Способ перекристаллизации кристаллов

Номер патента: 310135

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Белицкий, Овчинников, Урсул

МПК: G01K 7/38

Метки: кюри, точки, ферритов

...гальвано-магнитного эффекта, по исчезновению самопроизвольной намагниченности или путем экстраполяции температурных кривых истинной намагниченности к нулевому их значению, по обращению в нуль начальной проницаемости и т. д.Основным недостатком всех перечисленных способов следует считать зависимость точности измерений от массы образца (в случае малых образцов). Некоторые из методов измерений не пригодны для определения точки Кюри на образцах произвольной формы.Для повышения точности определения точки Кюри ферритов на микрообъемах вещества10 е смз) произвольной формы, в том числе и на пленках, одновременно с измерением параметра кристаллической решетки. Это достигается тем, что снимают температурную зависимость интенсивности...

Номер патента: 860645

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Бакланов, Земсков, Митькин, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кристаллов, полирующий, полупроводниковых, травитель, травления

...увеличения скорости гидролиза дифторида ксенона в воде, что может привести к нарушению стабильности процесса травления,20 25 30 П р и м е р. Раствор дифторидаксенона в воде готовят растворениемв бидистиллированной воде навесокдифторида ксенона, представляющего 35 собой белый порошок. Травление полупроводниковых кристаллов Са, 5,5 Аз п 5 Ь, СаР проводят в водномрастворе дифторида ксенона на травильной установке с вращающимся 40 фторопластовым стаканом, наклоненным под углом 70 . Образец погружаоют в стакан. Скорость вращениястакана 60-80 об/мин. Скорость травления оценивают по изменению весаобразцов за время эксперимента. Исходную концентрацию дифторида ксенона в воде в выполненных экспериментах варьируют от 0,1 до 2...

Номер патента: 659346

Опубликовано: 30.04.1979

Авторы: Гулай, Колешко

МПК: B23P 3/06

Метки: биметаллической, ленты, тонкой

...лент, улучшая сцепление последних. Кроме того, механические напряжения, возникающие в зоне соединения лент, вызывают как разрушение, так и растворение окисных и адсорбнрованных пленок, что ,дополнительно создает условия дл улучшения акустического электрического и теплового контакта соединяемых лент.Уменьшение сопротивления между лентамц ведут к улучшени 1 о отбора тепла от кристалла как во время монтака интегральной схемы, так и во время ее эксплуатации,Для того, чтобы наиболее эффективно использовать энергию поверхностных акустц еских волн с целью активцрования зоны соединения разнородных лент, необходимо, чтобы глубина локализации волн в поверхностном слое была соизмерима с толщиной более тонкой ленты или с разностью толщин более...

Номер патента: 182889

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Вигдорович, Марычев, Смирнюг

МПК: C22B 9/00

Метки: веществ, зонной, перекристаллизации

...колокола.На чертеже схематически изображено устройство для осуществления описываемого способа.Длинный лоток с горизонтальной загрузкой состоит из секции 1 очищенного продукта и секции 2 загрязненного продукта. Между секциями расположен питатель 3 с исходным веществом,В начале каждого цикла зонной перекрнсталлизации мешалку 4 опускают в расплавленную зону, в результате чего избыток расплава сливается в приемник 5 очищенного продукта. Одновременно 1.1-образная трубкаэлектромагнитного насоса б заполняется расплавом из питателя и присоединяется к зонев секции загрязненного продукта,5 Расплавленные зоны образуются печами опротивления 7.Печи, насос и мешалка укреплены на однойобойме и перемещаются синхронно.В конце цикла избыток...

Номер патента: 366396

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 25/12

Метки: кюри, сегнетополупроводниках, точки

...в пьезоэффектуи др. в области фазового перехода наблюдается максимум величин е и .Известен способ определения точки Кюри из измерений пиротока т,Пироток т связан с поляризацией соотношением. бсолютнаремя;оляризация.соб наряду с основным пиротокомет ложный пироток и требует приысокочувствительных измерительств (электрометров), регистрируюрядка 10-1 .10-8 А,нироток связан с пьезоэффектом,им при деформации кристалла взменения температуры.вы щения надежности регистрацииерехода по предлагаемому способуазового перехода определяют из изелцчины фотоотклика, возникающего при освещении контакта металл - сегнетополупроводник видцмымц импульсами светаиз области собственной фотопроводимостц, ификсируют максимальное значение...