Патенты с меткой «структур»

Номер патента: 1709328

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Дигоран, Мельников, Силантьев, Смирнов, Шибанов

МПК: G06F 15/00

Метки: данных, структур

...при этом задействуются узел 23 оперативной памяти (далее обозначаемый ОЗУ), регистр 28 (далее обозначаемый Р 1), регистр 30 (далее обозначаемый Р 2).Система команд узла 25 предварительной обработки содержит одиннадцать команд: запись в Р 1; считывание из Р 2; запись и считывание в ОЗУ; логическое сложение; логическое умножение; арифметическое сложение; арифметическое вычитание; сдвиги; условные переходы (с помощью группы 71 регистров) выдача сигнала "Поиск"; выдача сигнала "Готовность".Для обработки массива, записанного в узле 23 оперативной памяти, элемент которого имеет вид (Х,УУИ), где Х - ключ, а УУй - семантический указатель, может быть использована микропрограмма, блоксхема которой представлена на фиг. 13.В качестве примера...

Номер патента: 1711349

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Козлюк

МПК: H05H 7/00

Метки: высокочастотных, структур, ускоряющих, характеристик

...измеряемого ускоряющего участка по продольной координате вдоль ускоряющей структуры. Это позволяет провести зондирование структуры после сборки ее с точки зрения эффективности ускорения.Инжектируемый электронный .пучок поступает в пространство взаимодействия ускоряющей структуры, в котором импульсом мощности СВЧ"питания Формируется электрическое поле обратной волны. При равенстве скоростей электронов и Фазовой скорости ускоряющей гармоники электрического поля создаются оптимальнце условия для захвата частиц в режим ускорения в том сечении ускоряющей структуры, в котором вцполняется это равенство.При подаче на вход структуры РдиР электроны, находящиеся в окрестности максимума ускоряющей гармоники электрического поля, уско ряются...

Номер патента: 1711832

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Брызицкий, Ватаман, Винниченко, Кавун, Кругляк, Круцяк, Малеванная, Марчук, Сумко

МПК: A61B 6/00

Метки: взаиморасположения, органов, структур

...определения. Сущность изобретения: при неподвижном положении объекта проводят поочередное контрастирование поверхностей органов и структур путем аппликации рентгеноконтрастного состава и изготовление рентгенограммы, После удаления каждой рентгенограммы аппликат удаляют, результаты рентгенографии суммируют перенесением всех излучаемых органов и структур на общую схему, Положительный эффект: позволяет уточнить синтопию изучаемых органов и структур и повысить информативность топографо-анатомических исследований. м.казана синтопия органов плода.иняты следующие обоэтопическое поле" левого - "синтопическое поле" ика; 3 - "синтопическое - "синтопическое поле" лезы,нского пола. Теменно-пямм, теменно-копчиковый1711832 Составитель А....

Номер патента: 1712903

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Киреев, Якшов

МПК: G01R 31/02

Метки: монтажных, структур

...34, счетчик 35, первый 36 и второй 37 элемент НЕ, пятый 38 и шестой 39 элементы И и третий элемент ИЛИ 40.Блок 1 управления, первый 2 и второй 3 регистры эталонов, первый 4 и второй 5 блоки сравнения, счетчик 6 цепей и счетчик 7 контактов, блок 8 предварительной обработки информации, блок 9 распределения информации, блок 10 ввода информации, блок 11 печати, регистр 12 вывода, блок 14 фиксации сигнатуры и состояния аналогичны и устройству-прототипу и выполнены на аналогичных элементах. Блок 13 анализа цепей содержит стандартные цифровые элементы серии К 555. Оптоэлектронные ключи 16 и 17 блока анализа цепей могут быть выполнены, например, на основе оптотранзисторов типа ЗОТ 110 или АОТ 110 или им подобных.Устройство работает...

Номер патента: 1714526

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Белавин, Демидович

МПК: G01R 19/02

Метки: резистивных, структур, токовых, шумов

...усилителе 6 сигнал разбаланса подается на первый синхродетектор 11, причем амплитуда сигнала пропорциональна величине разбаланса, а фаза сигнала зависит от знака разбаланса, Выходной сигнал первого синхродетектора 11, который пропорционален величине разбаланса входного блока 5, а полярность этого сигнала зависит от знака разбаланса, подается соответственно на первый 12, второй 13 и третий 14 компараторы, амплитудные характеристики которых приведены соответственно на фиг, 2 - 4, причем третий компаратор 14 является нуль-индикатором, а первый и второй компараторы одинаковы и различаются только величиной порогового напряжения.Выходные сигналы первого и второго компараторов определяют режим работы блока управления 15, который...

