Патенты с меткой «структур»

Номер патента: 444049

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Биенко, Ильин, Павлов

МПК: G01B 7/14

Метки: периодических, структур, шага

...началопериода периодической структуры, входыДПУ 2 и 3 отключены при помощи коммутатора 1 от выхода генератора импульсов заполнения (Вх. 1) (интервал 1 о - 1, на временной25 диаграмме),При поступлении на вход управленияВх, УПР коммутатора 1 сигнала Начало шага импульсы заполнения, поступающие наВх. УПР коммутатора 1 сигнала Начало ша.30 и происходит ее заполнение до тех пор, пока3она не будет приведена в состояние 9 1 девяти).В момент совпадения на выходе СС 4 вырабатывается импульс, который при помощи ППУ 6 возвращает ДПУ 2 в исходное состояние и, воздействуя на коммутатор 1, производит отключение входа Вх. коммутатора (импульсы заполнения не поступают на вход ДПУ 2) и подключение его ко входу ДПУ 3 (интервал 1, - 1, на временной...

Номер патента: 452793

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Матвеев, Сурин

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактный, двухслойных, параметров, полупроводниковых, структур, электрофизических

...исследуемой ие структуры.Поставленная цельтому, что измеряют веструктуры, соответстви минимальным потеряпри синфазном и протиях осевой компонентынитного поля, затем рп игается бл агодаряия ичину смеше юшую максимм, последовате льным н офазном напр апряженности ределяют иско влепи мамый И плос параметр шения стСушно ется черОбраз казыва руктуры, сть предложе тежо м. тству инфаз соотО(при ясняго спосо в 1, 2,аторагполеесостоя ший из с такс помешаюми 3,4ными вбольшой Т МЕЖДУ СООСНЬэлектромагнит иде плоских спплотностью вит тми конце ного поля,гдем иральных к ков в центр е ум го зависимости от величины смеисимости от смешения структурычто величина смешения Кмаксюшая максимальным потерямном включении), равна:412 Ф 2 (2 бД+б 1 2452793...

Номер патента: 458062

Опубликовано: 25.01.1975

Авторы: Морозов, Петров

МПК: G01R 1/067, G01R 31/26, H01L 21/66 ...

Метки: диэлектрических, емкостных, зонд, полупроводниковых, структур, характеристик

...лемент 3, с 2. аботает сл я емкостных харак х и полупроводник полусферу 1, втулк оединяющий полусф м образом,Изобретение относится к электронике и может использоваться для исследования полупроводниковых и диэлектрических структур.В настоящее время С(Р) -характеристики снимаются при помощи контактных металлических пленок, напыленных или осажденных на поверхность структуры полупроводник-диэлектрик.Однако использование известных контактных пленок не обеспечивает контроля пара метров образца до напыления в процессе обработки и невозможность снятия С-характеристик в любой точке образца. Помимо этого, сам процесс напыления пленочного контакта может изменять свойства структуры, что 1 затрудняет процесс исследования.Целью...

Номер патента: 458794

Опубликовано: 30.01.1975

Авторы: Сардаров, Суетнов

МПК: G01V 1/24

Метки: нефтегазосодержащих, поиска, структур

...ответа на вопрос о наличии в ловушке продукции.С целью повышения достоверности поиска измеряют величины теплового потока ниже его фонового для данного геологического района значения и по ним находят деспрессионную зону, связанную с нефтегазоносностью.Экспериментальные и теоретические исследования теплового режима нефтегазовых месторождений установили факт наличия на переклиналях структур, содержащих нефть или газ, кольцевых зон с тепловыми потоками, значительно ниже фонового (депрессионные зоны). Эти зоны сопровождают только продуктивные структуры и могут быть критерием для их выделения. Для осуществления предлагаемого способа на участках ненарушенного геологического строения в пределах исследуемого геологического района измеряется...

