Патенты с меткой «структур»

Номер патента: 1131379

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Воробьев, Григоришин, Котова, Шкунов

МПК: H01J 9/02

Метки: подложки, структур, управляющих, электродных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ ДЛЯ УПРАВЛЯЮЩИХ ЭЛЕКТРОДНЫХ СТРУКТУР, включающий получение углублений и отверстий в них путем анодирования алюминиевой пластины на заданную толщину, фотолитографии и травления через маски металла и оксида и удаление непрореагированного алюминия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества подложки, в анодированном алюминии вначале формируют углубления, затем анодируют алюминий со стороны углубления и в нем формируют отверстие со стороны непрореагировавшего алюминия.

Номер патента: 1364154

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования в полупроводниковой подложке областей структур, нанесение слоя металла, формирование металлизированной разводки, окисление части толщины металла, нанесение слоя защитного диэлектрика, вскрытие контактных окон в защитном диэлектрике и присоединение металла проводников к металлизированной разводке через вскрытие окна, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структуры путем создания беспористого диэлектрика, слой металла наносят толщинойT = t + ,где t - минимальная толщина металла, обеспечивающая токо- и теплопроводность;D - толщина наносимого защитного диэлектрика,...

Номер патента: 1738042

Опубликовано: 15.09.1994

Авторы: Ачкасов, Мешеряков, Цыбин

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, матричных, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МАТРИЧНЫХ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование полевого и затворного слоев окида кремния, поликремниевых областей, диффузионных областей стока и истока и металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности упаковки активных элементов схем без снижения радиационной стойкости БИС за счет уменьшения площади пассивных областей и упрощения способа за счет снижения требований к величине концентрации примеси в подложке, полевой слой оксида кремния в накопителе матрицы формируют только под областями контактов поликремния с металлизацией со смешением относительно поперечной оси канала транзисторов на величину не менее половины длины канала, поликремниевые области формируют с перекрытием...

Номер патента: 1316486

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Брюхно, Сафронов

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий операции затравливания, осаждения поликристаллического кремния из газовой фазы на монокристаллическую кремниевую пластину, выравнивания поликристаллического слоя параллельно обратной стороне монокристаллической пластины, удаления части монокристаллического слоя до достижения заданной толщины, нанесения защитного покрытия на поликристаллический слой кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур путем увеличения механической прочности слоя поликристаллического кремния, в процессе осаждения поликристаллического кремния проводят дополнительные операции затравливания по достижении толщины поликристалла d (мкм), изменяемой в пределах 30

Номер патента: 1632278

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Веренчикова, Водаков, Гирка, Мокрушин, Мохов, Роенков, Свирида, Шишкин

МПК: H01L 21/263

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР путем эпитаксиального наращивания на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости, на слой SiC n-типа проводимости слоя SiC p-типа проводимости, облучения и отжига, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воспроизводимости параметров, облучение проводят электронами с энергией 2 - 5 МэВ дозой 1018 - 5 1018 см-2 при температуре 30 - 500oС, а отжиг проводят при температуре 1700 - 1800oС.

Номер патента: 1517657

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Ломакина, Мохов, Семенов

МПК: H01L 21/26

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий эпитаксиальное наращивание на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости и формирование p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет увеличения концентрации центров дефектной люминесценции, формирование p-n-перехода проводят путем наращивания слоя p-типа проводимости на слой n- типа проводимости, после создания p-n-перехода проводят облучение нейтронами с дозой 1018 - 1019 см-2 и отжиг.

Номер патента: 1524738

Опубликовано: 30.10.1994

Авторы: Демаков, Ломакина, Мохов, Рамм, Роенков

МПК: H01L 21/265

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий имплантацию ионов Al в эпитаксиальный слой SiC политипа 6Н n-типа проводимости и отжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения квантовой эффективности излучения в зеленой области спектра, эпитаксиальный слой наращивают путем сублимации при 1700 -1900oС, парциальном давлении Si 5 - 20 Па в вакууме не ниже 10-3 Па, отжиг проводят при 1450 - 1550oС, а имплантацию - в процессе отжига.