Номер патента: 1718161

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Грязев, Нестеренко, Талуц

МПК: G01R 33/05

Метки: доменосодержащих, коэрцитивной, силы, структур

...второго выхода дешифратора 11 (фиг.2 е) устанавливает триггер 12 в единичное состояние. Высокий уровень с выхода триггера 12 поступает нэ управляющий. вход коммутатора 27 и,вызывает изменение полярности подключения напряжения, вырабатываемого источ- .5ником 26 питания, к входу биполярного источника 28 тока, что изменяет полярность тока и магнитного поля, создаваемого катушкой 29, на противоположное (фиг,2 л). Под действием магнитного поля происходит 10 сдвиг доменных. границ образца в другую сторону от равновесного положения.Импульс на третьем выходе дешифратора 11 полукадровой длительности (фиг.2 ж) появляется после завершения переходных процессов, вызванных изменением полярности магнитного поля в катушке 29, Этот импульс поступает на...

Номер патента: 1734695

Опубликовано: 23.05.1992

Авторы: Биттерлих, Хобта

МПК: A61B 8/00

Метки: внутричерепных, головного, мозга, структур

...и измерительнойметкой прибора определяется расстояние 45до него. Пульсирующий эхо-сигнал стробируется с помощью детектора эхо-пульсацийи изменение высоты эхо-сигнала в течениепульсового цикла записывается на регистраторе в виде пульсовой кривой (эхопульсограммы). Одновременно с регистрациейэхопульсограммы производится синхронная запись реоэнцефалограммы в битемпоральном отведении, Затем осуществляетсясравнительный зронометрический анализ 55произведенной записи, во время которого сопоставляются по времени идентичные точки на эхопульсографической и реоэнцефалографической кривых и, согласно предкидентификация отражающей ультразвук внутричерепной структуры по фун кционал ьной принадлежности к артерии, мозговому желудочку или вене.Эти...

Номер патента: 1623498

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Журавлев, Микертумянц, Сазонов, Северцев

МПК: H01L 21/306

Метки: загрязнения, ионов, поверхности, полупроводниковых, структур, удаления

...предварительно заменив катионоселективные мембраны анионоселективными и осуществив переплюсовку, т. е. приложив к структуре отрицательный потенциал, а на электроды - положительный.В устройстве достигается значительная экономия воды эа счет того, что один и тот же объем деионизованной воды можно использовать многократно при сохранениивысокого качества очистки полупроводниковой структуры, так как ионы загрязнения в процессе очистки непрерывно выводятся из отмывочного раствора и его чистота в процессе очистки не ухудшается,Одновременно в устройстве обеспечивается и экономия электроэнергии, так как наличие мембраны между электродами позволяет приблизить их друг к другу. Воэможность уменьшить расстояние между электродами в устройстве...

Номер патента: 1736510

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Выборнов, Крестьяшин, Кузнечихин, Кузовлев, Немсадзе, Семикин, Счастный, Шукин

МПК: A61N 1/32, A61N 2/04

Метки: контрактур, лечения, мягкотканых, посттравматических, структур

...относительно низкие частоты (0,8-2,5 Гц), так как установлено, что наиболее выраженное приращение ударного объема кровенаполнения в сегменте конечности происходит в интервале частот 0,8 - 2,5 Гц.Кроме того, при проведении лечебных процедур амплитуда напряженности индуцированного электрического поля колебалась от 0,05 до 0,1 В/м, так как установлено, что максимальное значение избыточного объема кровенаполнения за время процедуры достигается именно в этом интервале амплитуд напряженности.Длительность самой лечебной процедуры не должна превышать 15 - 30 мин, так как установлено, что выраженный максимум положительных изменений ударного объема кровенаполнения у пациента во время сеанса ЭМВ наблюдается именно в этом интервале...

