Патенты с меткой «структур»

Номер патента: 1799402

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Волынчиков, Дереченик, Згурский, Ковалевский, Олтушец, Харитончик, Яцук

МПК: C30B 35/00

Метки: осаждения, структур, техники, тонкопленочных, электронной

...смесей на выходе из реактора.Осаждение тонкопленочных структур осуществлялось в установке ИзотронМ с вакуумным агрегатом АРВ - 160 и расходомером типа В-15 и Рагтег 125-Яег ез фирма ЯИп 1 сег Еес 1 г 1 с ЧаП Соарапу на линияхдихлорсилана. моносилана, арсина, фосфина, диборана. Общее давление парогазовой смеси в реакторе поддерживалось в пределах 40120 Па, Скорость подачи газовой или парогазовой смеси через реактор поддерживалась на уровне 60.140 дм /ч. Отходы отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей в процессе осаждения тонкопленочных структур все время откачиваются из реактора и через специальный патрубок вводятся в оросительную колонку противопотоком распыляемому через форсунку раствору-абсорбенту, который...

Номер патента: 1570550

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Клыков, Красин

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрике, кремний, структур

...укрупнения зерен и анизотропии скорости1 их окисления, По мере увеличения толщины окисла скорость нарастания шероховатости падает. Поэтому в ряд 6конкретных случаев проводят двойнуютермообработку вместо одинарной, причем выросший после лервой термообра,ботки окисел удаляют.Другое отличие состоит в удалении 30слоя поликремния с нерабочей стороныподложки, что увеличивает эффективность .нагрева подложки и уменьшаетвероятность ее проплавления.П р и м е р, На пластине кремния . 35КЭФ 4,5 (100) в среде влажного кислорода при.температуре 1000 С выращива- .ют слой изолирующего окисла кремниятолщиной 1,5 мкм, поверх которого"вреакторе пониженного давления пиролиозом моносилана при температуре 620 .Снаращивают слой поликристаллическогокремния...

Номер патента: 1801467

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Боргест, Буланова, Зарицкая, Иванова, Кудрявцев, Резников

МПК: A61H 23/02

Метки: верхних, гладкомышечных, дисфункций, лечения, мочевых, путей, структур

...задаваемой генератором 1 импульсов. Характер колебаний, возбуждаемых в теле пациента, соответствует характеру сигнала, вырабатываемого формирователем 2 импульсов,, Для эффективного преобразования указанных выше колебаний сложной формы излучатель должен быть широкополосным, для достижения чего механический резонанс подвижной системы должен располагаться в области низких частот. Сдвиг резонанса подвижной системы в область низких частот достигается за счет значительного увеличения ее массы, представляющей в данном устройстве массу магнитной системы излучателя, Таким образом величина резонансной частоты может изменяться . путем подбора величины упругости колебательной системы и ее массы. В конкретном варианте подвикная система...

Номер патента: 1803043

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Жовтановский, Кинзерский, Плеханов, Полляк

МПК: A61B 8/00

Метки: забрюшинных, исследования, структур, ультрасонографического

...совмещая плоскость. датчика с 20плоскостью датчика, до появления на экране монитора четкого изображения диска ирасположенного за ним позвоночного канала. Изображение фиксируют на экране монитора. Определяют следующие параметрыизображения:- передне-задний, боковой, косые размеры межпозвонкового диска;- форму диска, его периметр и площадь;- размеры фиброзного кольца и пульпозного ядра диска;- структуру фиброзного кольца и пульпозного ядра (осуществляя визуальнуюоценку однородности, а также- при условиипроведения исследования при фиксированных параметрах мощности ультразвуковогосигнала и расстояния от брюшной стенки допозвонка,- количественную оценку изображенияпутем построения гистограммы); 40- передне-задний, боковой, косые размеры...

Номер патента: 1804612

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Глотов

МПК: G01N 21/85

Метки: глубины, залегания, микроскопических, препаратах, структур

...микроскопа, то вТ, так как в противном случае при перефокусировке микроскопа часть пространства препарата не будет попадать в пространство глубины резкости микроскопа.Продолжая эти рассуждения, можно предположить, что общая формула нахождения глубины залегания структур в препарате по отношению к верхней поверхности препарата, справедливая для любого шага перефокусировки и, будет иметь вид (1). Справедливость этого предположения доказывается методом математической индукции (Виленкин Н,Я, Индукция,расстояние от точечного источника света до передней границы глубины резкости микроскопа; а - светоконтрастная точка на струк//туре внутри препарата, а и а - центральные проекции этой точки из з 1 и зг на Р 1; Ь; -глубина залегания точки по...

