Оптоэлектронное постоянное запоминающееустройство

,Ч,1 Заяв инением заявки Л ис иоритет Комитет по делам иаобретеиий и открыти ори Совете Министров СССР:681.327.6 Опубликовано 26.Ч 11,1969. Бю Дата опубликования описания 11.19 Авторы зобретенияЗаявител иная инженерная академия им зержинского ТОЭДЕКТРОННОЕ ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩ УСТРОЙСТВОИзобретение относится к области оптоэлектроники и вычислительной техники.Известно постоянное оптоэлектронное запоминающее устройство, содержащее матрицы фотоизлучателей и фотоприемников, выполненные на р - л-структуре с:проводящими горизонтальными и и вертикальными шинами.Предложенное устройство отличается тем, что в матрице фотоприемников базовая область выполнена общей для всех элементар ных фотоприемников и подсоединена к точке с постоянным электрическим потенциалом, а р - и-переходы выполнены в виде пятен, причем каждый фотопривмник соединен в соответствии с записанной информацией проводя щими перемычками с разрядными шинами, расположенными на наружной поверхности матрицы фотоприемников.Предложенная конструкция устройства позволяет не вводить специальный электрический 20 экран между матрицей излучателей и матрицей фотоприемников за счет заземления (подключения к точке схемы с постоянным электрическим потенциалом) общей - базовой (прозрачной) области фотоприемной матрицы, 25 что упрощает конструкцию оптоэлектронной матрицы и позволяет уменьшить расстояние от излучателей до фотоприемников, т. е. снизить оптические потери, Кроме того, выполнение внешних совдинвний упрощает процесс 30 смены информации. На чертеже представлено описываемое оптоэлектронное постоянное запоминающее устройство в разрезе, содержащее: матрицу излучателей 1, матрицу фотоприемников 2 с базовой областью 3, коллекторными областями 4 элементарных фотоприемников, с контактными перемычками 5 и выходными разрядными шинами б.Матрица излучателей выполнена на арсенидгаллиевой пластине с р - а-структурой. и- область является общей для всех излучателей, р - л-переходы имеют конфигурацию пятен. Электрические контакты от р-областей элементарных излучателей объединены входными шинами:по столбцам матрицы,Матрица фотоприемников 2 выполнена на крвмниевой пластине с р - п-структурой. Базовая (прозрачная) область 3 матрицы является общей и подключена к точке схемы с постоянным электрическим потенциалом. Электрические контакты коллекторных областей 4 элементарных фотоприемников расположены с наружной стороны матрицы и, в соответствии с кодами храстимых чисел, с помощью проводящих перемычек (5) подключены к выходным (разрядным) шинам матрицы фотоприемников. Элементарные фотоприемники, подключаемые к одной разрядной шине, образуют строку матрицы.Процесс считывания информации заключается в том, что на один из столбцов матрицыЗаказ 3789/11 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква )К, Раушская аб., д. 4/5 Типография, пр, Сапунова, 2 излучателей подается импульс тока, который гпреобразуется в р - гг-переходах излучателей выбранного столбца в световые импульсы. Достигая поверхности р - гг-переходов элементарных фотопр нем ников, соответствующих выбранному столбцу, световые импульсы вызывают йыходнь 1 е "фотосигналы на контактах коллекторных дбластей фотоприемников. Есги данный контакт соединен с помощью проводящей перемычки с выходной (разрядно) шиной матрицы фотоприемников, то с шины считывается сигнал 1. Если контакт коллекторной области соответствующего элементарного фотоприемника не подключен к выходной шине, то с шины считывается сигнал О.Поскольку общая (базовая) область матрицы фотоприемников, подключенная к точке схемы с постоянным электрическим потенциалом, расположена между токопроводящими цепями матрицы излучателей и выходными цепями матрицы фотоприемников, то паразитпая ем костная св 11 зь менгду тказан ними элекг)1 ческии цсп 51 ми пракгически сведена и мР 1 п 1 гмуму. П р едм ет изобретенияОптоэлектронное постоянное запоминающееустройство, содержащее матрицы фотоизлучателец и фотоприемников, выполненные на р - п-структуре с проводящими горизонталь ными и вертикальными шинами, отличающееся тем, что, с целью упрощения и уменьшения емгкостных помех, в матрице фотоприемников базовая область выполнена общей для всех элементарных фотоприемников и подсоедине на к точке с постоянным электрическим потенциалом, а р - гг-переходы выполнены в виде пятен, причем каждый фотопрпемник соединен в соответствии с загшсанной информацией проводящими перемычками с разрядными ши.20 нами, расположеннымР на наружной поверхности матрщы фотоприемников.