Номер патента: 1739895

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Гойхман, Горбач, Додылева, Юрчук

МПК: A01G 1/04, C12N 1/14

Метки: вешенки, гриба, макроскопического, оsтrеатus, обыкновенной, плодовых, продуцент, рlеurотus, соматических, структур, съедобного, тел, штамм

...12,86 .+ 0,14 мм в сутки. Температурные оптимум роста мицелия - 28 С, От места инокуляции агаровой среды мицелий распространяется кругами, равномерно, причем сначала развиваются субстратные, а затем воздушные гифы, Край колонии до 3-х сут выглядит прижатым, В последующем, при рассмотрении сверху край колонии бахромчатый, Реверзум выглядит аналогично, Гифы бесцветные. Ширина их варьирует в пределах 4,2 - 7,6 мкм, а длина клеток 25 - 80 мкм, Верхушечные клетки гиф имеют гомогенную структуру протоплазмы, По мере роста мицелия и его дифференциации на 3 - 6 сутки в клетках мицелия появляются вакуоли и жировые включения. Ветвление гиф вначале дихотомические. Впоследствии на 3 - 4 сут с появлением пряжек гифы густо переплетаются,...

Номер патента: 1742896

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Смирнов, Соколов

МПК: H01J 9/42

Метки: высокочастотных, параметров, структур, ускоряющих

...поглощающейнагрузкой 5 и фокусирующей системой 6,СВЧ-тракт 7, связанный с ускоряющей секцией и оканчивающейся согласованнойнагрузкой 8, содержащей калиброванныйответвитель 9, подключенный к измерительной детекторной головке 10 и частотомеру 11; 30Способ реализуют следующим образом.Непрерывный электронный пучок изинжектора 1, удерживаемый магнитным полемсистемы 6, проходит пространство взаимодействия ускоряющей структуры 4. В такойсистеме возникает автогенерация СВЧмощности, распространяющейся навстречупучку, по типу лампы обратной волны(ЛОВ),и регистрируется измерительной детекторной головкой 8, если ток инжекции, измеряемый системой 3, ббльше пороговогозначенияОпз 45где Оп - напряжение инжекции, соответствующее примерному синхронизму...

Номер патента: 1745240

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Каспаров, Маложен

МПК: A61F 9/00

Метки: глаза, комбинированных, лечения, отдела, переднего, поражений, структур

...1,0 - 1,5 мм.Отступив на 2 - 3 мм от наружного края насечки на склере на трубочку-капилляр накладывают П-образный перекидной шов и (супрамид, нейлон (9/О - 10/О), предварительно определив его длину так, чтобы про,ксимальный конец можно было бы зафиксировать к радужке. Несквоэную насечку на роговице осколком бритвенного лезвия переводят в сквозной разрез и роговичными ножницами иссекают сквозной диск патологически измененной роговицы. Через трепанационное отверстие в роговице производят необходимые элементы реконструкции переднего отдела глаза: пластику, экстракцию мутного хрусталика, удаление остатков хрусталиковых масс или капсул, переднюю витрэктомию, имплантацию интраокулярной линзы, формирование зрачка, освобождение угла передней...

Номер патента: 1750700

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Бакин, Воробьев, Краснов, Кузнечихин, Кузовлев, Немсадзе, Семикин, Счастный, Щукин

МПК: A61N 2/00

Метки: асептическими, детей, костно, лечения, некрозами, структур, хрящевых

...фрагментация хоботкового отростка бугристости этой кости. Проведен курс бесконтактной электромагнитной стимуляции по следую щей методике: в полость контура, состоящего из 6 спаренных соленоидов, поместили сегмент конечности таким образом, чтобы очаг патологического процесса располагался по центру системы соленоидов. Парамет ры действующего поля: частота 0,8 Гц,напряженность индуцированных электрических полей 0.05 В/м, продолжительность воздействия - 10 мин, Самочувствие больного после 10 сеансов улучшилось, жалоб 15 нет. При осмотре: кожные покровы в области бугристости большеберцовой кости без воспалительных изменений, боль отсутствует при пальпации и перкусии, Через 1 мес после лечения на рентгенограммах опреде ляется нормальная...

