Способ получения монокристаллов на основе меди,
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
О П И С А Н И Е 252289ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сома Советских Социалистических РеслубликЗависимое от авт. свидетельствааявлено 11.Ч 1.1968.( 1246589/23-2 л. 12 с, 2 присоединением заявкиоритет Комитет ло делам изобретений и открытиМПК В 010УДК 548.55(088.8) 10.1 Ч.1970. Бюллетень14 вания описания ЗО,ЧП.1970 публико и Совете Министров СССР Дата опубл Авторыизобретени Н, А, Горюнова, В. М. Орлов, В, И, Сок и Г. П.Шпеньков Ордена Ленина физико-технический инслова, Е. В. веткова тут им, А. Ф. а 4 еффе аявител ВЕ МЕДИ,ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ОСОЛОВА И ФОСФОРА Изобретение относится к способу получения монокристаллов на основе меди, олова и фосфора, например Сц 45 пР 1 с Известен способ получения монокристаллов на основе меди, олова и фосфора путем совместного сплавления 5 компонентов при высокой температуре.Для получения полупроводникового соединения, обладающего фотоэлектрической чувствительностью в инфракрасной области спектра, предлагают способ получения монокри сталлов на основе меди, олова и фосфора, наПрИМЕр Сц 45 ПРтс, ПутЕМ КрИСтаЛЛИЗацИИ ЕГО ИЗ раствора в расплаве олова, причем компоненты шихты берут в следующих соотношениях, вес. %: 15 Сц 36,7 - 37,73 п 17 - 17,8Р 44,8 - 4,6Фосфор берут с избытком в 1 - 1,5 вес, %по сравнению с расчетным. 20Процесс ведут при температуре 1000 -1050 С в течение 1 - 1,5 час с последующиммедленым охлаждением со скоростью 20+ 5 Счас.П р и м е р. В качестве исходных материалов 25берут медь электролитическую В-З, оловоОВЧ-ООО, фосфор В. Указанные элементывзвешивают на аналитических весах и берут вколичестве, г; медь 3,8124-1-2 10 4, фосфор4,5+ 0,05 и олово 45-1, что соответствует 30 20%-ному весовому содержанию тройного соединения в олове.Количество фосфора на 1 - 1,5 вес, % больше, чем следует, если исходить из формулы соединения. Это необходимо для того, чтобы скомпенсировать потери фосфора на окисление в процессе синтеза.Навеску вышеуказанных элементов помещают в кварцевую ампулу диаметром 25 лья. Эвакуированную до остаточного давления не ниже 10 з торр и запаянную ампулу помещают в печь. Вначале производится быстрьш нагрев до температуры 400 - 450 С, затем после часовой выдержки с вибрацпонным перемещением - быстрьш подьем температуры до Т,., =1050+ 50 С. После часовой выдержки при максимальной температуре расплав медленно (20+5 С/час) охлаждается до температуры 400 С. Дальнейшее охлаждение производится в режиме выключенной печи. Основная масса олова отделяется горячим фильтрованием, остаточное олово удаляется путем травления в соляной кислоте 1: 1 при нагревании. Таким способом получают объемные монокристаллы значительных размеров (5 - 15 лл).Измерения электрических свойств показали, что это соединение обладает высокой фотоэлектрической чувствительностью в инфракрасной области спектра, удельная электропроводность его от=10 т сит-т при комнатной252289 Предмет изобретения Составитель Н. ф, Семенова Редактор Л. М. Новожилова Техред Л. Я, Левина Корректор Л. И. ГавриловаЗаказ 2075 Ч Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д, 4/5 Типография, и р. Сапунова, 2 температуре; тип проводимости - электронный при комнатной температуре и дырочный - при температуре выше комнатной на 40 - 45 С; ширина запрещенной зоны "-1,2 эв. 1. Способ получения монокристаллов на основе меди, олова и фосфора, например Сц 45 пР 1 о, при высокой температуре, отличающийся тем, что, с целью получения полупроводникового соединения, обладающего фотоэлектрической чувствительностью в инфракрасной области спектра, процесс кристаллизации ведут из раствора в расплаве олова,причем компоненты шихты взяты в следующихсоотношениях вес,Сц 36,7 - 37,75 8 п 17 - 17,8Р 44,8 - 462. Способ по п. 1, отличающийся тем, чтофосфор берут с избытком в 1 - 1,5 вес, /о посравнению с расчетным,10 3, Способ по пп 1 и 2, отличающийся тем,что процесс ведут при температуре 1000 -1050 С в течение 1 - 1,5 час с последующиммедленным охлаждением со скоростью20-1-5/час.
СмотретьЗаявка
1246589
Ордена Ленина физико технический институт А. рффе
Н. А. Горюнова, В. М. Орлов, В. И. Соколова, Е. В. Цветкова, Г. П. Шпеньков
МПК / Метки
МПК: C30B 29/10, C30B 9/06
Метки: меди, монокристаллов, основе
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-252289-sposob-polucheniya-monokristallov-na-osnove-medi.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения монокристаллов на основе меди,</a>
Предыдущий патент: Способ управления процессом переплава расходуемых заготовок
Следующий патент: 252290
Случайный патент: Электронный прямоугольно-координатный автокомпенсатор