Способ регулирования типа проводимости и электросопротивления антимоната алюминия

Номер патента: 725220

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Орловский, Чуев

МПК: H03K 5/20

Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...

Номер патента: 653735

Опубликовано: 25.03.1979

Автор: Спиричев

МПК: H03K 3/28

Метки: двух, мультивибратор, проводимости, разного, типа, транзисторах

...разного типа провэдимости по авт. св; М 400006, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения скважности и периода формируемых импульсов, в него введены транзистор, конденсатор, резистор и диод, причем коллектор транзистора, включенного по схеме с общей базой, соединен с источником тока через базо-эмиттерный переход дополнительного транзистора, коллектор которого через дополнительные резистор и диод соединен с базой транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером и через дополнительный конденсатор со своим эмиттером и с кэнденсатором время- задающей цепи. 07/42 Тираж 1059 Подпис ЦНИИПИ За лиал П 1 П фПатент г, Ужгород, ул, Проектная, 4 На чертеже приведена принципиальная схема мультивибратора,Мультивибратор содержит...

Номер патента: 748812

Опубликовано: 15.07.1980

Авторы: Гордун, Фролов

МПК: H03K 3/2893

Метки: проводимости, разного, связью, типа, транзисторах, триггер, эмиттерной

...в пряго транзистора, ре- мом направлении, то цепь положительной обгрузки, включенный ратной связи замкнута, и при выходе транпитания и коллекто зистора 1 из насыщения в схеме развиваетсястора, резистор свя 25 лавинообразный процесс обратного опрокиго подюцоченк ами дывания. Этот процесс продолжается доистора, введеньс до- момента запирания диода 4, после чегор и разделительный цепь положительной обратной связи окадополннгельного зывается разорванной, и схема возврак шине источника 50 щается в исходное состояние.ектору выходного Поскольку эмиттер транзистора 3 соетор - к точке сое- динен с шиной источника питания непосреда резистора связи с ственно, а рабочая точка атого транзисторазделительного диода перемещается в процессе работы...

Номер патента: 1589963

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Астахов, Борисов, Варганов, Демидова, Дудкин, Ежов, Зигель, Колбин, Мирошников, Мозжорин, Пасеков, Просветова, Савельева, Таубкин, Фадеева, Цепов

МПК: H01L 31/18

Метки: n-типа, антимониде, индия, проводимости, фотодиодов

Способ изготовления фотодиодов на антимониде индия n-типа проводимости, включающий подготовку поверхности исходной пластины антимонида индия, формирование легированных областей p-типа проводимости, анодное окисление в электролите, содержащем раствор электропроводной добавки в глицерине и органический растворитель в объемном соотношении 1 1, нанесение пассивирующего диэлектрика и формирование контактной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных фотодиодов, пробивных напряжений фотодиодов и их стабильности за счет формирования в анодной окисной пленке отрицательного стабильного встроенного заряда, анодное окисление проводят в электролите, содержащем в качестве электропроводной добавки сернистый натрий в количестве 0,1,...

Номер патента: 747403

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Карл, Манфред, Ханс-Эрих, Эрнст

МПК: B01J 17/40

Метки: кремния, проводимости, типа

...стекла, подобранные по размеру отверстия поглощающих дисков, Выполнение Р -профиля зависит от раэ - личной длины диафрагмирующих трубок 13 и 14, от их внутреннего диаметра и различной толщины поглощающего материала. Это устройство (см, фиг. 5) для легиронания Фосфором посредствомоблучения нейтронами монтируется нреакторе, который на рисунке не изображен.Изображенное на Фиг, 5 устройствоможет быть ныполнено, как показано на фиг, 6. Здесь для облучения дисков кремния 15 (причем на рисунке изображена заполненной только одна камера), применяется открытая с двух концов трубка 8 с незсущими элементами для дисков кристалла кремния, которые могут быть выполнены иэ поглощающего нейтрона материала в виде колец 16, Эти элементы размещаются на...