Номер патента: 1755218

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Воинов, Гущик, Кураченко, Чернуха

МПК: G01R 31/26

Метки: диэлектрик, зарядовой, переходом, приповерхностным, стабильности, структур, —полупроводник

...достаточно длительном процессе эксплуапробоя, воздействие коронными разрядом, тации, Потенциал электрода выбирается таполярность которого соответствует инвер- кой полярности, чтобы в приповерхностной сии приповерхностной области р-и-перехо- области р-п-перехода возникал инверсный да, изменяют величину потенциала слой. Величина потенциала, необходимая коронногоразрядаиодновременноизмеря для возникновения инверсионного слоя, ют электрический ток, протекающий через тем больше, чем меньше величина заряда .р-п-переход, причем потенциал коронирую- структуры диэлектрик-полупроводник, что щего разряда увеличивают до тех пор, пока иллюстрирует фиг.1. О появлении инверсноток начинает немонотонно увеличиваться, а го слоя судят по возрастаию...

Номер патента: 1755735

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Демкович, Казокин, Кипень, Негруцкий, Сычев, Цофина, Шалашова

МПК: A01G 1/04

Метки: jаsт, гриба, кuммеr, макроскопического, оsтrеатus, рlеurотus, соматических, структур, штамм

...внутри при этом на 4-6 С выше, что соответствует температурному оптимуму вегетативной фазы развития гриба. С появлением зачатков тел шляпок и ножек) гриба полиэтиленовые оболочки с контейнеров сниимэют, а темпе 101535 фельно-глюкозном агэре составил 11,4.ф.0,1 мм/сутки. Скорость роста мицелия в чашках Петри на сусло агаре при оптимальной температуре составляет 11,80+0,2 мм/сутки,Отношение к углеводам. Наибольшее накопление биомассы штаммом УВ 1017 имело место нэ среде, содержащей лактозу, мальтозу, маннит и галактозу.Отношение к источникам азота. На среде с мочевиной, нитратом аммония, сульфатом и нитратом развивается достаточно интенсивно, По результатам накопления биомассы лучшими для культуры штамма оказались глютаминовая и...

Номер патента: 1755736

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Гойхман, Горбач, Додылева, Юрчук

МПК: A01G 1/04, C12N 1/14

Метки: вешенки, гриба, макроскопического, оsтrеатus, обыкновенной, плодовых, продуцент, рlеurотus, соматических, структур, съедобного, тел, штамм

...куляции Максимальный прирост миелия, ммДиаметр колонии на 7-ые сутки,мм на сутки 13 1.1 11 Предлагаем.Дон 112,Р. согпцсораеМ 200 90 82 86 5-6 76 19 20 25 28 28 Культуральные признаки. На суслоага- ном конкурсном сортоиспытании в произре культуры колоний снежно-белые. Тексту- водственных условиях НПО "Виктория" на ра ватная. Высота воздушного мицелия до 3 субстрате, состоящем из смеси соломы с мм, По мере появления пряжек на гифах и кукурузной кочерыжкой в соотношении 2:1, тяжей, на мицелии формируются примор В сравнейии с культйвируемыми в произдии, имеющие положительный фототро- водстве штаммами отличается большей скопизм. Скорость роста на суслоагаре ростьюлийейногороста(табл.1)идружным составляет 12,06+0,13 мм/сутки, Темпера-...

Номер патента: 1756827

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Изидинов, Назаров, Разяпов

МПК: G01R 1/00

Метки: анализа, вторично, ионного, количественного, кремния, лазерного, масс-спектрометрического, образцов, основе, поверхности, примесей, создания, сравнения, структур

...и (2)величинами концентрации примеси в интервале 10-10 5 мас.0 в исходном расгворе.Предлагаемый способ характеризуютследующие свойства:простота операций, общедоступностьлабораторного оборудования и оснасткидля создания ОС;простота и точность регулирования впределах не менее 4 порядков содержайиястандартизируемого элемента-примеси;возможность высокой точности прогнозирования содержания примеси и направлейного его изменения на основе простогосоотношения, параметры которого мотутбыть найдены путем простых расчетоввследствие высокой восп роизводймостисвойств матрицы из СПК;тонкая структура и равномерное распределение микропор (обусловливает равномерное распределение примеси пообъему СПК);большая толщина СПК (100 - 200 мкм);что позволяет...

