Патенты с меткой «структур»

Номер патента: 1626996

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структур

Способ получения структур "кремний на изоляторе", включающий имплантацию ионов кислорода или азота в кремниевую подложку с энергиями и дозами, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния или нитрида кремния под слоем кремния, в два этапа на первом этапе имплантируют часть кремниевой подложки так, чтобы имплантированные области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором этапе проводят имплантацию ионов только в неимплантированную часть поверхности кремниевой подложки и проводят нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения выхода годных приборов, изготовленных на основе структур "кремний на изоляторе" за счет формирования...

Номер патента: 826887

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Коваленко, Лисовенко, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа AIIIBV, включающий принудительное охлаждение раствора-расплава содержащего компоненты соединения, амфотерную примесь и дополнительно индий, с постоянной скоростью до температуры ниже температуры инверсии амфотерной примеси, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества и упрощения технологии изготовления четырехслойных структур, в расплав добавляют 10-60 ат.% индия, насыщенного элементом V группы при температуре ниже температуры инверсии амфотерной примеси в исходном расплаве, но выше температуры инверсии амфотерной примеси в индийсодержащем расплаве.

Номер патента: 915668

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: варианты, его, структур, эпитаксиальных

1. Способ получения эпитаксиальных а основе соединений типа AIIIBV жидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлий и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качестве, вводят второй раствор-расплав со скоростью, удовлетворяющей соотношениюV=Vт/K(T0+5+30),где V - скорость изменения соотношения концентрацией...

Номер патента: 1228711

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Гурский, Кузнецов, Кузьмин, Сулимин, Трайнис, Черепов, Шалыгина, Шурочков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450oC.

Номер патента: 919540

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: селективных, структур, эпитаксиальных

Способ получения селективных эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы, включающий перемещение подложки, контактирующей с узкой полоской расплава при принудительном снижении температуры, отличающийся тем, что, целью упрощения технологии получения многоэлементарных структур улучшения их качества, снижают температуру со скоростью 5 10-3 - 10-2 град/с, а скорость перемещения подложки устанавливают из соотношенияV=D/L,где V - скорость перемещения подложки, мкм/с;D - коэффициент диффузии компонента, растворенного в расплаве, см2/с;L - линейный размер периода...

Номер патента: 776400

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы путем изотермического смешивания расплавов, содержащих низкоактивный и высоактивный компоненты системы твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью получения структур твердых расплавов с шириной запрещенной зоны, возрастающей к поверхности, подложку предварительно покрывают слоем расплава, содержащего низкоактивный компонент, затем приводят в контакт с узкой полоской раствора-расплава, содержащего оба компонента и перемещают относительно ее со скоростью V = LD/(2h2) где L - ширина полости контакта, h - толщина слоя расплава на поверхности подложки, D - коэффициент диффузии высокоактивного компонента в...

Номер патента: 780742

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, структур

Способ обработки поверхности полупроводниковых структур, ширина запрещенной зоны которых меняется от максимального до минимального значения вдоль какой-либо координаты, включающий травление структур в электролите, отличающийся тем, что, с целью получения строго однородного молярного состава с заданной шириной запрещенной зоны по всей поверхности, и упрощения технологии, травление начинают с поверхности, имеющей минимальную ширину запрещенной зоны, и в процессе травления на поверхность структуры воздействуют электромагнитным излучением, максимальная энергия квантов которого лежит в интервале от минимального до максимального значения ширины запрещенной зоны исходной структуры.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 1028196

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/324

Метки: iiibv, многослойных, соединений, структур, термообработки

Способ термообработки многослойных структур соединений AIII BV, включающий отжиг в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик приборов за счет выведения из рабочей области структур металлических микровключений, одновременно с отжигом производят облучение импульсами лазерного излучения с энергией квантов, на 0,1-0,3 эВ меньшей энергий края фундаментного поглощения полупроводника, со скважностью импульсов 102-103 и удельной мощностью 0,5-10 Дж/см2 с, причем лазерное излучение направляют излучение не менее нагретую поверхность...

Номер патента: 1752133

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/306

Метки: n+-nили, p-n-типа, кремниевых, локального, полирующего, растворения, структур

Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-n- или p-n-типа, включающий помещение образца, используемого в качестве анода, и катода в электролит - водный раствор плавиковой кислоты - и последовательное электролитическое растворение слоев структуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, после растворения n+- или p-слоя поверхность структур промывают дистиллированной водой, а растворение n-слоя проводят при концентрации электролита, определяемой из выражения C = 1,6/d2, где d - диаметр участка локального растворения (мм), при этом величину прикладываемого между анодом и катодом напряжения определяют по формуле V = 2,7 + 1,32 lg...