Номер патента: 1222149

Опубликовано: 30.12.1994

Авторы: Брюхно, Жарковский, Комаров, Сахаров, Шер

МПК: H01L 21/74

Метки: диэлектрической, изоляцией, интегральных, компонентов, кремниевых, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЕВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ КОМПОНЕНТОВ, включающий формирование в монокристаллической кремниевой пластине локальных скрытых слоев, вытравливание канавок в пластине, защиту полученного рельефа диэлектриком, осаждение со стороны рельефа поликристаллического кремниевого опорного слоя, формирование монокристаллических областей, формирование в этих областях р-п-переходов, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и надежности интегральных схем путем повышения напряжения пробоя р-п-переходов, канавки вытравливают в пластине на расстоянии от локальных скрытых слоев, не меньшем глубины проникновения примеси скрытых слоев в пластину, после проведения операций защиты...

Номер патента: 1433324

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Билинец, Головач, Матвеев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: ingaas, p-n-переходом, системе, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР С p-n-ПЕРЕХОДОМ В СИСТЕМЕ InAs - InGaAs, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава индий-галлий-мышьяк, приведение его в контакт с лицевой стороной подложки из арсенида индия, принудительное охлаждение системы, формирование p-n-перехода и сплошного индиевого омического контакта к тыльной стороне подложки, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления омического контакта и сокращения времени изготовления структур, предварительно тыльную сторону подложки толщиной 120 - 360 мкм приводят в контакт с пластиной сапфира, при температуре 970 - 1030 К лицевую поверхность подложки подвергают контактированию с раствором-расплавом, содержащим 0,01 - 0,06 ат. долей галлия, проводят...

Номер патента: 1766212

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Башевская, Белов, Рогов, Савостьянова, Тюнькова

МПК: H01L 21/304

Метки: полупроводниковых, структур, утонения

СПОСОБ УТОНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции механической обработки и полирующего травления нерабочей стороны, отличающийся тем, что, с целью повышения точности обработки и повышения выхода годных структур, операции повторяют, до и после последней операции травления измеряют неплоскостность поверхности, причем последнюю операцию механической обработки проводят на глубину не более 50 мкм, а последнюю операцию полирующего травления проводят на глубину, обуславливающую увеличение неплоскостности в 2,0 - 5,0 раз по сравнению с предыдущей механической обработкой.

Номер патента: 1825234

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Воронин, Губа, Плахотная

МПК: H01L 21/18

Метки: арсенида, галлия, интегральных, основе, полевых, структур, схем, транзисторов, шоттки

...Е 12 п 1=10 г см г и пг=104 см ш. Суммарная35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 30 заданная толщина буферного слоя равна 1 мкм, толщина каждой области (подслоя) порядка 0,14 мкм, В эпитаксиальную установку С 2877 подают водород, включают печь и выводят ее в рабочий температурный режим (температура источника 780 С, зоны роста 690 С), Через шлюзовое устройство на пьедестале устанавливают подложку ОаАз марки АГПЧ-12-18 (100), затем пьедестал помещают в зону роста. По достижении подложками температуры 690 С с помощью программы производят пуск ростовой (Нг+АзСз) и регулирующей (Нг+Аз 4) парогазовой смеси и проводят наращивание эпитаксиальных структур, управляя концентрацией глубоких уровней Е 12. Для получения в подслое концентрации глубоких...

Номер патента: 1797403

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Алешин, Енишерлова-Вельяшева, Казакевич, Мордкович, Русак

МПК: H01L 21/265

Метки: внутренним, геттером, кремниевых, структур, эпитаксиальных

...определяющих дефектообразование в материале,Технология эпитаксиального наращивания на кремнии практически всегда включает процесс газового травления, обеспечивающий очистку поверхности перед эпитаксиальным наращиванием. Проведение газового травления необходимо и в предлагаемом варианте в целях очистки, однако в заявляемом варианте накладывается определенное условие, оговаривающее возможную толщину удаляемого в процессе га 1797403зового травления слоя материала. он должен составлять; 0,1-02 Вр где Йр средний проецированный пробег ионов кислорода и углерода, Именно при этом условии, как экспериментально было показано, удастся пол учить чистый бездефектный слоЯ у поверхности подложки и наиболее совершенные эпитаксиальные пленки, При...