Номер патента: 1487759

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Крюков, Перов, Саночкин

МПК: H01L 21/8232

Метки: мдп-интегральных, структур, схем

...Рмци 51 .с и слоя нттт рида кремния .эце удалян)т, я используют в качествемежслойцой изоляции полцкремциеныхттИн первого уронця. Затем осаждаютвторой слой поликремция 9 (йттГ.А) 511 е 5 ирутот его и плазмохкмическкм травлением через маску двух слоев поликремния формируот области плавающего зат-вора 10 и управляющего затвора 11,причем травление проводят н цаправле".нки, перпеНдикулярном направлению поликремниевых шин перного уровня(фиг.5),Формирование областей истоков истоков 12 элементов памяти проводятпгмплацтаццей ионов мьпцьяка Б участкикремниеной подложки, нс:.срытые послесамосовмещенцаго транления первогои второго слоев полккремния, Ня заклсчительной стадии изготовленияструктур элемецтов памяти формируютторцовый оксид кремния 13...

Номер патента: 1584653

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Голод, Девятова, Ерков

МПК: H01L 21/285

Метки: полицидных, структур, формирования

...ОсаЗЩЯть толикрсмний не имеет смысля, т.к, в этои случае полкремний начиняет расти па зоне неравномерно, Из черте- жа виде 0, что с павьддеев 1 ем темпера туры гряеичцые дявлееге 1 е ОсязКце 1 еил слоев умецьшаютсл. Боэможе 1 ы трц ва. - рианта выряще 1 ваЕЛЕл полцце 1 дцой структуры в еденам технологическом процессе иэ газовой смеси, составленной 50 нз источников кремния и силицндообра" эуощего металла одцовремееИо измене" нием одного иэ параметров давления в реакторе Р, соотношения реагентов К, температуры в реакторе Т).Бсетри варианта в реаепезяциирав 11 оцее 11 еы и лвллютсл техЕИЕческиии эквивалентами. Силицидцые слои осаждаотся поцепному ряэветвлене 1 ому мехянЕЕэиу р я слои паликремЕв 1 язя счет пиролизякремнийсодержащего...

Номер патента: 1765129

Опубликовано: 30.09.1992

Авторы: Бывалин, Длугач, Изынеев, Копылов, Кравченко, Ормонт

МПК: C03C 23/00, G11B 11/03

Метки: интегрально-оптических, материал, нем, прозрачный, рефракционных, структур, формирования, электронно-лучевого, элементов

...радиационные свойства стекол, 20Применение фосфатных стекол указанного выше состава по новому назначениюстало возможным благодаря эффекту, заключающемуся в том, что при энергии3 - 30 кэВ и дозе поглощенных электроновб 10 эл/см остросфокусированный электронный пучок производит вфосфатных стеклах физико-химические изменения, приводящие к существенному увеличению их показателя преломления, 30В указанном узком интервале концентраций стекла сохраняют практически одинаковую способность изменять показательпреломления под воздействием электронного пучка, что было установлено с помощью интерференционно-микроскопических измерений, Также было установлено, что электронное облучение изменяет не только показатель преломлениястекла, но и его...

Номер патента: 1767582

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Миттенберг, Пашкова, Прохоров, Шаталов

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, слоя, структур, толщины, эпитаксиального

...превышающую значение В//1 да, где а - угол разориентации пластины; ЧЧ - толщина эпитаксиального слоя, определенная по максимальной скорости роста, проводят анизотропное травление через полученную маску до появления на профиле травления плоской части параллельной поверхности эпитаксиального слоя, удаляют маску, а затем по высоте ступени между поверхностью эпитаксиального слоя и плоской частью профиля травления определяют толщину эпитаксиального слоя.В некоторых случаях целесообразно вскрывать окно в виде полос, перпендикулярных базовому срезу структуры, причем ширина полос должна превышать значение Ю/тда. Способ основан на том, что эпитаксиальные слои выращиваются на подложках,имеющих отклонение от плоскости (111) на4 или 8 по...