Номер патента: 1808255

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Богомаз, Бухало, Володина, Дудка, Качуровская, Коваленко, Митропольская, Соломко, Чуйко

МПК: A01G 1/04

Метки: выращивания, грибов, макроскопических, питательная, соматических, среда, структур

...согласно вышеуказанной методике.П р и м е р 4, 1,1 г аэросила добавили к 301 л приготовленной питательной среды (рецептура 5), взболтали и внесли мицелий вешенки обыкновенной, Результаты опытаобработаны и представлены в таблице 2,Несмотря на увеличение количества 35.вводимого аэросипа выход мицелия не увеличился существенно.П р и м е р 5, К 1 л питательной среды,приготовленной по рецептуре 6(с повышенным содержанием глюкозы), добавили 1,1 г 40аэросипа, затем инокулировали мицелиемгриба вешенки обыкновенной, Контрольпроведен на 3-е и 5-е сутки. Рост мицелияпоказан в табл, 2,П р и м е р б. 20,0 г кукурузного экстракта, 25,0 г глюкозы и сопевые добавки (см.рецептуру 7) растворили в 1 л дистиллированной воды, добавили 0,9 г...

Номер патента: 1637599

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Двуреченский, Манжосов, Романов

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структур

...растворением в водном растворе плавиковой кислоты НЕ,Формирует пленку аморфного Я 1 толщиной 0,1 мкм методом молекулярно-лучевого осаждения при 200 С,Формируют монокристаллическую пленку кремния импульсным отжигам с использованием рубинового лазера с длиной волны А = 0,69 мкм, длительностью, им1637599 Составитель Е.ЛюбушкинТехред М.Моргентал Корректор А,Обручао Редактор О,Стенина Заказ 1967 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 пульса т =30 нс при плотности энергии 1,0 Дж/см 2,Окисление ПК через окна, вскрытые в монокристаллической пленке, осуществляют в следующем...

Номер патента: 1820425

Опубликовано: 07.06.1993

Авторы: Козлов, Кузьминык, Уразов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, пластине, разбраковки, стабилитронов, структур, электрическим

...микроскопа совмещают над неподвижным зондом 3 , Вертикали на одной оси подвижный зонд :.;:. Г 1 омеща 1 от в зазор между зондами пластину 6 и ориентируют пЬд зонд 5 контактный выступ 8 Верхней плоскости пластины, нижний контактныЙ выступ 7 пластины автоматически совмещается с неподвижным зондом Э устройства. Пластина фиксируется на поверхности приспособления с помощью Вакуумного присоса.Предметный солик 1 зондовой установки Ориентируется по осям Х, У, С включением зондовой установки в режиме "Автомат" подвижный зонд поочередно коГ тактирует с каждым контактным выступом пластины и согласно заданной программе От источника измерителя подается ток или прикладывается напряжение В зависимости От измеряемого Гараметра.Разбраковыва"...

Номер патента: 1821494

Опубликовано: 15.06.1993

Авторы: Четчуев, Чукалин, Юссон

МПК: C23C 14/04

Метки: маски, напыления, пленочных, структур

...окна в виде прямоугольников, стороны которых ориентированы вдоль кристаллографических осей пластины (110), Далее глубоким аниэонтронным травлением в щелочных травителя при температуре порядка 100 С в пластине кремния получают отверстия 3 в виде щели. При этом боковые стенки отверстий совпадают с плоскостью (111), образуют угол порядка 55 к плоскости прилегания подложки.Выполнение боковых стенок выступа, совпадающими с наиболее прочной для кремния плоскостью (111), обеспечивает максимальный срок службы маски и воэможность получения длинных и узких консольных выступов.Минимальная погрешность изготовления размеров рисунка маски составляет 0,005 мм, благодаря высокой воспроизводимости размерОв края маски. Повышается1821494 оставитель Н,...

Номер патента: 1823036

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Бочарова, Рыжков

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, полупроводниковых, структур

...ВАХ вырождается впрямую линию с наклоном где Мь ь - концентрация свободных носителей заряда в подложке,При освещении оптическим излучением структуры происходит фотогенерация свободных носителей с глубоких уровней, что приводит к изменению сопротивления Яз; Отсюда легко получить выражение для определения отношения концентрации глубоких центров к концентрации свободных носителей в подложке Используя конечные приращения, формула (6) на линейном участке ВАХ прекращается в формулу (1).Если к структуре приложить напряжение, смешающее буферный слой 2 в обратном направлении (обратное смещение), то его сопротивление возрастает с ростом напряжения (насыщение) и затем по мере увеличения Оо уменьшается (пробой). При ОПРЕДЕЛЕННЫХ ЗНаЧЕНИЯХ О -...

