Патенты с меткой «диэлектрик-полупроводник»

Номер патента: 1418628

Опубликовано: 23.08.1988

Авторы: Вайшнорас, Монтримас, Сакалаускас

МПК: G01R 29/12

Метки: диэлектрик-полупроводник, заряда, объемного, распределения, структуре

...распределенияобъемного заряда в структуре диэлект"рик - полупроводник заключается в следующем,Бесконтактным компенсационным методом (фиг. 1) измеряют потенциал 11, З 5возникающий между поверхностью полупроводника 1, еще непокрытого диэлектрическим слоем, и измерительным электродом 3, термодинамическая работа выхода Е которого известна, Далее определяют абсолютный изгиб приповерхностных зон у полупроводника 1(фиг. 2) по выражению1Ц =- (Е +Е -д Е- Е ) -11с ом Ок первую компоненту зарядаЦ (0) =2 /3 чп Д 1 (е 1) + (е1) ++О- -)у 3 Ц (2)Па данному способу, а также по из Омерению вольтфарадных характеристики определению заряда аналогичных образцов, установлено, чта плотностьобъемного заряда, возникающего в диэлектрическом слое на...

Номер патента: 1424643

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Балин, Гузев, Шкляев

МПК: H01L 21/316

Метки: антимонида, диэлектрик-полупроводник, индия, основе, структур

Способ получения структур диэлектрик - полупроводник на основе антимонида индия, включающий очистку поверхности полупроводниковой подложки, формирование потока молекул окиси кремния в атмосфере кислорода при давлении от 1,15 до 4,0 Па, зажигание ВЧ-разряда с плотностью мощности от 0,3 до 1,0 Вт/см2 на электроде с подложкой, охлаждение на подложке пленки двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств структур за счет уменьшения влияния высокочастотного газового разряда, перед зажиганием газового разряда осаждают подслой двуокиси кремния толщиной от 150 до при температуре от 293...

Номер патента: 1840192

Опубликовано: 10.08.2006

Авторы: Алехин, Варламов, Дрозд, Емельянов

МПК: H01L 21/31

Метки: диэлектрик-полупроводник, кадмий-ртуть-теллурид, создания, структуры

Способ создания структуры диэлектрик-полупроводник кадмий-ртуть-теллурид, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки анодного окисла и последующее нанесение в вакуумной камере слоя сульфида цинка, отличающийся тем, что, с целью повышениях стабильности характеристик структуры, слой сульфида цинка наносят циклично при температуре подложки 10-60°С, давлении паров диэтилцинка и сероводорода в вакуумной камере не менее 5 мм рт.ст и выдержке не менее 0,1 с.

Номер патента: 1840208

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Васенков, Емельянов, Чегнов, Чегнова

МПК: H01L 21/265

Метки: iiвvi, диэлектрик-полупроводник, структур, типа

Способ изготовления структур диэлектрик - полупроводник типа АIIВVI, преимущественно Cdx Hg1-x Tl, где х=0,2-0,3, включающий анодное окисление поверхности полупроводниковой пластины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур, перед анодным окислением поверхность пластины подвергают ионному легированию до концентрации 1014-1016 см-2 элементом второй группы периодической системы, порядковый номер которого не превышает наименьшего порядкового номера элемента второй группы, входящего в состав соединения АII ВVI, а анодное окисление проводят на глубину залегания легированного...