Номер патента: 471631

Опубликовано: 25.05.1975

Авторы: Арифов, Искандерова, Раджабов

МПК: H01L 7/02

Метки: многослойных, структур

...инертных газов с эц,;гцямсг от 1,5(10" до 5 Х 10 гоновгслг 2. Система электростатических линз б служит для ускорения и фокусировки пучка ионов.Система напуска газов ионного источника 7 состоит из игольчатого натекатсля и баллона с исследуемым газом. С помощью ионпзациоцных манометров и масс-спектрометра 8 контролируют давление и состав остаточных газов в измерительной камере,Порядок проведения экспериментов заключается в следующем; после обезгаживация всей установки и мишени и достижения давления в камере це выше 1 Х 10 " - 5 Х 11 тор, включают прямоканальцый иопаритель и производят напыление слоя ца подложку с данной температурой и с выбранной скоростью напыления. После предварительного нагпыле;гия слоя толщиной - 0,1 лкг, це выключая...

Номер патента: 474837

Опубликовано: 25.06.1975

Автор: Дорофеева

МПК: G09B 23/04

Метки: геологоразведочных, моделирования, различных, срезов, структур

...представленитвердого тела произволмерцостях .изменения эцую модель геологцчсскно погружают в жиднужный наклон, создация граней модели спастью жидкости, катарподеленному срезу. ия различных срезовоснованный на зыв твердых тел, отлицелью получения на. я о любом сечении ьноц формы и законотих сечений, прозрачой:труктуры частичкость и, придавая ей от различные сочетаестествеццой поверхые соответствуют опЦелью изо ние натля ч ни пвер кономер ль геолотиче жают в жцдаклон, созданостсй модели з 0 прозрачную моде ы частично погру ,вая ей нужный н сочетания поверх это укт к каст ю зличные Изобретение относится к средствам моделирования сечений (срезов) твердых тел произвольной формы и может быть;использовано при,изучееии формы и...

Номер патента: 478329

Опубликовано: 25.07.1975

Автор: Файзуллин

МПК: G06G 7/60

Метки: моделирования, нейронных, структур

...которые могут автоматически перестраивать структуру;д) визуально наблюдать сформированные в процессе автоматической перестройки (обучения) структуры; е) регистрировать активность отдельных нейронов и всей структуры в целом;ж) перерабатывать (кодировать) световые, акустические и смешанные сигналы. На чертеже приведена структурная схема устройства,Устройство содержит формировательвходных сигналов 1, преобразователь входных сигналов 2, в состав которого входят(МСЭ) 3 и частотный фильтр 4, наборное поле 5, блок моделирования нейронов(БМН) 6. В состав БМН 6 входят подблоквозбуждающих синапсов 7, выход которогосоединен с подблоком дендритов 8, к которому подключен также выход подблокатормозящих синапсов 9, Выход подблока8 через подблок 10 тел...

Номер патента: 482697

Опубликовано: 30.08.1975

Авторы: Рибикаускас, Чеснис

МПК: G01R 31/26

Метки: диодных, дифференциального, сопротивления, структур

...и генератор 12 прямоугольных импульсов. При помощи положительного импульса, поступающего из мультивибратора 8, коммутатор 7 переводится в состояние открыто и сигнал с резистора 4 через этот блок и сумматор 9 подается на вход вертикального отклонения осциллографа. В это же время напряжение на другом выходе мультивибратора 8 скачком уменьшается и коммутатор 6 переводится в состояние закрыто. Длительность импульсов на выходе генератора 12 подбирается равной продолжительности пребывания мультивибратора во временно устойчивом состоянии, которая больше продолжительности переходных процессов в измерительной цепи, но меньше длительности импульсов на выходе источника 5 управляющего напряжения, Таким образом, при поступлении на вход усилителя...

Номер патента: 394093

Опубликовано: 25.09.1975

Авторы: Голубев, Корнеев, Шмарцев

МПК: B01J 17/06

Метки: кристаллических, полупроводниковых, структур

...или не дают возможности получать большое количество слоев в структуре, или ведутся при температурных режимах, которые не препяч ствуют взаимной диффузии материалов близлежащих слоев, Известен способ получения ,п-р и-;-структур на германии, основанный на использовании эффекта Пельтье при пропускании импульсов постоянного тока через систему "твердое-расплав- твердое.2394093 Составнтелв д ГолубевРедактор Техред КорректорКиШапаурова И.Карандашова Н.Стельмах ЗасдоЯЗЦ Идд до Ю 6 Торси 782 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий Москва, 113035, Раушская наб 4 Предприятие Патент, Москва, Г, Бережковская наб., 24 3такой, чтобы на границе раздела твердый -раствор-расплав ,обеспечить...