Номер патента: 1824092

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Акопян, Аксеновская, Багдасарьян, Гургенян, Зурабян, Мелконян

МПК: A01G 1/04

Метки: выращивания, грибов, макроскопических, питательной, приготовления, соматических, среды, структур

...ГОСТ 10832 - 83 ГОСТ 12085 - 73 ГОСТ 125 - 79 примеры осуществления льные примеры с показа(57) Использование: в сельском хозяйстве, в частности, при получении мицелия сьедобных грибов, Сущность изобретения: приготовление питательной среды осуществляют путем смешивания пшеничных отрубей; перлита, гипса, мела и последующего увлажнения смеси водой. При этом в смеси используют вспученный перлит, который предварительно фракционируют и берут фракцию 1,25 - 5,0 мм при следующем соотношении компонентов, мас.: пшеничные отруби 11,0 - 21,0; вспученный перлит 10,0 - 20,0; гипс 1,5 - 2,5; мел 0,2 - 0,9, вода остальное. 1 табл,телем повышения жизнеспособности мицелия приведены в таблице.Как видно из таблицы, предлагаемый способ по сравнению с...

Номер патента: 1825431

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Беляев, Калинкин, Рубец

МПК: H01L 21/203

Метки: кадмия, основе, светочувствительных, структур, теллуридов, цинка

...напыления линейно возрастала, Линейный нагрев испарителя обеспечивался с помощью модифицированного терморегулятора, До достижения испа1825431 Формула изобретения Составитель А,БеляевТехред М,Моргентал рректор В,Петраш ор при ГКНТ СС Тираж Подписное дарственного комитета по изобретениям и открыти 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5Заказ 2235 ВНИИПИ Го роиэводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 1 рителем температуры 450 С поток к напыляемым структурам перекрывался специальной задвижкой. В испаритель закладывалась навеска твердого раствора (2 по,7 СОо,зТе)ол (1 п 20 з)о,о 1. Масса навески выбиралась такой, чтобы было все вещество израсходовано в процессе напыления. Заранее определенная масса навески...

Номер патента: 795311

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дыбовская, Косенко

МПК: H01L 21/02

Метки: структур, транзисторных

...подложку легируют примесью до удельного сопротивления, по крайней мере, в 10 раз меньше сопротивления базовой области, а ограниттера и облаающий эпиющийся хода годйых насыщения дложку леги- сопротивлераз меньше ти, а формизовой облаей стадии труктуры от. и сформированной сильнолегированной областью эмиттера 8 и ограниченной Областью 7, На фиг. 4 изображена сформированная транзисторная структура с изготовленной змиперной 9 и базовой 10 металлизацией и оттравленными канавками 11, ограничивающими базовую область 2.В качестве конкретного примера исполнения приведена технология изготовления мощного кремниевого транзистора типа КТ 805,Исходным материалом является кремний электронного типа проводимости с удельным сопротивлением 0;01...

Номер патента: 986229

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/22

Метки: высокоомными, диффузионными, полупроводниковых, слоями, структур

...является предпочтительной рля более воспроизводимого получения дишшузионных слоев. Причем разница в два порядка допускается минимальной, так как в противном случае дополнительные трудности создаются взаимной нейтрализацией примеси или неуправляемой ее компенсацией, Верхний предел - шесть порядков определяет максимальную возможную раз ность легирования необходимого слоя и подложки.На фиг.1-4 представлена последовательность операций применительно к изготовлению полупроворниковых приборов типа диодов, резисторов и биполярных транзисторов, а на шиг.5-8 для МРП-транзисторов со встроенным кана" лом.На шиг, показана структура после шормирования в (на) подложке 1 высоколегированной области 2 через окно в маске 3 преимущественно в...

Номер патента: 1373231

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Дудиков, Сосницкий

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

...среде с расходами газовых потоков: фосфор н качест73231 3 13ве раэбавителя - 290 л/ч, кислород "50 л/ч, азот и качестие носителя15 л/ч с температурой поддержаниядиффуэанта 18 С,Одновременно с диффузионной загонкой фосфора и эмиттер осуществляютдиффузию фосфора в окисел и образование ФСС как над первичным и базовым окислом, так и над эмиттернойобластью толщиной 0,12-0,18 мкм. Затем наносят маскирующее покрытие,например фоторезист ФП 388 толщинойй 0,6 мкм, и через фотошаблон с использованием проекционной печати осуществляют фотокопию с топологическимрисунком, позволяющим удалить проявителем (0,6 Е КОН) фоторезист с высоколегированных областей эмиттера и сприлегающих к ним участков шириной0,18-1,2 мкм.Удаление высоколегированного...

