Способ изготовления многослойных структур на основе соединений типа aiiibv

Номер патента: 1335062

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Анисимова, Лазарев, Филипченко, Якорев

МПК: H01L 21/445

Метки: aiiibv, палладирования, поверхности, полупроводниковых, соединений, типа

Способ палладирования поверхности полупроводниковых соединений типа AIIIBV, включающий очистку поверхности, осаждение палладия из водного раствора двуххлористого палладия, отмывку и сушку поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения качества метал- лизации и снижения расхода палладия, осаждение пленки палладия ведут из раствора с концентрацией двуххлористого палладия от 0,005 до 0,01 мас. содержащего 1-1000 кг/м3 соляной кислоты, при температуре 293-298 К.

Номер патента: 673083

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Аграфенина

МПК: H01L 21/48

Метки: aiiibv, полупроводниковых, соединений, типа, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, преимущественно для антимонида индия, содержащий водорастворимые органические кислоты, преимущественно винную и этилендиаминтетрауксусную, окислитель и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности травления при малых толщинах съема материала и улучшения эксплуатационных свойств травления, он дополнительно содержит соляную кислоту и кислородхлорсодержащий окислитель, преимущественно хлорноватистую кислоту, при следующем соотношении компонентов мас.%:Водорастворимые органические кислоты, преимущественно винная и этилендиаминтетрауксусная - 0,4 - 0,5Соляная кислота (37%) -...

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.

Номер патента: 1094511

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, соединений, структур, типа

Способ получения p-n-структур соединений типа AIIIBV эпитаксией из жидкой фазы, включающий приготовление насыщенного раствора-расплава, содержащего галлий, висмут, мышьяк, амфотерную примесь IV группы, контактирование его с подложкой и принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия электролюминесцентных приборов в основе структур GaAs и GaAlAs, повышения их квантовой эффективности при низких температурах и смещения максимума излучения в длинноволновую область, в состав раствора-расплава вводят 65 - 90 ат.% висмута, 10-35 ат.% галлия и 0,5 - 5 ат.% германия.

Номер патента: 1055614

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Витман, Ворновицкий, Королев, Сабун

МПК: B23K 28/00

Метки: оценки, разнородных, сварных, соединений, сплавления, стабильности, сталей, структуры

...анализ, образцы помещают в жесткую матрицу-оправку, а термообработкуосуществляют путем термоциклирования с нагревом до 500-600 ОС, с выдержкой при этой температуре в течение 2-5 мин и охлаждением до 200-100 С.о 60 65 На чертеже представлена схемаосуществления способа. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 Образец 1 сваривают из двух частей из разнородных материалов, помещают в жесткую матрицу-оправку 2и нагревают до 500-600 С, выдерживают в течение 2-5 мин затем охлаждают до 200-100 С и цикл повторяют.Нагрев и охлаждение образца 1производят в матрице 2, ограничивающей со всех сторон расширение образца 1 с целью создания деформационного эффекта при проведении испытаний, Чтобы обеспечить деформационный эффект, материал...