Номер патента: 486320

Опубликовано: 30.09.1975

Авторы: Чистяков, Яновский

МПК: G06F 11/00

Метки: неисправностей, релейных, структур, функций

...14 управления печатью по сигналам с нулевого выхода триггера б открывает входы усилителей 10, а также осуществляет . операции, связанные с управлением работой блока печати (транспортировка бумажной ленты, реверс красящей ленты, сигнализация и т, д,).Перед началом работы по логической функции, например указанной логической функции, вводятся начальные условия в размнокитель команд, При этом единичные выходы а, Ь, с, с, е, й двоичного счетчика 5 соединяются: выход а - с каналами О, 3, 6, выходы Ь - с каналами 1, 4 и т. д.По команде Исходнос триггер 3 переводится в единичное состояние, при этом выход генератора 1 импульсов закрывается, двоичные счетчики 2 и 5 устанавливаются в исходные положения. В двоичный счетчик 2 вводится дополнение,...

Номер патента: 489165

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Аксенов, Блохин, Клюев, Павлов, Филиппов, Чернявский, Шабельников

МПК: H01L 7/68

Метки: зондовая, полупроводниковых, структур

...следующие обоэнлчения: Э,Б,К - условное подключениеэмиттера, базы и коллектора проверяемойструктуры к испытательной схьме на схе ме условнО не показаны лектроиэоляпиязондоь и предметного стола и привод установки);- длина зонда; Я - фокальная плОскОсть,расстояние От Осикачания зонда до плоскостч Я ; а Й - глу- М . бина резкости оптнческой системы;3тт, /( / тт Ь,ГтюСтрттЛа ттрогцбй Зотнда, д Гт з рейкцмя койтактной площадки; д 5,Ф,ДНЙ РИСКИ,Установка состоит из оптического уст- ООЯСТВД Д КОЦПусаПредМ 8 ТНСГОтС МВХИНИЖ 4 ОМ П 8 Ремещеиият ДВУХ ИЗМед рительиых ЗОНДОВ 4 с механизмами переМеиеции.Работа установки осущеслаиется сл"=дттт ттцти Образом,,т ЬОВВРЯеыатя ПЛИСТИНа 5 З 2 КР 8 ПЛЯЕ"СЯтРЕДъ,тЕтНОМ дРП 8 3 ВаттттУ 1 т,п.тт т ПРИМОМ И...

Номер патента: 492491

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Евцихевич, Пшенцов

МПК: C03B 23/20

Метки: сотовых, структур

...заготов низкое качество укладки,Цель изобретения - уменьшение р шения заготовок и повышение качестпляют пс ак 1 т виб.дой ст бот выхизих готово е оптиостьюность м разалебаний л к и ор мула изо те н азруа излия, Это до игается тем, что вибрат импульсами, причемпаузы между колебание в 2-3 раза больше,ьность самих колебаниемый способ осуществобразом.имеющую полость задаимер, для укладки шесров (размер под ключмм) в шестигранный пу циюпродолями по осуществляюжительност раинеи м яется иной тигран 1 мм,чок продолжите Предлаг следующим Кассету формы, нап ных капилля длина 200(размер под ключ 25 мм), за 1.и платформе впбропривода и подверг рации с частотой 50 гц и а плит 0,5-1 мм, причем вибропрпвод ра в периодическом режиме. Для з...