Номер патента: 1499602

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Исаев, Кастрюлев, Шамардин

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...к еще более нежелательномупрофилю легированця, а следовательно, к уменьшению эффективности эмггтера в объеме полупроводника посравнению с поверхностью и снижегзигоусилительных свойств транзисторов.В конкретном примере козгичествопримеси в подложке регулируется дозой и энергией ионов. Так, при использовании барьерного слоя Бз.О толщи 2ной 0,27 мкм для внедрения в подложку 16 примеси используется ионныйпучок с энергией "66,5 кэВ, а длявцедрегня 50 . примеси энергия пучкасоставляет .- 86,3 кэВ.Пример конкретного исполнеггия способа,Па полупроводниковой подложкекремния и-типа проводимости с удельным сопротивлеггем р = 0,3 Ом смц с ориентацией поверхности вдолькрзсталчографгческих осей плоскости(100) Формируют барьерцьд слой двуокиси...

Номер патента: 950113

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Гальцев, Глущенко, Грищук, Красножон

МПК: H01L 21/306

Метки: быстродействующих, структур, транзисторных

...Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 при температуре 940 С с последующей термической обработкой в среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода ( 1150 С) формируют базовую область глубиной 4 мкм с маскирующим ее диэлектри ческим покрытием двуокиси кремния,Далее фотогравировкой вскрывают в слое 3102 окно, через которое загонкой фосфора из РСз при температуре 1050 С с последующей термической обработкой в 10 среде кислорода (т 1050 С) формируют внутри базовой облас.ги эмиттерную область глубиной3 мкм с диэлектрическим покрытием двуокиси кремния, легированной фосфором, 15После этого закрывают лицевую поверхность подложки со сформированными на ней базовыми эмиттерными...

Номер патента: 1505358

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Еремич, Жариков, Колесников, Сосницкий

МПК: H01L 21/82

Метки: полупроводниковых, структур

...взаимодействия атмосферной влаги с фосфором и образования фосфорной кислоты, При концентрации фосфора менее 25 мас,Е наблюдается растрескивание слоя ФСС от послепуиекго отжигв.Данный способ позволяет повысить эхЬектцнцость зашиты полупроводниконых структур от воздействия повьппен" ной влажности,Ф о р м у л в и э о б р е т е н и я Составитель В.ГришинРедактор Л.Народная Техред Л.Олийнык Корректор Л,Бескид Подписное Тираж.Заказ 2835 ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5Г 1 рсиэнодственио-иэдательскцй комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 3 150535 Увеличение толщины ФСС более 0,7 мкм цецелесообраэно, так как увеличивается вероятность растрескивания иээа...

Номер патента: 1145838

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Котов, Красножон, Медведков

МПК: H01L 21/265

Метки: вч-транзисторных, структур

...ионной имплантации ннеде 11 ие только взащитный диэлектрический слой надместом выхода р-и-переходз 1 д поверхность примеси, противоположной повоздействию на знак заряда в упомянутом окисле или знаку встроенного зарлда приводит к компенсации встроенного здрлда н окисле и устранениювозможности возникновения поверхностных каналов, что в случае транзисторной структуры уменьшает кривизну выходящего на поверхность слоя объемного зарядд, приолиждет характеристикипроводимости материала подложки вприпонерхностном слое к объемным иуменьшает токи утечки при увеличениипробивных напрлжений н основном коллекторного перехода за счет уменьшения плотности поверхностных токов инжекции и устранении причин термической неустойчивости и вторичного...

Номер патента: 897058

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Булгаков, Красножон

МПК: H01L 21/385

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

...в виде трещин и пор тер- змомеханическими напряжениями в слоеокисла, выращенном на сильно развитой,острорельефной матированной поверхности кремния глубиной рельефа одного по- арядка и выше толщины выращенногоокисла,Поскольку образование рельефа на про- Офтравливаемой поверхности кремния опре-,деляется наличием на нейприповерхностных нарушений стРуктуРы имеханическими напряжениями (после различных обработок), то для увеличения равномерности распределения скрытыхдефектов по поверхности схем, пластиныперед матирующим травлением подвергаютвоздействию потока ионов (например, окнавскрывают ионным, ионно-химическим илиплазмохимическим травлением) или допол- - фнительному воздействию электронов (например, электронно-лучевой...

