Способ получения эпитаксиальных структур (его варианты)
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 915668
Автор: Марончук
Описание
V=Vт/K(T0+5+30),
где V - скорость изменения соотношения концентрацией индия к галлию (I/с);
Vт - скорость снижения температуры (град/с);
K - 0,3-0,4;
T0 - температура инверсии амфотерной примеси в первом растворе-расплаве (K).
2. Способ получения эпитаксиальных структур на основе соединений типа AIIIBV жидкофазной эпитаксией, включающий приведение в контакт с подложкой первого насыщенного раствора-расплава, содержащего компоненты соединения, галлия и амфотерную примесь, и введение в первый раствор-расплав второго насыщенного раствора-расплава, содержащего дополнительно изовалентный металл, преимущественно индий, отличающийся тем, что, с целью получения структур с перестраиваемой энергией квантов излучения и улучшения их качества, вводят второй раствор-расплав со скоростью изменения соотношения концентраций индия к галлию в результирующем растворе-расплаве 0,01 - 0,1 I/с, а температуру в области роста устанавливают в диапазоне
T2 + ( 5 - 10) < T < T1 - (5 - 10),
где T1, T2 - температура инверсии амфотерной примеси, соответственно в первом и во втором растворе-расплаве,
Т - температура в области роста.
Заявка
2987471/25, 02.10.1980
Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирский государственный университет
Марончук И. Е, Марончук Ю. Е
МПК / Метки
МПК: H01L 21/208
Метки: варианты, его, структур, эпитаксиальных
Опубликовано: 10.11.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-915668-sposob-polucheniya-ehpitaksialnykh-struktur-ego-varianty.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эпитаксиальных структур (его варианты)</a>
Предыдущий патент: Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития
Следующий патент: Способ обработки диэлектрических низкотемпературных пленок двуокиси кремния
Случайный патент: Преобразователь тока в частоту следованияимпульсов