Номер патента: 447093

Опубликовано: 05.02.1976

Авторы: Драбкин, Окороков, Рунов

МПК: G01T 1/32

Метки: анализа, магнитных, структур, ферримагнитных, ферро

...позволяют определять только проекцию вектора поляризации на ведущее поле установки, что приводит к потере информации о магнитной структуре образца, связанной с поворотом вектора, поляризации в образце и искажению информации, извлекаемой из деполяризации пучка,С целью расширения диапазона измерении в предлагаемом устройстве узел образца помещен в магнитный экран, внутри которого симметрично относительно узла образца расположены магниты с цилиндрическим ярмом, снабженные средствами поворота вокруг оси, обеспечивающие синусоидальное распределение поля по оси, причем внутри магнитов размещены соленоиды, создающие косинусоидальное распределение поля по оси,ржнт элементы Вра 1 цаив 3, расположенных сн.,мгт. ркало 4, поляризатор, узел во 6...

Номер патента: 510727

Опубликовано: 15.04.1976

Авторы: Виневская, Гиляровская, Недостоева, Станишевский

МПК: G06J 1/02

Метки: запятой, интегратор, интегрирующих, однородных, оцис, плавающей, структур, цифровой, цифровых

...образуются новые значения разностей порядковДв результате чего перестраиваются управ ляемые регистры 14 и 15, на выходе бл ков анализа состояний счетчиков 18 и 19 появляются потенциалы, соответствующие новым состояниям счетчиков, которые подготавливают элементы запрета 16 и 17.При прохождении мантисс приращений 7 Мр 91) через управляемые регистры 14 и 15 мантиссы задерживаются в них на величинуи - Ь д ( )) определяемую510727 ГТПР(1+1) равный +1, - 1 илн О. Этисигналы поступают на вход блока 12 управления сдвигами мантиссы функции, нц сумматор 6, на выход интегратора в качествевыходного приращения порядка функцияЧПР ( 1 ф 1 ) н на реверсивные счетчаки18 и 19,Блок 12 управления сдвнгами вырабатывает сигналы сдвига мантнссы подынтеграл1 а...

Номер патента: 518872

Опубликовано: 25.06.1976

Автор: Чистяков

МПК: H04L 1/10

Метки: релейных, структур, тестового

...цепочек одновременно)замкнулась и, таким. образом, выполненонеобходимое условие существования-ой цепочки, Как только откроется ключ26, под действием "единичного" сигнала,триггер 25 перейдет в нулевое состояние, ключ 23 закроется и откроетсяключ 24, Импульсы частотыначнутпоступать на вход кольцевого счетчика1 и управляющий вход ключа 26, закрывая его на время переходных процессов,С этого момента начинается проверка достаточного условия существования й - ойэлементарной цепочки.Если существует только одна ( - аяцепочка, например, изменили состояние(сработали) только контакты 10, 11,тогда импульсы с выходов кольцевогосчетчика последовательно будут открывать все ключи 14 - 18, При этом сначала выключится только реле 2, затемвыключится...

Номер патента: 519669

Опубликовано: 30.06.1976

Автор: Сардаров

МПК: G01V 9/00

Метки: геологических, земной, коры, ними, объектов, поисков, связанных, структур

...неоднозначности поиска, сводящая в ряде случаев на нет возможности таких развитых методов, как сейсмика, гравика или магниторазведка, с другой стороны, во-первых, не полностью реал зуются возможности современной полевой аппаратуры (например, чувствительность лучших образцов тепломеров 10 а кал/смесек в то время как регистрируемый сигнал, как правило в 100 раз больше), во-вторых совершенно не привлекаются (а в рамкахшествующих методов и не могут бытьивлечены) такие чувствительные и точные Это достигается тем, что по предда ому способу с помощью известных ге ических методов и приборов (наприме отокам радиогенных газов или с погл519669 ого ог Составитель И. ТРофедактор А. Балащжн Техред М. Ликови орректо ида нраж 690 зд. М 578 аказ 503...

Номер патента: 526892

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Дровянников, Каляев, Лукиенко, Макаревич

МПК: G06F 9/00

Метки: интегрирующих, программирования, структур, цифровых

...устройства и прелназцачет 1 лля управле 1 ия работой этих блоков.лрпфметпейкии Олок, сВязацныи лВухстсроцними связями с запоминающим слоком, с блоком управления с односторонней связью, с блоком вывола, служит Лля предварцтель. ного преобразования текста исходной залачи, расчета началыых значений перемеццып вычисления масштаба лля ЦИС с фцсцровагиой запятой.В процессе преобразования осуществляется синтаксический,контроль и сегментация тсжста входной программы, цлентифцкацця переменных, переколировка текста программы в промежуточный вцутрецний кол и преобразсзацце переколироваццого текста в бесскобочцую форму записи.Блоки 5 - 9, соединенные лвухстороишмц связями с запоминающим блоком 2, блоком управления 3 и односторонними...

