещается импульсом света, энергия квантов ко- О торого Е (Л Е 1 э ЕсВ этом...

Номер патента: 902600

Опубликовано: 30.05.1984

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...работает следующим образом.С выхода управляемого генератора 1 гармонические колебания частоты й) через контакты коммутатора 8 подаются на измерительную цепь, представляющую собой последовательное соединение испытуемой структуры 2 и колебательного контура 3, имеющего резонанс на частоте, 2 И, Сюда же поступает напряжение обратного смещения от источника 4.Под действием протекающего через образец гармонического тока частотыО из-за нелинейных свойств барьерной емкости появляется ток второй гармоники, Оба тока создают на контуре 3 падения напряжений первой и второй гармоник. Напряжение первой гармоники выделяется с помощью фильтра первой гармоники 7 и используется для управления выходным напряжением генератора 1 с тем расчетом, что при...