Номер патента: 1178263

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Билинец, Голович, Матвеев, Стусь, Талалакин, Федак

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРInAs InAs1-x-ySbxPyметодом жидкофазной эпитаксии, включающий приготовление раствора-расплава, содержащего индий, мышьяк, сурьму и фосфор, приведение его в контакт с буферной пластиной арсенида индия при температуре начала эпитаксиального наращивания, изотермическую выдержку в течение 30 45 мин, приведение раствора-расплава в контакт с подложкой арсенида индия и последующее наращивание согласованных на границе с подложкой слоев твердого раствора путем принудительного охлаждения системы, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества структур за счет снижения плотности дислокаций в эпитаксиальном слое,...

Номер патента: 1274558

Опубликовано: 20.04.1995

Авторы: Воробьев, Склизнев, Смирнов, Юрченко

МПК: H01L 21/66

Метки: диодных, параметров, полупроводниковых, структур

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий пропускание тока через диодную структуру, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения и отбраковку структур, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности контроля уровня частотно-модулированных шумов диодных структур, измерение спектральной плотности низкочастотного шумового напряжения проводят при температуре диодных структур от 243 до 248 К, а отбраковку структур проводят при условии, что спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения не превышает значения, вычисленного по формулегде S спектральная плотность низкочастотного шумового напряжения,...

Номер патента: 1813303

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Астафурова, Сухов, Хаханова, Чагина, Штыров

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки первого типа проводимости каналоограничительных областей путем локального окисления, получение подзатворного окисла, осаждение слоя поликремния, формирование рисунка плавающего затвора, имплантацию примеси второго типа проводимости, окисление плавающего затвора, формирование управляющего затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных полупроводниковых структур за счет улучшения качества диэлектрической изоляции плавающего затвора, перед окислением плавающего затвора проводят дополнительную обработку структуры в водном растворе фтористоводородной кислоты состава 1:100-1:10.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1630565

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Коляденко, Романов

МПК: H01L 21/265

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

...40 мин.Кроме того, уплотняющий отжим проводятпри температурах 200 С в течение 1,5 ч и500 С - 20 мин,З.Ионно-стимулированный рост монокристаллической пленки от границы с ПКосуществляют облучением ионами через маску в виде решетки из полосок тантала шириной 0,3 мм с зазорами 0,3 мм - 1 мм при+следующих условиях: ион Хе, энергия140 кэВ, доза 10 6 см 2, температура 500 С.П р и м е р 2. Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п.З при следующих условиях: ион Хе, энергия 140 кэВ, доза1 з 1 +5 10 см, температура 400 С.П р и м е р 3, Структуру, полученнуюаналогично пунктам 1 и 2 примера 1, обрабатывают по п,З, при следующих условиях(комбиникованное облучение):ИонАз,Энергия 130 кэВ, доза - 10 см 280 кэВ - 10 см...

Номер патента: 1800856

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Нестерова, Пащенко, Шубин

МПК: C30B 25/02, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, подложках, структур, эпитаксиальных

...удельной мощности в такой системе нетпоэтому. целесообразно привести и геометрические характеристики используемой авторами установки. Высота пирамиды-подложкодержателя 220 мм, максимальный размер (диаметр) верхнего торца пирамиды 120 мм, нижнего торца 150 мм, Боковая поверхность пирамиды, как сумма площадей ее восьми граней, составляет 924 см, Наружный диаметр кварцевой трубы2реактора 190 мм. Высота катушки индукто5 10 15 20 30 35 40 45 50 ра-излучателя 250 мм, средний диаметр 220 мм. Диаметр медной трубки, из которой навит индуктор, 12 мм, число витков катушки индуктора-излучателя 11. Этих сведений достаточно для оценки энергетики получаемой плазмы и воспроизведения способа не только,в увстановке описанной конструкции, но ив других...