Номер патента: 526896

Опубликовано: 30.08.1976

Автор: Чистяков

МПК: G06F 11/00

Метки: исправности, релейных, структур, тестов

...замкнутые контакты. Пр Определении набора теста для контроля цспочк, о;исывасмой элем итарой цмплпкаптой а Ь с на обрыв, в результате операций первого и второго рода изменяют состояПе переменные Ь, гУ, 1 г:г",. = а Ь с + ад + е 1 г.(6) Набор теста будет равен сумме вссов указасиых переменных, т. е. равен 42. Наборы теста для,контроля цепочек ад и ей определяотся аналогично и оказываются соответственно равш,Ми 36 и 29 Таким образом, тест Для определения отдель;ого:абора теста Т, иял булевой функцией (1) послелозатсльио проводятся упрощенная операция третьего рола и операция второ:о рода.Упроще 1 ная операция третьего роля заключается в том, что:1 еременная с чертой, соответствующая контролируемому контакту изменяется иа перемецную без...

Номер патента: 528570

Опубликовано: 15.09.1976

Автор: Чистяков

МПК: G06F 11/04

Метки: исправности, релейных, структур, тестов, функциональных

...с управляющим входом блока элементов И 18 и с входом элемента задержки 23, параллельно через блок переключателей 16 соединены с нулевыми и единичными входами триггеров блока триггеров 17, параллельно соединены с входами 7 анализаторов 5, выходы 9 которых соединены с управляющим входом блока элементов И 15, Выход элемента задержки 23 соединен через элемент задержки 24 и формирователь импульсов 25 с управляющим входом блока элементов И 4 и параллельно соединен со счетным входом кольцевого регистра 1, который соединен с блоком настройки 3.Работа устройства состоит в следующем.Перед включением устройства в работу переключатели блока переключателей 16 устанавливаются в положения, соответствующие состояниям переменных функций (1), При...

Номер патента: 535736

Опубликовано: 15.11.1976

Автор: Чистяков

МПК: H03K 19/14

Метки: автоматов, дискретных, синтеза, структур

...16. Второй вход третьего ключа 13 соединен с входной шиной 17.Устройство для синтеза структур дискретных автоматов работает следующим образом.На наборном поле 2 выключателяии 18 набираются запрещенные веса состояний и одни рабочий вес состояний. По команде Исходный, подаваемой,на входы 19 и 20, кольцевой счетчик 1 переводится в исходное положение, а триггер 7 - в нулевое состояние. Ключи 4, 11 и 13 закрываются. На входную шину 17 подается частота от генератора, Включается выключатель 9, соответствующий минимальному члену функции, Один из ключей 4 открывается, а все остальные ключи 4 закрыты.По команде Пуск, подаваемый на вход 21, триггер 7 переводится в единичное состояние, ключ 13 открывается, и импульсы входной частоты начинают...

Номер патента: 460826

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Жиляев, Ларионов, Никитин

МПК: H01L 21/36

Метки: жидкостной, методом, многослойных, полупроводниковых, структур, эпитаксии

...приведения подложки в контакт с расплавамНедостатком этих устройств является то, что при перемещении подложки может происходить либо перетаскивание одного рас плава в другой и их перемешивание, либо частичное сдергивание расплава и механическое повреждение вырашенного слоя стенками контейнера, что ухудшает условия смачивания для следующего расплава и приводит к возникновению дефектов в многослойных полупроводниковых структурах,С целью уменьшения дефектов изготовляемых структур предлагаемое устройство снабжено дополнительной соединенной с контейнером камерой с поршнем, в которую помещены держатели подложек, образующие ка нал, соединяющий камеру с резервуаром для отработанных расплавов. крывается соединительный каналЗаказ 893/79 Тираж...