Номер патента: 1772251

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Джермакян, Жилкина, Капустинский, Петров, Цитович

МПК: D04B 35/20

Метки: полотен, структур, трикотажных

...диаФрагм 7. 8. и 9, 10 находятся на разномудалении от обьектива 5. Одна пара диафрагм 7, 8 находится в плоскости увеличенного сфокусированного изображения структур, параллельных плоскости сагиттального сечения, создаваемого цилиндроической линзой 4 и обьективом 5. а другая пара диафрагм 9, 10 находится в плоскости увеличенного сфокусированного иэображения других структур, параллельных плоскости меридионального сечения,создаваемого цилиндрической линзой 4 и объективом 5. Благодаря этому обеспечивается одновременное раздельное представление трансформированного изображения взаимно перпендикулярных структур, которые контролируются. При этом изображение одних структур лежит в плоскости диафрагм 7, 8, а изображение других структур,...

Номер патента: 1774218

Опубликовано: 07.11.1992

Автор: Григорьев

МПК: G01N 1/28

Метки: биологической, клеточных, объема, структур, ткани, электронограммах

...активного дыхания, Очевидно, что локальное конформационное состояние ультраструктуры, соответствующее митохондриям темного типа, отражает лишь циклические измене ния клеточного дыхания, и нейрон фактически находится в функционально активном состоянии. В результате реконструкции семи срезов толщиной по 50 нм, обозначенных цифрами 1-1, 2-1, 3-1, 4-1, 5-1, 6-1, 7-1, 10 плоскости, соотвегствующие указанным срезам, в митохондрии, обозначают цифрами 1 - 7, Например, срез 1-1 соответствует плоскости 1, срез 2-1 - плоскости 2, Определяем обьем, Для этого определяем пло щадь каждого среза митохонгдрии и складываем их, 51-1 (241 нм )+Яг" (51 нм +296 нм )+Из(48 нм +262 нм + + Ял(17 нм +481 нм )+35-1 (16 нм + + 218 нм )+55-1 (22 нм +110 нм )+ 20 ч...

Номер патента: 1774398

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Калинин, Овчаренко

МПК: H01L 21/76

Метки: полупроводниковых, структур

...применяемого в элементах памяти зарубежных изготовителей.Указанные известные технические решения, уменьшающие влияние рельефа, могут применяться как по отдельности, так и в совокупности в предлагаемом способе.На фиг,1,2 показаны сечения полупроводниковой структуры на различных этапах ее формирования, на фиг.3,4 - аналогичные сечения другой полупроводниковой структуры с частичным размещением второго диэлектрического слоя на поверхности полупроводниковой подложки,На фиг,1(3) изображена структура после осаждения второго слоя поликристаллического кремния и легирования его азотом на всю толщину этого слоя,На фиг,2(4) показана полупроводниковая структура после термической обработки (отжига),На фиг,1 - 4 используются следующие обозначения;-...

Номер патента: 1777594

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Владимир, Милан, Франтишек

МПК: B65H 54/32

Метки: бесконечных, намотки, протяженных, структур

...переработки в ткань представляется наиболее целесообразной мягкая форма початка со скругленным мес том перехода с цилиндрической в коническую часть, причем такая форма намотки не может быть обеспечена известным способом.Вышеуказанные недостатки устраняются при намотке предлагаемым способом бесконечно протяженных структур, особенно вискозных волокон, прядомых, отделываемых, скручиваемых в непрерывном процессе и наматываемых в форме копса 5 10 таким образом, что при подаче материала на вращающийся цилиндрический или конический патрон и раскладывании материала вдоль патрона перекрещивающимися витками путем сообщения нитеводителю поо 15 50 55 Графическое изображение хода нитеводителя со смещением положения точек изменения направления...

Номер патента: 1782323

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Колесников, Кострицкий, Маньянов

МПК: G03H 1/18

Метки: кристаллах, периодических, сегнетоэлектрических, структур

...меньше, чем для электро нов и голограмма "живет" более длительноевремя, чем время, необходимое для работы ОЗУ. Для получения стабильной (живущей несколько лет), контрастной периодической структуры, полученную "протонобусловленную" фазовую голограмму обрабатывают врасплаве монокарбоновой кислоты, В качестве активной среды может быть взята любая монокарбоновая кислота (оксинафтойная, пальмитиновая, бензойнаяФ и др.), служащая источником ионов Н для топотактической реакции протонного заме,+ +щения О =Н, которая преимущественно протекает в областях с повышенной концентрацией протонов (по эстафетному характеру). Следствием этого является дальнейшее увеличение концентрации протонов в вышеупомянутых областях. Сегнетоэлектрический кристалл...

