Способ определения характеристик варизонных полупроводниковых структур

Номер патента: 773792

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Бойко, Панасюк

МПК: H01L 21/203

Метки: варизонных, гетеростуктур, полупроводниковых

...воздействием на область перекрытия молекулярных потоков и достигают изменением одного из параметров: геометрияиспарители-подложка, скорость конденсации испаряемых материалов, скоростьдвижения подложки.Предлагаемый способ полученияполупроводниковых варизонных гетероструктур иллюстрируется примерами.П р и м е р 1. Получение полупроводниковых гетероструктур, образованных материалами А 5 е 9 и Аь 5,:Исходные материалы загружают вразличные испарители, разогретыедо 390 С и 370 ОС соответственно, которые обусловливают определеннуюскорость испарения. Испаряемый материал конденсируется на движущуюсяподложку. Расстояние между испарителями устанавливают равным 5 см, аиспарителей до подложки - 2 см. Привыбранной геометрии расположения искорости...

Номер патента: 905645

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Гибадулин, Зудков, Кузнецов, Пантуев, Стрижнова

МПК: G01B 21/08

Метки: многослойных, структур, толщины

...блок 7 идентификации, блок 8 памяти, блок 9 анализа решений, регистратор 10. Блок 7 идентификации, в свое оче- ,щ редь, содержит задатчик 11 толщины слоев, блок 12 вычисления коэффициента отражения, блок 13 сравнения.Устройство работает следующим оС- разом. 45Поляризатор 2 с угловым кодировщиком 3 устанавливается в положение, обеспечивающее р- или я-поляризацию излучения источника света 1.Отраженное от многослойной структуры 1 поляризованное излучение поступает в спектрофотометр 5 с кодировщиком 6 длин волн, Сигнал с выхода спектрофотометра 5 поступает через третий вход блока 7 идентификации на вход блока 13 сравнения, где сравнивается с кодом коэффициента отражения, вычисленного е блоке 12.8 ычисление производится известным 5 фспособом...

Номер патента: 624180

Опубликовано: 15.09.1978

Авторы: Голынная, Приходько, Соболев, Хоменко

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, характеристик

...прибора.Цель достигается тем, что по предлагаемому способу стабильность опре- ,деляют по разности двух значений фото.-ЭДС при освещении перехода между замерами излучением мощностью, не ни624180 2 4 г же чем в 10 раз превыаающей мсхцность облучения при измерениях.Способ осуществляется следующим образом.После изготовления р .- Н -переходов на пластине полупроводника измеряется величина фото-ЭдС при освещенности Б 1 поверхности прибора, затем освещенность поверхности вбли." зи р -И -перехода увеличивают до зна чений Е ф (10+15). Е 1 на время, которое одного порядка со временем релаксации заряда на поверхностных состояниях. После этого проводится повторное измерение фото-ЭДС при освещенности Е 1 поверхности прибора. Величина...

Номер патента: 669299

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Борисов, Пучков

МПК: G01R 31/26

Метки: полупроводниковых, приборов, снятия, характеристик

...устройства 10 подключен непосредственно ко входу вертикального отклонения второго луча осциллографа 9 и через блок 11 формирования меток ко входу модуляции яркости осциллографа 9, вход горизонтального отклонения которого подключен к выходу генератора нарастающего напряжения.Устройство работает следующим образом Сигнал, представляющий собой медленно нарастающее напряжение с наложенной 1 О на него малой высокочастотной составляющей с генераторов 1 и 2 через сумматор 3 подается на испытуемый прибор, Напряжение, пропорциональное току через него, снимается с резистора 4 и после фильтрации15 усиления и детектирования блоками 5 - 8 преобразуется в напряжение, пропорциональное дифференциальной проводимости испытуемого прибора....

Номер патента: 871103

Опубликовано: 07.10.1981

Автор: Рожков

МПК: G01R 31/26

Метки: диодов, полупроводниковых, прямых, термокомпенсации, характеристик

...диоду,На фиг. 1 представлена функциональная схема предлагаемого устройствана фиг. 2 - вариант принципиальнойсхемы устройства с элементами заданиярежимов опорного диода и вычитающегоустройства, в качестве которого может 1 обыть использована схема на основе операционного усилителя с дифференциальным входом.Предлагаемое устройство (фиг. 1):соцержит генератор тока 1, опорный 15диод 2, вычитающее устройство 3 итермокомпенсируемый диод 4Ток генератора 1 проходит практически полностью через опорный диод 2, создавая опорное напряжение, поступающее2 оНа первый вход вычитающего устройства3, на второй вход которого подаетсянапряжение смещения О смС выхода вычитающего устройствана вход термокомпенсируемого диода 4поступает напряжение 0 В =(.1 о-...