Номер патента: 1771335

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Нестерова, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий наращивание на полуизолирующих арсенидогаллиевых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений элементов III группы в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка гидридных или металлоорганических соединений мышьяка буферного слоя полуизолирующего арсенида галлия и последующее наращивание легированных низкоомных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет улучшения изолирующих свойств буферного слоя и повышения воспроизводимости его параметров, наращивание буферного слоя проводят при давлении 12 30 Торр в среде водородной плазмы высококачественного тлеющего разряда при температуре подложек 530...

Номер патента: 1422904

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Прохоров, Сазонов

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, формирования, эпитаксиальных

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР, включающий нанесение маскирующего слоя на кремниевую подложку, вскрытие окон в слое, введение легирующей примеси, отжиг для активации легирующей примеси, эпитаксиальное наращивание, создание нарушенного слоя на рабочей стороне подложки путем имплантации ионов нейтральной примеси, отжиг для образования геттерирующих центров, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур при одновременном упрощении способа, на кремниевой подложке дополнительно формируют p+ скрытый слой ионной имплантацией легирующей примеси через маску, нарушенный слой создают ионной имплантацией через ту же маску непосредственно после введения легирующей примеси, а отжиг для образования геттерирующих...

Номер патента: 1790316

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Ачкасов, Глазнев, Мещеряков

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, кмоп, структур, схем

...(2 - 15 с) оксида кремния необходимо проводить се- травление оксида кремния в контактных оклективно, получая на легированных донор нах, образование которого возможно при ной примесью активных областях и выполнении технологических операций (наполикремнии слой оксида кремния толщи- . пример, удаление фоторезиста), следующих ной около 0,3 мкм, а на легированных актив- за операцией травления изоляции второго ных областях - 0,05 - 0,08 мкм, чтобы уровня поликремния.Дополнительноетрэвисключить маскирование ионов бора при ление производят в травителе на основеплавиковой кислоты. Так как время травления мало, то ухудшения изолирующихсвойств межслойного диэлектрика практически не происходит,Формирование буферных областей второго уровня...

Номер патента: 1168021

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Мельник, Мокеев, Нидаев

МПК: H01L 21/76

Метки: мдп-приборов, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ПРИБОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке пленки двуокиси кремния, осаждение слоя поликристаллического или аморфного кремния, разделение слоя кремния на изолированные области, рекристаллизационный обжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения подвижности носителей заряда в изолированных областях кремния и сохранения исходной формы этих областей, слой поликристаллического или аморфного кремния разделяют на изолированные области методом локального прокисления этого слоя до пленки двуокиси кремния.

Номер патента: 1228720

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Козин, Хасков, Чистякова

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, рельефных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ РЕЛЬЕФНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий создание на кремниевой пластине защитной пленки окисла кремния, полное удаление пленки и локальное уменьшение ее толщины в областях структур, в которых травление пластины проводится на максимальную глубину и на глубину заданного рельефа, и обработку пластины в травителях, отличающийся тем, что, с целью повышения точности рельефа структур, защитную пленку окисла кремния наносят толщинойв областях структур, в которых травление пластины проводится на глубины заданного рельефа, пленку окисла кремния уменьшают до толщин, определяемых из соотношения

Номер патента: 1797369

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Богатырев, Замяткин, Мардашев, Оскотская, Хлыстунова, Хорошилов

МПК: C22C 1/10, G01V 3/00

Метки: геоэлектрических, композиционный, материал, моделирования, структур

...г(60 мас, 7 ь) железа, 43,4 г порошка карбакрила (26,7 мас.;) и 26,6 г отвердителя карбакрила (13,3 мас, ). Предварительно порошок железа прокаливают при 450 С в вакуумной печи в течение 2 ч для удаления поверхностн ых оксидов. Полученную однородную массу выкладывают в металлическую форму, смазаннуюстеаратом цинка, размером 100 х 100 х 40 иоставляют на сутки для отверждения.5 Пример 2,Тоже,чтоипример 1,присоотношении: железо 140 г (70 мас. ), порошок карбакрила 40 г (20 мас. ) и отвердитель карбакрила 20 г (1 О мас. ),П р и м е р 3. То же, что пример 1, при10 соотношении; железо 190 г (95 мас, ), порошок карбакрила 6, г(3,3 мас, ) и отвердитель карбакрила 3,3 г (1,7 мас, ),П р и м е р 4. То же, что пример 1, присоотношении: железо 160...