Номер патента: 1785053

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Головизнин, Кузнецов, Радзиевский, Стриха

МПК: H01L 21/66

Метки: импульсным, перегрузкам, переходом, разбраковки, структур, чувствительности, электрическим

...1 х структур по калибровочной зависимости. Техническая сущйость предложенного способа поясняется чертежом, на котором на фиг, 1 показана схема для измерения величин изменений термочувствительных параметров на однократных импульсах, где 1 - исследуемый переход, 2 - ограниченное сопротивление, 3 - токосъемное сопротив ление, 4 - измеритель напряжения на исследуемом переходе, 5 - измеритель напряжения пропорционального току черезпереход 5, 6 - генератор импульсов,на фиг. 2 приведена калибровочная зависимость,где ЬЧ-изменение напряжения лавинного пробоя под действием эталонного импульса.Чр - амплитуда разрушающего импульса, измеренная с помощью известного способа пошагового увеличения амплитуды импульса до разрушения...

Номер патента: 1785054

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Дюков, Митюхляев, Петросян, Сагань, Файфер, Шистик

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектности, пластин, полупроводниковых, структур

...16 сигнала.,;,.; приведет к тому, что с Момента времени ЙУстройство работает следующим обра-. интегратор 16 будет интегрировать выходзом., : .:ной сигнал логарифмического усилителя 14,Лазер 1 под действием импульса под По истечении времени 2 Ж цифровойжига, сформированного в блоке, управления, Код, сформированйый Счетчиком 5, будет . 2, вырабатывает оптический импульс, кото- совпадать с цифровымкодом Кз, соответсгрый через приемопередающую оптическую вующим моменту времени тз. В момент совсистему 3 излучается в атмосферу по гори- паденйя кодов схема 9 вырабатывает зонтальной трассе. В момент излучения ла-30 импульс, по которому интегратор 16 законзера 1 датчик 4 формирует опорный чит интегрирование информационного сигимпульс,...

Номер патента: 1785574

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Прищепа, Шишкин

МПК: G01V 1/00

Метки: амплитуды, вертикальных, движений, локальных, структур, тектонических

...по геапогцчесг Ог у разрезу обуспонпена глав" ныг образог необратиггьп.1 и преабразованичг 1 т, проигодчщцг 7 г в породе в теченгге длительного геологического врегени, прц погру т енг 7, Эта зависимость аппракс 1 г 1 т 1- рретсл пинсйнОй с угпэзыг 1 козфф 14 т 1 ентам й Прчаднчтцц породы в результате текгонцчес ц днц+енцй с ней не процсьодТни ани дапьнейшц; преобразований, и позгог 1 у значение сгорости рзспрастраненцч н ней упругик волн осгаетсч практичесг ц неизменным Пусть в момент маг сгп 7 дчьнага пдпеопогру+ентч спач аггплцгуда структуры быпзНз а н ддпьнейшег 7 при обще 1 поднчтиц агпптТуда ст(зуТуры стала Л Н В силу сгаздннага выше, соотнетстнующце цзмененип значений сгоростц распрастрдненич упруги волн н слое, Отвечающие изг 7...

Номер патента: 1789850

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Заморский, Семенов

МПК: G01B 7/30

Метки: осесимметричных, периодических, положений, структур, угловых, элементов

...для управления индикатором 14 настройна вход блока 13 синхронизации, В момент ки датчиков,поступления сигнала с формирователя 3 на- Блок 11 разрешения счета. (фиг.2) рабочала отсчета на вход коммутатора 9 и уста- тает следующим образом. В момент поступновкиего в состояние и 1 и (что происходит ления на его первый вход О-триггер 9при каждом, поступлении импульса начала 45 устанавливается в единичное состояние,отсчета) на входах блока 13 синхронизацйи при этом логическая ячейка 2 ИЛИ 23 устакоды сбвпадают и на его выходе появляется навливает в единичное состояние О-триггерразрешающий потенциал; поступающий на 21, в результате чего на выходе 1 блока 11вход импульсного фазометра 15, Как только разрешения счета появляется сигнал разрепервые...