Шерстяков

Номер патента: 513562

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Сеношенко, Соловьев, Шерстяков, Энтин

МПК: G01N 21/55

Метки: варизонных, полупроводниковых, структур, характеристик

Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур, основанный на измерении отраженного света, отличающийся тем, что, с целью проведения неразрушающего контроля распределения ширины запрещенной зоны по толщине структуры, производят спектральные измерения дифференциальных изменений сдвига фаз при -модуляции светового луча.

Номер патента: 489455

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Шерстяков

МПК: H05B 33/24

Метки: матричного, типа, экран, электролюминесцентный

Электролюминесцентный экран матричного типа на прозрачной подложке с металлизированной областью, образующей общий контакт, выполненный на основе полупроводниковых материалов и их твердых растворов и излучающий свет в видимой области спектра, отличающийся тем, что, с целью получения многоцветного изображения информации, элемент светодиодной матрицы состоит из набора p-n-переходов, расположенных на различной глубине в пленке твердого раствора с переменной шириной запрещенной зоны, а для подвода напряжения служат общий контакт и жгут изолированных один от другого металлических проводников, прижатый торцом к металлизированным областям пленки твердого раствора.

Номер патента: 460841

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Кравченко, Марончук, Шерстяков

МПК: H05B 33/10

Метки: монолитного, экрана, электролюминесцентного

Способ изготовления монолитного электролюминесцентного экрана путем выращивания на полупроводниковых подложках эпитаксиальных p-n-p-n-слоев твердых растворов с заданным профилем ширины запрещенной зоны, убывающей к среднему p-n-переходу, с использованием маскирования и диффузии примеси, отличающийся тем, что, с целью получения изображения с преобразованием света из длинноволнового в коротковолновый, на подложке n-типа выращивают i-слой, в котором создают локальные р-области твердого раствора на всю глубину изолирующего слоя до подложки.

Номер патента: 1579572

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Антипова, Камирная, Кудрина, Мальковский, Пухов, Шерстяков, Юдкин

МПК: B05D 1/38, C08F 2/48

Метки: пленок, полимерных

...светового некогерентного излучения от ксеноновых ламп накачки типа И Н П/250 А с плотностью потока энергии 4 Дж/см и длительностью импульса 2 мс. После последующей технологической операции (покрытие компаудом ЭК- 1) конденсаторы подвергают испытаниям на влагостойкость, Испытание подтвердили хорошие влагозащитные свойства полученной пленки ТАЭ БТК,П р и м е р 2. Кремнийорганический компаунд 159 - 167 наносят тонким (10 - 20 мкм) слоем на металлическую пластинку, После нанесения материала на пластинку ее подвергают 7 - 10 - кратному воздействию мощного импульса светового некогерейтного излучения с плотностью потока энергии 10 Дж/см и длительностью импульса 1 мс.2Пленка компаунда заполимеризовалась полностью.1579572 Составитель...