Номер патента: 1316488

Опубликовано: 27.12.1995

Авторы: Авдеев, Гантман, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/26

Метки: локальных, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР в хлоридном газотранспортном процессе, включающий заращивание углублений в подложке от боковых граней при подаче входного давления треххлористого мышьяка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества локальных эпитаксиальных структур GaAs за счет уменьшения толщины переходного слоя, перед заращиванием углублений подложки облучают протонами дозой 6 12 мКл/см2 и проводят заращивание при входном давлении треххлористого мышьяка 20 66 Па.

Номер патента: 1225423

Опубликовано: 27.12.1995

Автор: Скорняков

МПК: H01L 21/328

Метки: полупроводниковых, слоистых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий сплавление кремниевых пластин в присутствии алюминия методом зонной перекристаллизации с градиентом температуры и диффузию легирующей примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и воспроизводимости электрических параметров p n-перехода слоистых полупроводниковых структур, сильнолегированную кремниевую пластину p-типа проводимости с концентрацией акцепторной примеси более или равной 1019 см-3 сплавляют с второй кремниевой пластиной p-типа проводимости, легированной до концентрации акцепторной примеси менее 1019 см-3, p-слой полученной p+ p-структуры уменьшают до...

Номер патента: 1373232

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/20

Метки: индия, локальных, структур, фосфида, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.

Номер патента: 1517663

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Бунин, Малахов, Сутырин, Федорова, Хриткин

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: структур, субмикронных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР, включающий формирование резистивной маски путем нанесения на подложку слоя резиста, его электронно-лучевого экспонирования и жидкостного проявления, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме и реактивное ионно-лучевое травление подложки под углом к обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме осуществляют путем реактивного ионно-лучевого травления под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки.

Номер патента: 1542332

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Мкртчан

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности, полупроводниковых, структур

СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий обработку в травителе на основе перекиси водорода и удаление кислородсодержащих примесей с поверхности химической обработкой, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводниковых структур арсенида галлия за счет снижения уровня загрязнения поверхности углеродом и сохранения геометрических размеров структур, в качестве травителя на основе перекиси водорода используют концентрированный водный раствор перекиси водорода и обработку в нем проводят в течение 5 - 10 мин, затем промывают структуры деионизованной водой в течение 10 - 15 мин, а кислородсодержащие примеси удаляют химической обработкой в концентрированном водном растворе аммиака в...

Номер патента: 745298

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Басов, Гладков, Конкин, Любимов, Манжа

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий создание коллектора, базы, маскирование поверхности структуры пленкой диэлектрика, вытравливание в диэлектрике эмиттерного окна, осаждение легированной пленки кремния, вытравливание из этой пленки мезы внахлест маскирующей эмиттерное окно, формирование эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и плотности тока эмиттера на высоких частотах, после маскирования поверхности структуры пленкой диэлектрика на него наносят поликристаллический кремний толщиной 0,1 - 0,2 мкм, а в процессе осаждения легированной пленки кремния получают одновременно монокристаллический, поликристаллический кремний и эми

Номер патента: 1814430

Опубликовано: 20.04.1996

Авторы: Мякиненков, Ногин, Саратовский, Сейдман, Сопов

МПК: H01L 21/24

Метки: кремниевых, многослойных, структур

...структуры р -и-типа изготовленыедующим образом,Исходными являлись пластины моноисталлического кремния КДБ,01 и КДБ,ориентированные в плоскости (100),аметр пластин 60 мм, толщина 350-400км. Пластины проходили стандартную подтовку поверхности в перекисно-аммиачм растворе, после чего на поверхностьной из пластин напыляли слой тугоплавго металла (Т 1, толщина 0,05), а на поверость другой слой германия (бе, толщинаО). Пластины р и р складывали в столбикпарно, напыленными слоямй навстречууг другу, а размещали в цилиндрическийарцевый реактор печи СДС/125 и продили термообработку при температуре00 С в течение 1 ч в атмосфере формирга(смесь аргона и водорода). Для оценкичества полученных структур после термо-.работки изготавливали...