Номер патента: 463394

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Андреев, Егоров, Ермакова, Ларионов, Шелованова

МПК: H01L 21/20

Метки: полупроводниковых, структур

...заключается в в ращивании поверх последнеи последующем химическодополнительного слоя материала, скорость травления которого бопее,чем на порядок превосходит скорость трввпения материапа последнего рабочего слоя.Дпя выращивания в конце крции последнего рабочего сЛоя врасплав, из которого производится ее о кристаллизация, вводится веществ е463394 Составитель Н, ОстровскаяРедактор Т, Орловская Техред О, Луговая Корректор В. Куприянов Заказ 893/79 Тираж 976 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набд. 4 Юфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 чивакцее кристаллизацию дополнительного слоя, После окончания эпитаксии этот слой...

Номер патента: 545017

Опубликовано: 30.01.1977

Авторы: Пинчук, Рюмшин

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, состав, структур, шлифования

...к технологии изготовления полупроводниковых приборов, преимущественно при получении контактных покрытий на многослойных полупроводниковых структурах со сложным рельефом.Известен травитель для обработки поверхности полупроводниковой структуры перед операцией нанесения контактов, содержащий насыщенный раствор бихромата калия в плавиковой кислоте и травитель, содержащий натриевую и калиевую щелочь.К недостаткам известного травителя относится следующее.Раствор бихромата калия в плавиковой кислоте воздействует на поверхность кремния и на разделительные окисные слои, он также полирует поверхность полупроводника, ограничивая предельную толщину осаждаемого покрытия,Обработка в смеси натриевой и калиевой щелочей (тактике как и предыдущий...

Номер патента: 545991

Опубликовано: 05.02.1977

Автор: Чистяков

МПК: G01R 31/28

Метки: автоматической, проверки, релейных, структур

...7 навходы соответственно формирователя наборов тестов 6 и кольцевого счетчика 2. Кроме того, блок 4 распределяет нулевые иединичные сигналы информации с выхода релейной структуры 8 последовательно на единичные входы триггеров 1.Единичные входы триггеров 1 соединеныс выходами блока управления 4, а счетныевходы - с выходами кольцевого счетчика 2Фнулевой и единичный выходы триггеров 1через переключатели 3 соединены с элементами индикации 5, Выход блока управления4 через элемент задержки 7 соединен сосчетным входом кольцевого счетчика 2, ачерез формирователь наборов тестов 6 - совходом релейной структуры 8, выход которой соединен со входом 9 устройства,Устройство работает следующим образом,С помощью переключателей 3 вводятсяначальные...

Номер патента: 560898

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Королев, Лутовинова, Матиссен

МПК: C09K 13/06

Метки: избирательного, металлических, многослойных, раствор, структур, травления, химического

...при обработке триметалла ковар-мед Поставленная цель достигается тем, что в качестве органических добавох предлагаемый раствор содержит метафенилендиамин солянокислый и динатриевую соль,хромотроповой кислоты при следующем соотношении компонентов, весЛ:Азотная кислота П р и м е р. Выводные рамки интегральных схем со структурой ковар-медь-ковар размером 28 х 24 х 0,25 мм травят одновременно с двух сторон в растворах, состав которых и полученные результаты, приведены ниже.560898 Компоненты 40 Азотная кислота Соляная кислота 0,5 1,5 0,3 Метафенилендиамин солянокислый 0,05 О,О 5 0,052 еО 2 е 5 0002 0003 Ое 002 Оэ 003 Ою 002 01003 400 400 400 внутренних выводов внешних выводов 400 400 400 Клин травления; мкм 20-25 20-25 26-25 Предложенный...

