Способ изготовления интегральных ферритовых элементов памяти

Номер патента: 205884

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Беккер, Берг

МПК: G11C 11/06

Метки: памяти, элементов

...бласти, окрутения редмет изо амяти на гания отрным лу, отличия способа памяти в ут в востов п выжи , лазе о слоя ощени нтов й вед Спо ерр ерст чом, с витий и уве стано Зависимое от авт. свидетельс Известен способ изготовления элементов памяти на ферритовой пластине путем выжигания отверстий в пластине, например, лазерным лучом, с нанесением проводящего слоя,Описываемый способ отличается тем, что 5 выжигание отверстий ведут в восстановительной газовой среде, что позволяет упростить способ и увеличить плотность элементов памяти в пластине.На чертеже изображена многоотверстная 10 ферритовая пластина с элементами памяти, полученными описываемым способом.Ферритовая пластина 1 помещается в восстановительную газовую среду (водород, окись...

Номер патента: 238596

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бекин, Иль, Рудаков

МПК: G11C 11/08

Метки: двухдырочный, памяти, ферритовогоматериала, элемент

...пр, Сапунова,ла в обмотке 8 - 9. Если ампер-витки опроса не превышают определенной величины, то по окончании импульса тока опроса поток в тороиде 1 восстанавливается до значения, близкого к первоначальному, за счет обратимых процессов изменения намагниченности. При последуюгцих опросах устанавливается такой режим, когда дальнейшего уменьшешя потока в тороиде 1 не происходит.Важной особенностью предлагаемого элемента памяти является то, что при значительном увеличении ампер-витков опроса невозможно изменить направление остаточного готока записи, так как насыщение тороида 2 происходит раньше, чем изменение направления потока в тороиде 1. Пусть теперь в элементе записан нуль, т. е, остаточный поток записи направлен противоположно...

Номер патента: 173028

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Лашевский, Нтн, Тамарченко

МПК: G11C 11/00, G11C 11/06

Метки: многоотверстной, памяти, ферритовойпластине, элемент

...пров вод 7 пропущены через мента. Отверстия 3 и 5 лем магнитного потока. являетда пропары, а огранияет по- устойчини П редмеЭлемент памятиритовой пластинечерез которые провой провода, отличповышения быстрочивости его работпровода пропущенкаждой пары, аограничителем маг рстно и от дный что, ента нс а па мяти.Элемверстно мент и Ширин (4 5) ы на мн 1. Каждь ий 2, 3 и ерстиям юй,вели енты памяти выполне 1ферритовой пластине меет две пары отверсперемычки между от предел я ется необходи огоотй эле 2, 3чиной ти а. одписная группа17 Известны элементы памяти на мностной ферритовой пластине с двумяотверстий, через которые пропущеныный и числовой провода.Отличием предложенного элементася то, что числовой и разрядный провопущены через одно...

Номер патента: 1109795

Опубликовано: 23.08.1984

Автор: Липенецкая

МПК: G11C 5/04

Метки: выполненного, двух, корпус, образных, памяти, разъемных, сердечниках, ферритовых, элемента

...разъемных ферритовых сердечника, содержащий основание с жестко закрепленнымина нем полыми стойками, расположенными перпендикулярно плоскости основания, для размещения одного из Побразных разъемных сердечников и пружины, пружины выполнены дугообразнойформы, а в основании выполнен паэдля размещения другого П-образногоразъемного ферритового сердечника вполые стойки и прямоугольные углубления в местах крепления полых стоекк основанию, при этом одни концы дугообразных пружин закреплены в. прямоугольных углублениях, а другиерасположены вдоль полых стоек.На фиг, 1 изображен корпус дляэлементов памяти, выполненных наП-образных разъемных ферритовых сердечниках; на фиг. 2 - то же с кодовыми жгутами, разрез.Корпус содержит основание 2,...

Номер патента: 376804

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Барац, Есою, Йатпп, Хведынич

МПК: G11C 11/08

Метки: памяти, элемент

...Б, по которой при записи информации проходит импульс тока записи, а при считывании - импульс напряжения считывания.При записи единицы по разрядной обмотке пропускается положительный импульс тока. Соответственно, при считывании 1 с разрядной обмотки снимается положительное напряжение, а при считывании 0 - отрицательноенапряжение,Сердечник 1 служит для ограничения вели 5 чины изменения магнитного потока в сердечнике 2 на уровне, соответствующем половинеего полного приращения. Сердечник 1 перемагничивается по полному циклу под воздействием импульсов тока, поступающих на него10 по обмотке управления б.При чтении информации по обмотке управления на элемент памяти поступает положительный импульс тока, вызывающий перемагничивание...