Номер патента: 867224

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: структур, транзисторных

...в кислороде с аргоном на установке УВПосуществляют плазмохимическое осаждение маскирующего диэлектрического покрытия в двуокиси кремния толщиной 0,5 мкм, Фотогравировкой вскрывают эмиттерное окно 7 и плазмохимическим способом в течение 5 мин во фреоновой плазме хладона 14 (тетрафторид СР 4) под давлением 44 Па, используя маскирующие свойства фоторезиста, вытравливают примесный слой 8 на глубину, большую глубины его залегания на 0,45 мкм. После снятия фотореэиста и отмывки пластин в перекисно-аммиачной смеси производят термическую разгонку базового примесного слоя 9 при температуре 1150 С вначале в сухом кислороде в течение б мин, а затем в нейтральной азотной среде до глубины 4 мкм. После стравливания тонкого слоя двуокиси кремния с...

Номер патента: 1050475

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...над элементами ной канавкой 13.структуры подложки и в разделительных П р и м е На пол ир и м е р, а полупроводникоои.от 5 до 5 мкм. вые пластины кремния 1 с интегральл и сводникКроме того, травящая среда для по- ными структурами 3 после Форм ру р , овой подложки не должна 15 ния металлизированной разводки 5 изи овавоздействовать на открытое маскирую- алюминия методом плаэмохимическогот бщее диэлектрическое покрытие, Таким осаждения наносят " " 6тре ованиям отвечает указанное в спозащитныи слои особе идвуокиси кремния в режиме: темпера"со е плазмохимическое травление, но тура подложки Т = 200+10 Сне в полной ме ео ожки = + , давлениеой мере, поскольку диэлект О кислорода Р = (2-2,5) Па с добавлеием моносилана до давления 25...

Номер патента: 1827694

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Никулов

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, кремния, слоев, структур, эпитаксиальных

...р,- р- области,приложенный к и+и области положительныйпотенциал относительно катода оказывается более низким по сравнению с потенциалом рр+,г р",;" р - области, Это приводит ктому, что во время проявления шлифа и-область структуры не изменяет окраску, а и+область окраску цвета изменяет вследствиеболее легкой окисляемости.Таким образом после проявления шлифа окрашенными являются и", р, р+ рслои. Неокрашенными остаются и-, р слои. Соседствующие р и р -слои имеютразличную окраску и могут быть измереныраздольно.Время выдержки структуры в растворебез подачи напряжения, равное 1 - 3 с,берется минимальным, поскольку естественный окисел, толщина которого не более50 А стравливается практически мгновенно.Нижний предел электрического напряжения...

Номер патента: 1160895

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кремниевых, полупроводниковых, структур

...воздухом. Следующей после нддрездния чисткой5 11удаляют продукты надрезания и буртикс поверхности подложки, а также удаляют поверхностный дефектный и загрязненный слой маскирующего диэлектрического покрытия двуокиси кремния,Отсутствие специальной операциинанесения защитной маски, а такжеочистки подложки от продуктов скрайбирования маскирующего диэлектрического покрытия и мгталлизированной разводки в одном технологическомцикле упрощает способ и сокращаетвремя его проведенияП р и м е р, Полупроводниковуюподложку кремния толщиной 250 мкми-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическомуокислению при температуре 1150 С втечение 3 ч, Процесс проводят в ком"Ьинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода...

Номер патента: 1114242

Опубликовано: 15.07.1993

Автор: Глущенко

МПК: H01L 21/331

Метки: высокочастотных, структур, транзисторных

...нитрида кремния; на Фиг,2 показаны полупроводниковая подложка,высокоомный п-слой, маскирующее поверхность покрытие, образующее выступ между высоколегированными областями противоположного подложке типапроводимости, составляющей 0,2-1,0от максимальной толщины разогнаннойвнешней базы; на Фиг.3 показаны подложка, высокоомный слой, маскирующеепокрытие, разогнанные внешние базовыеобласти с маскирующим диэлектрическим покрытием и активная база, созданная разгонкой примеси из легированных областей до.их смыкания; нафиг. 1 - показаны подложка, высокоом 1ный слой, внешняя база, активная базаи эмиттерная область; на Фиг,5 - показана завершенная высокочастотнаятранзисторная структура, включающаявысоколегированную полупроводниковуюлсподложку и...