Номер патента: 561199

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Гаузельман, Дудкин

МПК: G06G 7/60

Метки: моделирования, нейронных, структур

...нов 2 выходами подключены к тормозным входам интеграторов 3, а входами - к выходам интеграторов 4, входы которых соединены с выходами вставочных нейронов 7.Связи всех структурных элементов имеют определенные веса, устанавливаемые с помощью резисторов. С выходов фотодиодов моделей фоторецепторов 1 через усилители на входе интеграторов 3 основных нейронов подаются сигналы, отображающие распределение освещенности по координате Х. Сигналы, поступающие по каждому входу, интегрируются во времени интеграторами 3 основных нейронов согласно их пространственным весам. Суммарное напряжение на каждом интеграторе 3 зависит от освещенности, С выходов интеграторов 3 напряжение поступает на вход генератора 6, в качестве которого использован,...

Номер патента: 563627

Опубликовано: 30.06.1977

Автор: Баратов

МПК: G01N 33/00

Метки: глубины, животных, залегания, кожи, структур

...до основани структур.Фиксация и приготовление препащепринятые, Измерения производятмощи окулярмикрометра и миМБИ-З, при увеличении - ОкОбъектив,В таблице представлены результаты изме области гисто рения по известибам. и предлагаем по ия глубины залегаотных, заключаюии глубины залегамиса до основания Глубина залегания фолликуловживотнь по известному способу4902 1103,70 1301,88 1223,75 1284,38 1221,25 365,60 331,25 347,50 351,88 397,50 0 08 17 45 по ходу ней граного воКоэффициент вариасабу составляет 5,68%кая ошибка 31,02,2,53%, а по предлагаественно - 1,64%, 9,94;После бпометрическно, что по известномуна залегания фо1226,99 мк, а по пред,При этом, как следуеты измерения, получеспособу, более достав30 ному. ции по изве, средняя...

Номер патента: 563704

Опубликовано: 30.06.1977

Авторы: Герфрид, Михаель, Рихард, Хартвин

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, структур

...аммония. Облученные области слоя окиси кремния исчезают при этом быстрее, чем необлученные, так что после указагНого времени травления в облученных ооластях хорошо просматриваюгся углубления от 10 до 15 нм (фиг. 2).11 а следуошем этапе (фиг. 3) травленые диски нагревают в течение 2 час в печи при температуре 850 С. При нагревании накопле- цый легирующий материал диффундирует в эпитаксиальный слой 2. Образуется зона 11 с проводимостью р-типа с концентрацией 3 10" атом)см на поверхности с глубиной проникновения 1,3 мкм в узких допусках. Затем диск в травленых углублениях вторично облучается ионами при дозе 1,3 10" ем ви энергии 200 КэВ. Ионы, проникающие в зону 11 с проводимостью р-типа, образуют область 15 с проводимостью р+ (фиг. 4),В...

Номер патента: 557701

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/66

Метки: излучающих, отбраковки, полупроводниковых, структур

...содержит подвижный капиллярныймикрозонд, заполненный электролитом, поцентральной оси которого расположен световод с фотоприемником,Микрозонд может легко перемструктуре, а фотоприемник при эрует вет ичину квантового выходав соответствующей тоЧке,На чертеже приведена структурная схемапредложенного устройства,Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярныймикрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозондарасположен световод 4 с фотоприемником 5,Пластина размещена на норвижном держа557701 Подписноеа Совета Министрооткрытийшская наб., д. 4/ 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое теле, р6 об азца Микроэонд и держатель образца...

Номер патента: 586407

Опубликовано: 30.12.1977

Авторы: Родный, Якерсон

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур, температуры

...импульсы анодного тока от генератора 2, От генератора 1 подаются импульсы на модулятор 10 че586407 ставитель Т. Дроздов Техред Л. Гладкова Корректор И. Позняковская дактор Н 1 зд.1 аказ 278 ираж 110 одписное пография, пр. Сапунова,рез блок задержки 7. В модуляторе 10 формируются импульсы для управления импульсной трехэлектродной рентгеновской трубкой 11, анодное напряжение на которую поступает от блока питания 9. Мощные кратковременные рентгеновские импульсы с анода трубки 11 через фильтр 12 и свинцовый коллиматор 13 попадают на р-и-р-и структуру со стороны катода 4. Глубина проникновения рентгеновских лучей для структуры с определенной глубиной залегания коллекторного р-и перехода и толщиной металлического покрытия регулируется...