Способ определения кривизны фронта кристаллизации

272285 ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства М - Заявлено 29,У 1.1968 ( 126053622-1) Кл. 12 д, 17 с при инением заявки Ъс Комитет по делам изобретений и открыти при Совете Министров СССР. И. ИльченЪ с Ь, .с 40.Киевский ордена Ленина политехнический институтЙ Х НН е 161;Р 1 О явите оА 1 Б Ы 1 Р,СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ сКРИВИЗНЫ фКРИСТАЛЛ ИЗАЦИ И А оноНа фиг. 1 изображ торой производят схема, п едел ение омощи ивизны АП,22)2 Изобретение может быть использовано для исследования влияния условий выращивания на качество монокристалла, вытягиваемого из расплава по способу Чохральского.Известный способ определения кривизны фронта кристаллизации заключается в измерении в процессе вытягивания монокристалла .угла, образуемого контактирующим с фронтом кристаллизации столбиком расплава с вертикальной плоскостью, касательной к перимет ру смачивания.По предлагаемому способу по затравке к фронту кристаллизации направляют ультразвуковые импульсы частотой 30 - 70 Мгц, измеряют амплитуду отраженных импульсов и 1 ч время прохождения импульсом расстояния от источника ультразвука до фронта кристалливации, определяют скорость распространения ультразвуковых колебаний в мопокристалле и находят величину кривизны в зависимости от 20 расстояния от источника ультразвука до фронта кристаллизации и отношения измеренной амсплитуды к максимальной амплитуде, соответствующей плоскому фронту кристаллизации. Это отличие повысит его точность благодаря отсутствию влияния условий выращивания на измеряемые параметры. фронта кристаллизации вытягиваемого м кристалла; на фиг. 2 - схема, поясняющая осуществление ртасчета кривизны.В процессе вытягивания ультразвук направляется к фронту кристаллизации от помещенного на охлаждаемом торце затравки 1 пьезокристалла 2. Ультразвуковые колебания в пьезокристалле возникают под действием электрических импульсов, генерируемых ламповым импульсным возбудителем 3 и, распостраняясь вдоль затравки 1 и ксристалла 4, частично отражаются от фронта кристаллизации 5, достигают пьезокристалла и преобразуются им в электрические импульсы, восприниисчемые приемником 6 с электроннолучевым индикатором, Импульсы для запуска возбудителя и развертки индикатора вырабатываются генератором синхронизирующих импульсов 7. Если фронт кристаллизации плоский и параллелен плоскости пьезокристалла, отраженные импульсы имеют максимально возможную для данного полупроводника и установки амплитуду. При наличии кривизны амплитуда будет меньше максимальной.Абсолютное значение кривизны определяется как величина, обратная радиусу г (см, фиг. 2), из сотношения;цг. г г. Составитель Т. Г. фирсоваРедактор О. С. филиппова Техред 3. Н. Тараненко Корректор Н. С, Сударенкова Заказ 231113 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская иаб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова,где А - величина измеренной амплитуды,отраженного импульса;А, - величина максимальной амплитуды для данного полупроводника и установки, измеренная в процессе выращивания калибровочного монокристалла с плоским фронтом кристаллизации;г - радиус, соответствующий кривизне фронта кристаллизации;Е - расстояние от пьезокристалла до фронта кристаллизации. Измеряя в процессе вытягивания амплитуду отраженных импульсов и время 1 прохождения импульса до фронта кристаллизации и обрат. но,находят из соотношения где 1 в - скорость распространения продольных ультразвуковых колебаний в монокристалле, определенная также в процессе выращивания калибровочного монокристалла, и определяют величину кривизны к из зависимости=1 (Ю-),айвах5Предмет изобретенияСпособ определения кривизны фронта кристаллизации при вытягивании из расплава монокристаллов на затравку, отличающийся тем,10 что, с целью повышения точности определения, по затравке к фронту кристаллизациинаправляют ультразвуковые импульсы частотой 30 - 40 мегагерц, измеряют амплитуду отраженных импульсов и время прохождения15 импульсом расстояния от источника ультразвука до фронта кристаллизации, определяютскорость распространения ультразвуковых колебаний в монокристалле и находят величину,кривизны в зависимости от расстояния от ис 20 точника ультразвука до фронта кристаллизации и отношения измеренной амплитуды кмаксимальной амплитуде, соответствующейплоскому фронту кристаллизации,