Шушлебина

Номер патента: 136564

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C23C 16/30

Метки: графитовый, карбида, кремния, монокристаллов, тигель

...5 за 196 г.Осуществление способа получения монокристаллов карбидов кремния кристаллизацией из расплава кремния затрудняется отсутствием подходящего матернала тигля для расплавления кремния, Кварцевые тигли при перегреве, необходимом для выращивания монокристаллоз карбида кремния, размягчаются, что вызывает выбросы кремния; тигли даже из графита высокой плотности пропускают кремний,Описываемый способ подготовки графитового тигля позволяет использовать последний для выращивания монокристаллов карбида кремния. Сущность способа заключается в том, что графитовый ти;ель подвергают нагреву до 1000 - 1200 в атмосфере предельных углеводородов, например в атмосфере гептана, в результате чего поверхность тигля и внутри и снаружи покрывается...

Номер патента: 136328

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C30B 29/36, C30B 9/06

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов

...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...