Острецова
Способ получения триплоидных растений люцерны
Номер патента: 1595408
Опубликовано: 30.09.1990
Авторы: Мазин, Мазур, Новоселов, Острецова, Соложенцев
МПК: A01H 1/06
Метки: люцерны, растений, триплоидных
...и подвергают обработке методом вакуумной инфильтрации 5 мин при 50 мм рт,ст. 30 После обработки соцветия промывают в проточной воде 1-3 мин, При развитии из бутонов зрелых цветков проводят искусственное самоопыпение (люцерна - аутогамное растение). Полу 35 ченные семена высаживают, и среди развивающихся из них растений выявляют триплоиды.Результаты опытов, представленные в таблице, свидетельствуют о получении данным способом триплоидов в ко" личестве, достаточном для селекционных целей. Данный способ может быть применен для получения триплоидов люцерны, картофеля и других сельскохозяйственных культур, имеющих виды и формы с тетраплоидным набором хромосом,Ф о р м у л а. и з о б р е т е н и я1. Способ получения триплоидныхрастений...
Способ получения мутантов и миксоплоидов клевера лугового в защищенном грунте
Номер патента: 1470251
Опубликовано: 07.04.1989
Авторы: Заруцкая, Мазур, Новоселов, Острецова, Ошанина
МПК: A01H 1/04
Метки: грунте, защищенном, клевера, лугового, миксоплоидов, мутантов
...числа хромосом) существуют четкие критерии, такие как диаметр пыльцевых зерен, количество хлоропластов в замыкающих клетках устьиц и др. В связи с этим способ .испытан на миксоплоидах Со для создания тетраплоидного образца Р 2.1470251 живаемость проростков, ускорить созданиемутантов и миксоплоидов. Та блица 1 Отклоне- фертильРастений Ч,.с апиЧВысотарастений,смх+-с 0,5 Ях Среднее Концентрация НУК,% Количест во междоузлий,штх+- 0,5 Ях ние от81 ность кальным значение инпыльцы,домини- рованием, % дексах Бс 84,9 +0,58 90,1 +0,73 92,1 +0,78 95,6+0,75". 93,9 +0,72 90,3 +0,46 92,4 +0,46 92,3 2,76 334 3,49 3,54 3,51 4,48 3,22 3,22 3,8+0,19 3,8+0,2 3,9+0,2 4,1+0,12 4,3+0,15 3,7+0,18 4,1+(,12 3,6+0,26 19,7 42,2+2,4 16,4 40,1 ф 2,4 16,2 39,1+2,1...
Рентгеноконтрастное средство для окклюзии
Номер патента: 1440498
Опубликовано: 30.11.1988
Авторы: Адамян, Буриев, Данилов, Делазари, Жданов, Карапетьян, Острецова, Саввина
МПК: A61K 49/04
Метки: окклюзии, рентгеноконтрастное, средство
...вещество 15; пластификатор - остальноедо 1003. Введено 15 см окклюзнрующего средства. Время сохранения текучести 7 иин. Послеоперационный период протекал без осложнений. Свищзакрылся. Больная выписана в удовлетворительном состоянии. При контрольном обследовании через 3 мес.после операции на рентгенограммах :".контрастировалась киста, заполненнаяокклюзирующим средством.П р и м е р 3, Больной поступилс диагнозом - наружный панкреатический свищ. При фистулографии выявлялась дистальная часть главного панкреатического протока. Количествоотделяемого по свищу составляло долечении наружных панкреатическихсвищей, кист и опухолей поджелудочной железы,5Таким образом, применение предлагаемого рентгеноконтрастного средства для окклюзии...
Способ выращивания костреца безостого в защищенном грунте
Номер патента: 1416086
Опубликовано: 15.08.1988
Авторы: Заруцкая, Козик, Мазур, Новоселов, Острецова, Ошанина, Смурыгин, Соложенцев
МПК: A01G 31/00
Метки: безостого, выращивания, грунте, защищенном, костреца
...на 153. В период индукции круглосуточнаяотемпература 17 С снижает урожай семян с растения на 457., способствуя образованию большего числа недоразвитых малоцветковых соцветий (285 по сравнению с 14,3). В доиндукционный период: снижение длины фото- периода до 16 ч, освещенности - до 17 тыс,лк ингибирует на 3 сут скорость образования листьев на основном побеге; снижение среднесуточной темопературы днем до 21 С и ночью до 18 С на 5 сут тормозит темпы образования корневищных побегов. Повышение длины Фотопериода до 20 ч, освещенности до 23 тыс. лк, среднесуточной дневной температуры до 28 С ночной -оУ до 23 С не ускоряет сроки развития растений в доиндукционный период и не увеличивает конечную урожайность, а требует значительного повышения...