Номер патента: 980568

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Глущенко, Колычев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур

...на общей полупроводниковой подложке структур друг от друга.П р и м е р, Полупроводниковую подложку кремния 1 и-типа проводи" мости, служащую коллектором, подвер" гают термическому окислению при тем" пературе 1150 С в течение 3 ч. Процесс проводят в комбинированной среде сухого и. увлажненного водяными парами кислорода, выращивая маскирующее дизлектрицеское покрытие 2 двуокиси. кремния БхО. 8 результате получают пленку толщиной 0,8 мкм, достаточной для маскирования подложки 1 от последующих операций диффузии и селективного травления кремния. Через вскрытое Фотогравировкой окно в покрытии 2 Формируют базовую область. 3; например, термической загонкой бора из борного ангидрида ВОз с последующей его разгонкой при температуре 1150 С...

Номер патента: 1542337

Опубликовано: 15.07.1993

Авторы: Алексенко, Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/441

Метки: полупроводниковых, структур

...размеры и плотность бугорков9, на Фиг, 3 - указаннал структурапосле стравливанил (планаризации)бугорков, на Фиг. 4 - структура- . 25Фиг, 3 после окисления алюминиевойразводки 6 в порах 8 диэлектрическогопокрытия (9 " окись алюминия),П р и и е р конкретного осуществления способа. 30На полупроводниковую подложку сосформированными элементами структур1-11 вакуумным осанденем на установке УВН-П 2 наносят алюминийтолщиной 12 икм. Затем Формируют металлизированную разводку 6 полупроводниковых структур, наносят диэлектрическое покрьтие 7 например двуокиськремния, толщиной 0,2. мкм методомокисления ионосилана в кислороде при 4050 С. Перед нанесением диэлектрикавозможна пассивацил поверхности ме.тагла, например,...

Номер патента: 1835486

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Рыбалко

МПК: G01B 15/02

Метки: структур, толщин, тонкопленочных

...4,2. После чего по сигналу, имеющему меньшую зашумленность, оце нивают толщину оксидного слоя, заполняющего карман в подложке, Оценка может осуществляться сравнением с эталоном или по номограммам. Более достоверный результат получают, используя эталон, В этом 10 случае в качестве эталона берут структуру, представляющую собой кремниевую подложку со сформированным на ее поверхности клинообразным оксидным слоем,Другой пример заявленного способа "5 предусматривает определение толщины островной пленки серебра, нанесенной на молибденовую подложку. Такая структура является основой серебряно-цезиевых фоточувствительных автоэмиссионных пле ночных систем. В связи с тем, что размеры островков серебра не превосходят десятых долей микрометра,...

Номер патента: 1836927

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Авдошин, Андрюхин, Борисенко, Родоман

МПК: A61B 17/00

Метки: аномалий, лечения, структур, уретры

...подкожно вблизи предполагаемого участка резекции уретры. 7.12.89 г. произведена резекция уретры длиной 5 см. Острым путем выделен вновь сфо)мированный участок уретры, удален пластиковый интубатор. Сформированный участок уретры на питающей ножке помещен вместо реэецирбванного участка. С обеих сторон произведен анастомоз конец в конец отдельными хромкетгутовыми швами. Использован хромкетгут 4/О/ на атравматической игле. В течение 6 суток мочевой пузырь дренировали мочеточниковым катетером М 6 по Шарьеру. В дальнейшем восстанавливалось естественное мочеиспускание. На 20-е сутки после операции произведена терроградная уретрография. Уретра проходима, стриктур, свищей в местах анастомоза не выявлено. Собака усыплена, приготовлен...

Номер патента: 1838025

Опубликовано: 30.08.1993

Автор: Олаф

МПК: A61F 2/28, B22C 3/00, B22C 7/02 ...

Метки: металлических, открытыми, структур, ячейками

...кромки. Более крупные поры делают возможным на основании своего выбора размеров врастание костных перекладин также в их пространственную глубину. Острокромочность получается из-за того, что вероятность у заготовки позитивной модели разделения более крупных пор значительно больше, чем у заготовки позитивной модели из полимерной подложки с более мелкими порами. Острокромочность наружной поверхности структуры с открытыми ячейками у имплантатов кости стимулирует врастаниекости в структуру с открытыми ячейками,Наряду с этим, возможно и выгодно применение полученных предлагаемымспособом структур также, например, в качестве фильтра в виде искусственной почки. Способ согласно изобретению может после сшивки двухкомпонентного силикона.Для...