Номер патента: 803757

Опубликовано: 20.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/324

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ обработки эпитаксиальных структур, включающий отжиг при температуре ниже температуры их получения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрофизических параметров и уменьшения явлений деградации в приборах на их основе, отжиг проводят в градиенте температуры 30 - 100oC/см, направленном от эпитаксиального слоя к подложке, при средней температуре 300 - 600oC.

Номер патента: 1294209

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Рощупкин, Якимов

МПК: H01L 21/26

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий обработку поверхности кристалла теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости полирующим бромсодержащим составом с последующим напылением пленки металла из ряда Al, Cr, Pb, Mn, отличающийся тем, что, с целью улучшения вольт-амперной характеристики структуры за счет снижения обратного тока, полученную структуру облучают сфокусированным пучком с энергией 25 - 30 кэВ дозой (1 - 3) 10-9 Кл/см2.

Номер патента: 1820784

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/26

Метки: арсенидгаллиевых, структур

Способ изготовления арсенидгаллиевых структур, включающий имплантацию кремния в подложку из арсенида галлия, импульсный отжиг и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет исключения неуправляемого уширения профиля легирования и снижения удельного сопротивления подложки, охлаждение осуществляют со скоростью не более 250oС/с.

Номер патента: 1552933

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордюкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлектрика, перед проведением повторяющихся циклов проводят имплантацию ионов кислорода с дозой 0,5 - 10

Номер патента: 1499609

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Бузылев, Данилин, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами имплантация - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 х 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 х 1017 см-2.

Номер патента: 1452395

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бузылев, Данилин, Ерохин, Иванов, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 3 1016 см-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 1014 ехр/79(Ми - 2,3) см-2, где Ми - масса иона инертного газа, при этом соотношение энергий ионов углерода и ионов инертного газа выбирают из условия, что отношение среднепроецированных пробегов ионов углерода и инертного...

Номер патента: 1584645

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Белогорохов, Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордкович, Сарайкин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед отжигом имплантацию обратной стороны подложки любыми ионами с дозой 0,8 - 2 от дозы аморфизации кремния этими ионами, при этом цикл по дозе имплантации лицевой стороны составляет 5 - 50 1015 см-2, а суммарная доза...

Номер патента: 1597027

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Малинин, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6) 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450oC.

Номер патента: 1424630

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Итальянцев, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последующий отжиг в атмосфере водорода и паров мышьяка при температуре не менее 800oC в течение времени не менее 10 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборных структур за счет улучшения электрофизических и структурных свойств ионолегированных...

Номер патента: 513562

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Сеношенко, Соловьев, Шерстяков, Энтин

МПК: G01N 21/55

Метки: варизонных, полупроводниковых, структур, характеристик

Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.

Номер патента: 1452404

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Курышев, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: антимонид, индия, кремния, нитрид, структур

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в...

Номер патента: 1157987

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Журавлев, Савченко, Терехов, Шариков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетероэпитаксиальных, полупроводниковых, структур

Способ контроля полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур, основанный на облучении образца с одной стороны импульсами электромагнитного излучения с интенсивностью I, отличающийся тем, что, с целью упрощения и повышения чувствительности, образец облучают импульсами электромагнитного излучения с такой же интенсивностью I с противоположной стороны, но сдвинутыми по фазе на 180o, измеряют интенсивность Ф разностного сигнала рекомбинационного излучения, а годность образца определяют по величине отношения при толщине слоя d (в микронах), равной...

Номер патента: 1424643

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Балин, Гузев, Шкляев

МПК: H01L 21/316

Метки: антимонида, диэлектрик-полупроводник, индия, основе, структур

Способ получения структур диэлектрик - полупроводник на основе антимонида индия, включающий очистку поверхности полупроводниковой подложки, формирование потока молекул окиси кремния в атмосфере кислорода при давлении от 1,15 до 4,0 Па, зажигание ВЧ-разряда с плотностью мощности от 0,3 до 1,0 Вт/см2 на электроде с подложкой, охлаждение на подложке пленки двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств структур за счет уменьшения влияния высокочастотного газового разряда, перед зажиганием газового разряда осаждают подслой двуокиси кремния толщиной от 150 до при температуре от 293...