Способ выделения стронция из растворов
Номер патента: 1173600
Опубликовано: 15.02.1986
Авторы: Андреева, Жданов, Острецова, Чернявская, Шубаева
МПК: B01J 20/16, C02F 1/28
Метки: выделения, растворов, стронция
...является обеспечение возможности выделения стронция из насыщенных солеаых растворов.П р и м е р 1. Раствор, содержащий 290 г/л хлористого натрия и6Бгв количестве 5 10 Бк/л, контактируется с цеолитом КС=13 типа калиевого шабазита с отношением 810 /И, О, 2,1, Коэффициент распределения 1,5ОП р и м е р 2. Раствор, содержащий 765 г/л азотнокислого натрия и Бгв количестве 5 10 Бк/л, кон 6тактируется с цеолитом КС=13, в котором отношение БдО/А 1 Оз 2,05.з1Коэффициент распределения 5,5 ф 10П р и и е р 3. Раствор, содержащий 290 г/л хлористого натрия и стронция 43,8 мг/л, контактируется с цеолитом КС-"13, в котором отношение БО /А 1. Оз=2,1, при этом коэффициент распределения равен 7,2 10,П р и м е р 4. Раствор, содержащий 290 г/л...
Способ выращивания клевера лугового в защищенном грунте
Номер патента: 1184474
Опубликовано: 15.10.1985
Авторы: Заруцкая, Мазур, Новоселов, Острецова, Ошанина, Смурыгин
МПК: A01G 1/00
Метки: выращивания, грунте, защищенном, клевера, лугового
...соцветий в среднем на 10 - 15% от общего количества, выращенных при предлагаемом режи ме. Увеличение длины фотопериода на этом этапе развития растений до 20-24 ч с одновременным повышением интенсивности освещения до 30 - 35 тыс лк вызывает фасциацию стеблей, Снижение фотопериода менее 16 и в фазу цветения-созревания отрицательно сказывается на переход растений в фазу цветения бутонизируюших соцветий. Повышение фотопериода более 17 ч способствует формированию малоцветковых соцветий.Снижение среднесуточной температуры в фазу всходов-стеблевания до 23 С задерживает наступление фазы стеблевания на 7 - 10 сут, а в комплексе с уменьшением фото- периода и интенсивности освещения наступление этой фазы задерживается на8 - 20 сут. Повышение...
Способ выплавки углеродистого феррохрома из магнезиальных хромовых руд
Номер патента: 968092
Опубликовано: 23.10.1982
Авторы: Жило, Мизин, Острецова, Чарушникова
МПК: C22C 33/04
Метки: выплавки, магнезиальных, руд, углеродистого, феррохрома, хромовых
...процессов.Увеличение отношения МдО/А 10 з 2,55 ведет к росту температуры кристаллизации шлаковых расплавов за счет выпадения высокотемпературных фаз алюмо- и хромомагнезиальной шпинели и неусвоенной окиси магния (периклаза), что приводит к гетерогенности шлаков, сужению интервала текучести, ухудшению их физико-химических свойств и повышению расхода электроэнергии на их расплавление.Снижение отношения МдО/А 1 Оз 2,40 вызывает рост вязкости шлаков за счет усложнения их структуры, что затрудняет коагуляцию капель металла и сопровождается снижением извлечения хрома.Снижение 810 30/ц ведет к повышению вязкости. Повышение ЯО 32/с также отрицательно сказывается на вязкостных свойствах шлаков.Таким образом, рекомендуемое соотношение...