Номер патента: 849795

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Мустафин, Попов, Серяпин, Смирнов

МПК: C30B 31/22

Метки: полупроводниковых, структур

1. Способ получения полупроводниковых структур, включающий создание на поверхности полупроводниковой пластины аморфного слоя и нанесение примеси на полупроводниковую пластину для регулирования скорости кристаллизации в процессе последующей термообработки, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения качества полупроводниковых структур, примесь наносят на пластину со стороны, противоположной аморфному слою.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что с целью получения структуры требуемой конфигурации, примесь наносят локально.

Номер патента: 1200778

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Бротиковский, Зайцев, Курцин, Рыбак

МПК: H01L 21/308

Метки: защищены, которых, кремниевых, никелирования, поверхности, полупроводниковых, свинцово-силикатными, стеклами, структур, участки

Способ никелирования кремниевых полупроводниковых структур, участки поверхности которых защищены свинцово-силикатными стеклами, включающий селективное травление поверхности структур через защитную маску, промывку в деионизированной воде, активацию поверхности в золотосодержащем растворе и химическое осаждение никеля, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, после селективного травления структуру подвергают дополнительной ультразвуковой отмывке в 10 - 30%-ном водном растворе уксусной кислоты и все процессы отмывки и активации структуры проводят при сохранении на ее поверхности защитной маски.

Номер патента: 706994

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Максимов, Сидоров

МПК: C30B 25/02

Метки: переменного, состава, структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава на основе твердых растворов полупроводниковых соединений III-V методом газовой эпитаксии, включающий подачу в зону осаждения галогенидов, элемента III группы из его источника и паров элемента V группы потоком газа-носителя и изменение состава подаваемой парогазовой смеси в процессе осаждения, отличающийся тем, что, с целью расширения интервала изменения состава твердого раствора и упрощения процесса, для элемента III группы используют источник с полузакрытой поверхностью, а изменение состава парогазовой смеси ведут путем изменения подачи галогенида элемента V группы за время 0,01 - 1,0 мин.

Номер патента: 1176782

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Елисеев, Иванов, Колоскова, Локтаев, Лягушенко, Нисневич

МПК: H01L 21/314

Метки: n+-p-n-p-типа, многослойных, полупроводниковых, силовых, структур, тиристоров

1. Способ изготовления многослойных полупроводниковых структур силовых тиристоров n+-p-n-p-типа, включающий химическую обработку, осаждение из растворов на основе тетраэтоксисилана на обе поверхности кремниевых пластин n-типа проводимости легированных окисных пленок - источников диффузии алюминия и бора, термическую обработку в окислительной среде при температуре 1200 - 1300oC для формирования высоковольтных p-n переходов, создание маскирующей пленки по всей площади пластины, локальное травление маскирующей пленки и формирование n+-областей диффузией фосфора, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения параметров тиристоров, для создания...

Номер патента: 1635819

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Серяпин, Смирнов

МПК: H01L 21/268

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе, включающий нанесение диэлектрической пленки на подложку из монокристаллического кремния, нанесение слоя поликремния на диэлектрическую пленку и рекристаллизацию поликремния путем предварительного подогрева структуры и облучения сканирующим сфокусированным лучом, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур при одновременном упрощении способа, предварительный подогрев ведут со стороны слоя поликремния, а облучение сканирующим лучом ведут со стороны подложки при мощности излучения, достаточной для начала образования на облучаемой поверхности островков жидкой фазы, но недостаточной для образования сплошной расплавленной зоны.

Номер патента: 1746846

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Зенцов, Козлов, Кузьмин, Уверская

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремниевых, омических, сплав, структур

Сплав для омических контактов кремниевых структур, содержащий кремний, никель, фосфор, алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода выпрямительных элементов на основе кремниевых структур на операции сплавления путем повышения технологической пластичности при одновременном снижении максимальной величины локального отклонения пиков вплавления относительно плоскости фронта вплавления силумина в кремний, он содержит указанные компоненты в следующем соотношении, мас.%:Кремний - 15 - 22Никель - 0,025 - 0,2Фосфор - 0,0022 - 0,02Алюминий - Остальное

Номер патента: 1602275

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Губарев, Марквичева, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий химическую обработку пластин кремния n-типа проводимости, загрузку пластины и источника алюминия в печь, проведение первой термообработки - диффузии алюминия, выгрузку из печи, загрузку пластин и источника галлия в печь и проведение второй термообработки - диффузии галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения времени жизни дырок в n-слое в качестве источника алюминия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из раствора и содержащую 0,3-4,8 мас.% оксида алюминия, а в качестве источника галлия используют пленку оксида кремния толщиной 0,2-0,4 мкм, осажденную на кремниевую пластину из...