Способ выращивания люцерны в контролируемых условиях
Номер патента: 933053
Опубликовано: 07.06.1982
Авторы: Заруцкая, Летягин, Мазур, Мельников, Новоселов, Острецова, Ошанина, Серебрякова, Смурыгин
МПК: A01H 3/00
Метки: выращивания, контролируемых, люцерны, условиях
...7,5 до 8,0 г семян. На каждый мп. теплицы получают 90-99 г семян в течение одного года, тогда как в полевых условиях с 1.м в течение двух лет получают 10-20 г семян.Урожай семян, равно как и длина фотопериода, сохраняется близкими к расчетным при интервалах фотопериода 17-19 ч. Снижение фотопериода приво ф дит к понижению продуктивности, Повышение фотопериода до круглосуточного приводит к значительному увеличению стоимости выращивания одного поколения: при 18-часовом фотопериоде сто имость одного поколения составляет 50-175 руб, а при 24-часовом фото" периоде - 272 руб.Интенсивность освещения 15-50 тыс. лк. Интенсивность освещения фф 50 тыс. лк имеет место при полуденнок солнцестоянии в летние месяцы. При естественной интенсивности...
Прибор для определения газообразующейспособности tecta
Номер патента: 800873
Опубликовано: 30.01.1981
Авторы: Гажалова, Гинзбург, Корастелева, Острецова, Пучкова, Ушничкова, Шейнин
МПК: G01N 33/10
Метки: tecta, газообразующейспособности, прибор
...2, через которые поступает вода для поддерживания постоянной температуры, на разъемной крышке 3 укреплена стойка 4 с блоком 5, через который переброшен шланг 6, одним концом соединенный с цилиндрическим сосудом, открытым снизу и погруженным в тесто до соприкосновения поверхности теста с кольцом 8, укрепленным на сосуде 7, Другим концом шланг 6 соединен с трубкой 9, помещенной под стеклянным градуированным мерником 10, опущенным80087 3 ПИ Заказ 10410/59аж 918 Подписное в резервуар 11, заполненный жидкиммаслом 12 . Масса цилиндрического сосуда 7 с кольцом 8 уравновешена грузом 13, укрепленным на шланге 6 . Длясоздания разрежения на шланге 6 имеется тройник 14 с краном 15, подсоединенный к насосу Шинца 16 . На блоке5 укреплена стрелка 17, а...
Клей
Номер патента: 785336
Опубликовано: 07.12.1980
Авторы: Зубкова, Острецова, Пашаева, Петько
МПК: C09J 3/16
Метки: клей
...кокомпозиции позволяет посущности и достигаемому результату щ лучать токопроводящие клен, превосЭк предложенному клею является клей ходящие зару" будежные образцы по прочлачн ю сПОН43 включающий эпоксиново- ности н и 20 сС 3у смолу, отвержденную отвердите- в 2,5 раза, Предложенный клей не ус 1031 обл ает нелем аькнного типа, Однако клей эпОн- тупает клею Д Д- по сохранению элекными ха аладает невысокими прочност- жв трических характеристикарактеристиками в интервале эксплуатации БИС. Эжв в условияхтемператур от 20 о 150и . то позволяет предкостью к влаге.т до С, и выше, стой приятиям электронной промышленненностиЦелью изовыпускать БИС с применением отечестние п очностелью изобретения является повыше- венного токопроводядящего клея,...
Способ изготовления каркаса для запоминающихматриц
Номер патента: 251624
Опубликовано: 01.01.1969
Авторы: Вецпер, Нестеров, Острецова, Ошарин, Шахнов
МПК: G11C 5/04
Метки: запоминающихматриц, каркаса
...матриц Пр едм е з о бр ете ни Способ изготовле ющих матриц на ц пленках, основаннь ложку диэлектричес присоединением заявкиПриоритет Изобретение относится к технологии изготовления оперативных запоминающих устройств электронных вычислительных машин.Известны способы изготовления каркасов для запоминающих матриц на цилиндрических 5 магнитных пленках, основанные на укладывании на подложку диэлектрических пленок с размещенными на них управляющими шинами и формообразующих нитей и последующим удалением формообразующих нитей. 10Однако такие способы достаточно сложны.Предложенный способ отличается тем, что диэлектрические пленки огибают вокруг формообразующих нитей и в промежутках между формообразующими нитями скрепляют, напри мер,...